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公开(公告)号：CN112485734A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011035888.4
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及金刚石色心制备技术领域，具体公开一种提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法。所述提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法，包括如下工艺步骤：a、取长方体金刚石，使用2‑10MeV电子束对其进行辐照；b、将经过所述辐照后的所述金刚石在1‑5‑10‑5mbar、850‑1000℃下退火；c、去除完成所述退火后的所述金刚石表面的氧化层和杂质，在所述金刚石相对的两个侧面分别连接光纤，剩余的四个面镀上全反射镀层。本发明提供的提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法可以使单晶金刚石色心腔体达到类似光纤腔体的高效率荧光反射与收集的效果，显著增加金刚石NV色心的荧光收集效率。
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公开(公告)号：CN112320788A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011041650.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01B21/064 , C01B19/04
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开一种大尺寸二维材料异质结构的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在第一金属衬底上的第一二维材料表面生长氧化铝薄膜并旋涂光刻胶；采用电化学鼓泡法剥离第一二维材料；用生长有第二二维材料的第二金属衬底捞起第一二维材料；旋涂光刻胶并采用电化学鼓泡法剥离异质结构；使用目标衬底将剥离所得异质结构捞起，或重复多次捞起和剥离后，再用目标衬底将剥离所得的异质结构捞起，去除表面光刻胶及氧化铝。本发明提供的制备方法，可以有效的解决二维材料异质结构组装过程中材料界面间的污染，能够制备得到具有连续完整结构的大尺寸清洁界面二维材料异质结构。
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公开(公告)号：CN108715450B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810904320.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/984
Abstract: 本发明提供了一种二维SiC材料层的制备方法，属于碳化硅材料制备领域，包括步骤：将上表面放置有铜箔的硅衬底放置于反应腔室内；向所述反应腔室中通入第一气体；使所述铜箔被加热至预设反应温度，通入第二气体；通入甲烷气体，并在预设反应温度下保温预设时间；停止通入第二气体和甲烷气体，停止加热，再次通入第一气体，并使铜箔在预设冷却速度下冷却至室温；预设反应温度大于1083.4℃，所述第一气体为惰性气体，所述第二气体包括氢气。利用本发明提供的二维SiC材料层的制备方法制备的二维SiC材料，其厚度均匀，二维SiC材料性能均匀稳定，且操作步骤简单，效率高，有利于实现大尺寸二维SiC材料的快速制备。
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公开(公告)号：CN109437169B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811473682.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法，其是在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源和氮气，通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料。所述梯度法是将石墨烯生长过程分为低温阶段、升温阶段和高温阶段，分别控制三个阶段的温度、气体流量和压力等条件，使石墨烯在绝缘衬底上均匀分布，褶皱密度可降低至1×10‑5个/μm2以下。
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公开(公告)号：CN107902650B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201711146672.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/28 , C01B32/184
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法，该方法包括：将超纳米金刚石膜进行预处理，去除表面的杂质和表面应力；在经过所述预处理后的超纳米金刚石膜的形核面形成金属层，所述金属层为镍层和所述镍层上表面的铜层或所述金属层为铜镍合金层；将已生长所述金属层的超纳米金刚石膜进行高温退火处理，自组织形成单层石墨烯。本发明直接在超纳米金刚石膜上生长单层石墨烯，无需二次转移工艺，有效的避免了二次转移过程中引入杂质和晶格缺陷，并且，生长的单层石墨烯具有较小的晶格失配和表面变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459463A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910749342.6
申请日：2019-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明适用于石墨烯材料技术领域，提供了一种石墨烯介质层异质结构的制作方法，包括：获取多块石墨烯介质层薄膜，并将多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗；通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在预设衬底上，得到石墨烯介质层异质结构样品；晾干石墨烯介质层异质结构样品；采用获得石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜，直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。本发明通过预设衬底在去离子水中旋转的方式获得预设层数的石墨烯介质层异质结构，极大的提高了石墨烯介质层异质结构的制作效率，简化了其制作流程。
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公开(公告)号：CN109786498A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811503129.9
申请日：2018-12-10
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法，元件包括自下而上分布的衬底、沟道层和红外辐射吸收层，沟道层上分别设有源极、漏极、第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层采用具有热释电效应的介质层，第二栅介质层采用不具有热释电效应的介质层，沟道层为二维材料沟道层。本发明的红外辐射吸收层能吸收一定的红外辐射产生相应的温度变化，进而通过第一栅介质层的热释电效应产生极化电荷变化，配合第二栅介质层引起沟道电流变化，使得探测元件实现了放大功能，提高了灵敏度；以整个探测元件作为检测沟道电流变化的检测器件，提高了响应速度；沟道层利用了二维材料，降低了功耗，可广泛应用于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN109786233A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910044410.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件。本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。
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公开(公告)号：CN107910377A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711118404.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，石墨烯晶体管包括衬底，衬底的上表面设有石墨烯PN结，石墨烯PN结两侧设有源、漏接触电极；石墨烯PN结的P区或N区设有与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。该方法包括在衬底上制作石墨烯PN结；在石墨烯PN结两侧制作源、漏接触电极；在石墨烯PN结上制作与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。本发明利用石墨烯PN结中的载流子通过PN结的几率与PN结的夹角相关特性，在石墨烯PN结的P区或N区制作与PN结成45°夹角的栅极，使载流子通过具有45°夹角的两个PN结时被完全反射，从而实现石墨烯晶体管的自由开关。
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公开(公告)号：CN107393815A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710792114.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该方法包括：在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；在所述金刚石层上制作有源区台面；在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；光照所述光催化剂介质层；在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。本发明能够降低器件的导通电阻。
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