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公开(公告)号：CN107039588B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610080444.X
申请日：2016-02-04
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及高性能石墨烯基透明导电薄膜的设计、制备与应用领域，具体为一种氧化石墨烯/石墨烯叠层透明导电薄膜及其制备和应用。透明导电薄膜由透明基体和导电层组成，导电层由石墨烯和氧化石墨烯相互堆叠而成。首先通过转移在透明基体表面制作石墨烯薄膜，然后通过选择性氧化顶层、转移或者喷涂氧化石墨烯的方法获得氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜，最后通过重复以上过程和控制堆叠的次序获得具有不同堆叠结构的氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜。本发明的薄膜结构和制备方法简单，所得薄膜具有较高透明性、导电性、功函数和表面浸润性，广泛应用于有机发光二极管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等光电器件领域。
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公开(公告)号：CN107364851A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201611065371.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/194 , H01L51/56 , H01L51/48 , H01L51/44 , H01L51/52
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/442 , C01B2204/04 , C01B2204/22 , C01P2004/02 , C01P2004/03 , H01L51/0021 , H01L51/5203
Abstract: 本发明涉及一种松香树脂转移石墨烯的方法及石墨烯透明导电薄膜的制备与应用。该方法主要包括：(1)将松香树脂溶解于有机溶剂，然后涂覆在金属箔基体上生长的石墨烯的表面，加热固化，得到的松香/石墨烯/金属箔复合体；(2)通过刻蚀法去掉金属箔或采用电化学剥离法使松香/石墨烯与金属箔分离；(3)将松香/石墨烯复合体转移到目标基体上，并利用热处理去除石墨烯和目标基体之间的水分；(4)清洗去除松香，从而实现石墨烯的转移。本发明方法使转移的石墨烯表面具有更高的清洁度，同时可以很好地保持石墨烯薄膜的完整性和优异的光电性能，可制备石墨烯透明导电薄膜，适用于太阳能电池、有机发光二极管等器件的制备与应用。
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公开(公告)号：CN107364851B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201611065371.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/194 , H01L51/56 , H01L51/48 , H01L51/44 , H01L51/52
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种松香树脂转移石墨烯的方法及石墨烯透明导电薄膜的制备与应用。该方法主要包括：(1)将松香树脂溶解于有机溶剂，然后涂覆在金属箔基体上生长的石墨烯的表面，加热固化，得到的松香/石墨烯/金属箔复合体；(2)通过刻蚀法去掉金属箔或采用电化学剥离法使松香/石墨烯与金属箔分离；(3)将松香/石墨烯复合体转移到目标基体上，并利用热处理去除石墨烯和目标基体之间的水分；(4)清洗去除松香，从而实现石墨烯的转移。本发明方法使转移的石墨烯表面具有更高的清洁度，同时可以很好地保持石墨烯薄膜的完整性和优异的光电性能，可制备石墨烯透明导电薄膜，适用于太阳能电池、有机发光二极管等器件的制备与应用。
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公开(公告)号：CN107039588A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610080444.X
申请日：2016-02-04
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及高性能石墨烯基透明导电薄膜的设计、制备与应用领域，具体为一种氧化石墨烯/石墨烯叠层透明导电薄膜及其制备和应用。透明导电薄膜由透明基体和导电层组成，导电层由石墨烯和氧化石墨烯相互堆叠而成。首先通过转移在透明基体表面制作石墨烯薄膜，然后通过选择性氧化顶层、转移或者喷涂氧化石墨烯的方法获得氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜，最后通过重复以上过程和控制堆叠的次序获得具有不同堆叠结构的氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜。本发明的薄膜结构和制备方法简单，所得薄膜具有较高透明性、导电性、功函数和表面浸润性，广泛应用于有机发光二极管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等光电器件领域。
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