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公开(公告)号：CN102924088A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210487457.0
申请日：2012-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C04B35/599 , C04B35/622 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Sialon双晶纳米带及其制备方法，其是将Si-Al-O-N-C粉末与碳粉压制成圆环形预制块，在高压氮气环境下，通过化学气相沉积法生长，在圆环形预制块周围形成Sialon双晶纳米带，其厚度为10-800nm，宽度为0.1-10μm，长1-15mm。所得Sialon双晶纳米带具有其他纳米带不具备的独特性能和应用前景，比如优异的介电性能、导热性和机械强度。由于其在生长方向上具有独特的双晶结构，Sialon双晶纳米带可用于光转换，以及用于构建纳米光探测器件等。
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公开(公告)号：CN101550012B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910072021.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/515
Abstract: SiOCN陶瓷的制备方法，它属于陶瓷制备领域。本发明解决了现有SiOCN材料的制备方法存在的成分不易控、制备工艺复杂及成本高问题。本发明方法：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物；二、制备SiOCN先驱体；三、经过裂解即制备得到SiOCN陶瓷。本发明的制备方法成本低，制备得到的SiOCN陶瓷高温性能好，可在1400℃以上的条件下使用，应用范围广。
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公开(公告)号：CN101805943B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010152182.6
申请日：2010-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种中空碳纤维的制备方法，它涉及碳纤维的制备方法。本发明解决了现有的制备中空碳纤维的纺丝法制备过程温度高、弹性模量低和化学气相生长法制备的中空碳纤维中含有杂质、难以合成管径为几百纳米至几微米的中空纤维的问题。本方法：一、将碳源材料放入石墨坩埚中，并将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，然后抽真空至0.1～1Pa；二、向炉内充入高纯氮气或氩气使压强达到0.2～2.5MPa；三、以5～30℃/min的速度使温度升至900～1500℃后保温1～4h，然后随炉冷却到室温，即得中空碳纤维。本方法的反应温度低，不使用催化剂，合成的中空碳纤维石墨化程度高，无杂质，纯度为100%。可以用作电容器、储氢和复合材料。
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公开(公告)号：CN101224876B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101319399B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810064810.8
申请日：2008-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构的制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1～2.0MPa，然后以5～30℃/min的升温速度加热至1500～1800℃保温0.5～6小时，随炉冷却到室温，即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线，中心线或中心杆的直径分布在50～100纳米范围内，中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100～500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短，且能够实现对产物结构和形貌的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101928915A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010200513.9
申请日：2010-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN101717077A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910310305.1
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的制备方法，它涉及一种纳米管的制备方法。本发明解决了现有方法得到的硼纳米管产率低的问题。本方法如下：将氨硼烷和催化剂的混合粉末或氨硼烷加入到以石墨纸或滤纸为内衬的坩埚中，再将坩埚置于气压炉中，向气压炉内充入高纯氮气，然后以5℃/min～30℃/min的升温速度升温，再保温，然后冷却至室温，即得氮化硼纳米管。本发明方法制备氮化硼纳米管的产率为60％～85％。
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公开(公告)号：CN101597058A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910072347.6
申请日：2009-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种应用硼酸提高碳化硅纳米纤维产率的方法，它涉及了一种硼酸的应用方法。本发明解决了现有SiC纳米纤维制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米纤维生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米纤维产率的方法按照如下步骤进行：一、将蔗糖与硅溶胶混合，再将硼酸加入到混合液中，干燥，得到干凝胶；二、将步骤一得到的干凝胶置入管式炉中，通入氮气，升温，保温，即得凝胶粉末；三、球磨3h，加入无水乙醇，气氛烧结炉，冷却至室温；即得到呈羊毛毡状的SiC纳米线毛层。本发明在纳米纤维生产中应用硼酸，应用硼酸后，SiC纳米纤维的产率提高了10倍以上，纤维长度达到5～6cm。
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公开(公告)号：CN101319399A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810064810.8
申请日：2008-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构及其制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1～2.0MPa，然后以5～30℃/min的升温速度加热至1500～1800℃保温0.5～6小时，随炉冷却到室温，即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线，中心线或中心杆的直径分布在50～100纳米范围内，中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100～500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短，且能够实现对产物结构和形貌的控制。
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公开(公告)号：CN117630107A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311635438.2
申请日：2023-12-01
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
Abstract: 一种可单向加压并可改变气压条件的块体热导率性能测试实验系统，它属于材料性能测试装置技术领域。它解决了现有材料热导率性能测试中存在测试设备无法满足实际需求的问题。系统：包括实验主体结构、真空系统和加压系统；所述实验主体结构包括控制计算机、密封保温腔体、加热块、散热块、直流电源、热电偶模块、冷却水套、进水阀、出水阀和控制线路；所述真空系统包括真空泵、电子真空计、电磁阀门和电磁放气阀门；所述加压系统包括伺服电机、精密螺杆、位移指示器和压力传感器。本发明中测试实验系统为待测材料提供真空或者低于大气压时、加载单向载荷的测试条件，利用稳态法测试材料，尤其是可压缩材料的热导率。它适用于块体热导率性能测试。
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