一种高镍NCM三元正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116885118A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310658318.8

    申请日:2023-06-05

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本申请涉及一种高镍NCM三元正极材料及其制备方法,所述方法包括:将高镍三元前驱体、LiOH与SnO2混合,后通入氧气进行烧结、第一保温,得Sn元素掺杂的高镍三元正极材料;将所述Sn元素掺杂的高镍三元正极材料与NH4VO3混合,后于氧气气氛中第二保温,保温后降至室温,得高镍NCM三元正极材料。本申请采用Sn元素掺杂和Li3VO4表面包覆双改性策略对三元正极材料进行改性,可同时提高材料的结构稳定性和循环寿命,生成的Li3VO4包覆层为快离子导体,在隔绝电解液的侵蚀作用的同时,有助于锂离子的脱嵌,提高了材料的倍率性能。

    一种回收太阳能级硅金刚线切割废料的方法

    公开(公告)号:CN113184854B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202110526430.7

    申请日:2021-05-14

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明属于光伏固废循环回收领域,具体涉及一种回收太阳能级硅金刚线切割废料的方法,包括:1)将金刚线切割粉进行清洗、干燥处理,获得初步净化的干燥粉末;2)将净化后的粉末与镁粉、氯化钠按质量比1:(0、0.01~0.05):0.25~0.5混合,同时添加适量粘结剂进行研磨混合,并将研磨后的粉末压制成坯体;3)将压制坯体掩埋入切割粉中并通入惰性气体,在惰性气体气氛下对掩埋入切割粉中的坯体进行高温烧结,得到陶瓷片;4)用盐酸与氢氟酸配置成的酸洗液对烧结陶瓷片进行酸洗并干燥,制得高纯硅片;本发明开发了一种节能环保的废料回收再利用方法,可实现光伏废料循环利用,经本方法处理后的金刚线切割粉氧含量可降至1‑3%,硅回收率高于85%,纯度可达90‑96%。

    一种聚酰亚胺覆盖膜激光切割除碳装置及除碳方法

    公开(公告)号:CN112809204B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202110156184.0

    申请日:2021-02-04

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供了一种聚酰亚胺覆盖膜激光切割除碳装置及除碳方法,该聚酰亚胺覆盖膜激光切割除碳装置包括激光切割装置,还包括制冷装置、覆盖膜固定装置及干冰清洗装置;所述激光切割装置、所述制冷装置及覆盖膜固定装置通过传送带依次连接;所述覆盖膜固定装置设置有覆盖膜固定平台;所述干冰清洗装置包括干冰喷喷枪,所述干冰喷枪的喷头对准所述覆盖膜固定平台的平面。该装置能有效去除聚酰亚胺覆盖膜表面的碳化层。

    一种碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法
    124.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113307629A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202110757194.X

    申请日:2021-07-05

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅泡沫陶瓷的制备方法,包括以下步骤:S1,将碳化硅粉体、氧化铝粉体、聚乙烯醇、硅溶胶、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素钠,搅拌均匀,球磨处理,最后加入正丁醇,得到陶瓷浆料;S2,将聚氨酯泡沫模板进行预处理后浸入陶瓷浆料;再将聚氨酯泡沫模板干燥,得到陶瓷坯体;S3,将陶瓷坯体进行预烧结处理,得到陶瓷预烧体;S4,将二乙烯基苯、自由基引发剂、晶硅切割粉混合,超声处理,得到硅粉悬浮液;S5,将陶瓷预烧体浸入硅粉悬浮液中,在真空环境保持55~65min,取出陶瓷预烧体于90~110℃中干燥1.5~2.5h,进行表面交联固化反应,得到固化产物;S6,将固化产物进行高温烧结,即得所述的碳化硅泡沫陶瓷。该碳化硅泡沫陶瓷的机械性能好。

    一种聚酰亚胺覆盖膜激光切割除碳装置及除碳方法

    公开(公告)号:CN112809204A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110156184.0

    申请日:2021-02-04

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供了一种聚酰亚胺覆盖膜激光切割除碳装置及除碳方法,该聚酰亚胺覆盖膜激光切割除碳装置包括激光切割装置,还包括制冷装置、覆盖膜固定装置及干冰清洗装置;所述激光切割装置、所述制冷装置及覆盖膜固定装置通过传送带依次连接;所述覆盖膜固定装置设置有覆盖膜固定平台;所述干冰清洗装置包括干冰喷喷枪,所述干冰喷枪的喷头对准所述覆盖膜固定平台的平面。该装置能有效去除聚酰亚胺覆盖膜表面的碳化层。

    一种环保脲醛树脂胶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110330614B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201910627240.7

    申请日:2019-07-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明属于胶粘剂领域,公开了一种环保脲醛树脂胶及其制备方法和应用。所述环保脲醛树脂胶的制备方法包括:将甲醛溶液加热至30‑40℃,加入尿素反应2‑10min,加热至45‑65℃后采用碱液将体系的pH值调节至6.5‑8,加入尿素反应20‑40min,加热至85‑95℃之后停止加热,并在该温度下分四个批次加入氯化铵进行固化反应,之后将pH值采用碱液和氨水调节至6.5‑8,之后加入尿素并将温度降至78‑85℃下反应30‑50min,当温度降至72‑76℃时,开始升温,当温度升至82‑88℃时加入三聚氰胺并保温反应20‑40min;当温度降至73‑78℃时,加入硫脲并保温反应5‑15min;当温度降至68‑72℃时,采用碱液将pH值调节至9±0.3;当温度降至63‑67℃时,加入尿素反应20‑40min,冷却至室温。所得环保脲醛树脂胶的游离甲醛含量低且强度高。

    一种硅粉的制备方法
    128.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103043665B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201310026873.5

    申请日:2013-01-24

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种硅粉的制备方法,涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料,将原料硅放在坩埚中,通过感应线圈电磁加热,熔化硅料;2)硅料熔化时,加入造渣剂,控制加热功率,使反应过程中硅液的温度保持在1550℃~1850℃,造渣精炼结束后,静置,除去浮于硅液上层的造渣剂;3)将硅液温度控制在1500~1700℃,然后打开阀门,启动雾化器;硅液经由导流管进入雾化器;调整雾化器出气口的气压,使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室,由承接转盘收集得到所述的硅粉。

    一种片状硅的制备方法
    129.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103011169B

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201210546258.2

    申请日:2012-12-14

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种片状硅的制备方法,涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量,所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料,将原料硅放在石墨坩埚中,通过感应线圈电磁加热,熔化硅料;硅料熔化时,加入造渣剂,控制加热功率,使反应过程中硅液的温度保持在1550~1850℃,造渣精炼结束后,静置,除去浮于硅液上层的废渣;将硅液温度控制在1500~1700℃,然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷;水冷旋转轮毂为常温;调整水冷旋转轮毂的转速,使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中,则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。

    一种锌电解回收处理方法
    130.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103590104A

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201310556202.X

    申请日:2010-03-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种锌电解回收处理方法,涉及一种太阳能多晶硅。将电解回收后的硅置于坩埚内,掺杂锗,装炉;将炉室抽真空,接通加热电源,使坩埚内的硅料逐渐加热到全部融化;通过定向凝固,使硅从底部向上逐渐凝固,形成定向凝固多晶硅。

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