一种光纤结构的神经突触器件

    公开(公告)号:CN113723602B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202111021706.2

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明公开了一种光纤结构的神经突触方案。通过光纤端面结合相变材料模拟生物神经元的突触结构,利用全光纤器件搭建脉冲突触方案,并采用不同脉冲宽度实现突触不同权重间的切换,基于STDP法则,出射光脉冲与入射光脉冲重叠部分的脉冲超过阈值功率并共同作用在光纤突触上,更新其权重。该装置可以实现突触权重自动调节功能,各个权重之间可以相互转换,转换次数达1012。全光脉冲突触相比基于电子元器件的脉冲突触,具有抗干扰、低功耗、结构简单、调节速度快等优点,有望为光神经网络的发展提供了重要方向。

    一种基于蜘蛛牵引丝的高分辨湿度传感器

    公开(公告)号:CN118067615A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410196463.3

    申请日:2024-02-22

    Abstract: 本发明属于光纤传感技术领域,具体涉及一种基于蜘蛛牵引丝的高分辨湿度传感器,包括窄线宽光源模块、高分辨率湿度生物探头模块和PDH解调反馈控制模块,高分辨率湿度生物探头模块包括第一光纤布拉格光栅传感器、第二光纤布拉格光栅传感器、第一光纤环形器和第二光纤环形器,第一光纤环形器、第二光纤环形器分别和第一光纤布拉格光栅传感器、第二光纤布拉格光栅传感器相连,第一光纤布拉格光栅传感器包括两段相同的单模布拉格光纤光栅光纤和一段锥形单模光纤。本发明通过将蜘蛛牵引丝与光纤光栅相结合来改善法布里‑珀罗干涉仪结构,再与PDH技术相结合,提高了光纤传感器的分辨率和传感精度,能够实时跟踪湿度的变化。

    一种光纤湿度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN112098367B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202010958563.7

    申请日:2020-09-14

    Abstract: 本发明提供一种光纤湿度传感器及其制作方法,涉及光纤生物传感技术领域,该光纤湿度传感器包括超连续谱光源,单模光纤,多模光纤,蜘蛛牵引丝,光谱仪组成,其中,多模光纤分别与输入单模和输出单模光纤熔接形成了单模‑多模‑单模型光纤结构。宽谱光源发射的光束经过传输光纤进入多模光纤,基模在多模光纤中激发多个高阶模,形成模式干涉。将蜘蛛牵引丝固定单多单结构两端,由于蜘蛛牵引丝在湿度条件下超收缩,导致多模光纤弯曲,多模干涉模式改变,光谱飘移,实现湿度传感。本发明结合单多单结构和蜘蛛牵引丝制备光纤湿度传感器,具有体积小,重量轻,结构简单,材料环保,灵敏度高,成本低廉的特点。

    一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN113687551B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202111045986.0

    申请日:2021-09-07

    Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关,括宽带光源、单模光纤、“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、793nm连续激光器、532nm脉冲激光器、光谱分析仪;所述宽带光源通过单模光纤与第一“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、第二“花生型”光纤微结构和光谱分析仪依次相连。本发明提出利用光纤烧球熔接、磁控溅射镀膜以及光纤打孔技术进行非易失性光开关的制作,形成干涉臂中间打孔镀GST的花生型”马赫曾德尔干涉结构,制作简单成本低,在可重构光子器件及非易失性光开关领域应用前景广阔。

    一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案

    公开(公告)号:CN113724758B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202111021709.6

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明提供一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案。该多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案,包括“读、写、擦”激光输出模块、多芯光纤忆阻器、“读”多芯探测模块,其中多芯光纤忆阻器包括多芯光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。在多芯光纤端面后依次镀有光学相变材料薄膜和防氧化增反膜来构造多芯光纤忆阻器;各个纤芯中注入“擦、写”脉冲激光分别对各纤芯端面的光学相变材料的相态进行调控,不同相态下的光学相变材料反射率存在差异,通过“读”连续激光读取每个纤芯的存储状态,从而实现多芯非易失性全光存储。该多芯光纤忆阻器件基于空分复用理念提升单芯光纤非易失性存储的维度,可极大地提高通信、存储容量,突破当前普通单模光纤信息容量极限。

    一种光纤忆阻单元
    127.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113724757B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202111020392.4

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明提供了一种光纤忆阻单元。该光纤忆阻单元,包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。其中,所述光学相变材料薄膜位于单模光纤端面,防氧化增反膜位于光学相变材料后。该单模光纤忆阻单元的反射率在脉冲光的加载下表现出有高低反射率的变化,并具有非易失性效应,实现非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以用作一种全光调控的光纤存储器件,具备存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等优点,能与光纤通信网络、光纤传感网络兼容,具有重要的应用潜力。

    一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件

    公开(公告)号:CN116312654A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310332031.6

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件,属于光纤器件存储技术领域,包括单模光纤、多模光纤、光学相变材料薄膜和增反薄膜,多模光纤的一端与单模光纤连接,多模光纤的另一端与光学相变材料薄膜的左端连接,光学相变材料薄膜的右端与增反薄膜连接;单模光纤与多模光纤为同轴焊接,单模光纤与多模光纤同轴焊接后产生贝塞尔光束,光学相变材料薄膜通过射频磁控溅射的方式与多模光纤的端面结合,增反薄膜通过射频磁控溅射的方式与光学相变材料薄膜结合。本发明提供的一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件,可对光学相变材料的相态进行精准调控,同时相对于普通单模光纤存储单元可以实现更多级别的存储。

    一种基于NV色心红外吸收检测的光纤磁场传感器

    公开(公告)号:CN116299098A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310378680.X

    申请日:2023-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于NV色心红外吸收检测的光纤磁场传感器,包括第一金刚石晶体和设置在第一金刚石晶体下方的第二金刚石晶体,第二金刚石晶体的右侧设置有第二环形器,第二环形器的右侧设置有第二光纤滤波器,第二光纤滤波器的右侧设置有第二数据处理模块,第二数据处理模块的上方设置有1042nm激光器光源,1042nm激光器光源的上方设置有532nm激光器光源,532nm激光器光源和1042nm激光器光源的左侧中央部分设置有3dB光纤耦合器,3dB光纤耦合器的上方设置有第一光纤滤波器,第一光纤滤波器的左侧设置有第一环形器,第一光纤滤波器的右侧设置有第一数据处理模块。本发明提供的一种基于NV色心红外吸收检测的光纤磁场传感器,其灵敏度高、光子检测效率高且可实现磁场测量。

    一种基于相变材料的光纤环开关

    公开(公告)号:CN113900277B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202111020356.8

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明提供一种基于相变材料的光纤环开关。该基于相变材料的光纤环开关由两只拉锥型一分二光纤耦合器及光纤相变材料单元组成。将两只拉锥型一分二光纤耦合器的直通臂焊接成光纤环结构,在光纤环中单模光纤侧壁制作凹槽结构,依次镀相变材料薄膜及防氧化薄膜,构成光纤相变材料单元。光纤环开关有四个端口,其中两个对角线端口分别注入光脉冲对光纤相变材料单元进行调制与探测连续光对光纤环开关的状态进行监测。当高能窄带脉冲注入时,光纤环处于“闭合”状态;当低能宽带脉冲注入时,此时光纤环处于“断开”状态。该基于相变材料的光纤环开关作为一种光学调控光开关器件,具有切换速度更快和抗干扰能力更强的优点。

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