-
公开(公告)号：CN106001962B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610431856.3
申请日：2016-06-17
Applicant: 厦门大学
IPC: B23K31/02 , B23K37/04 , B23K37/00 , B23K101/38
Abstract: 一种太阳能电池片焊接加热和焊带固定的方法及装置，涉及太阳能电池片。装置设有焊带固定装置和电池片焊接加热装置；所述焊带固定装置设有镶嵌压块的铁块、压块、压力传感器、红外传感器和电池片输送架；所述压块镶嵌在铁块上，压力传感器和红外传感器设于压块下部，压力传感器用于检测压块与焊带之间的距离，红外传感器用于检测压块与焊带之间的接触压力；焊带设于压块下方并铺设在电池片的栅线位置，电池片设于电池片输送架上；所述电池片焊接加热装置设有五个电磁焊头，五个电磁焊头分别设在五个镶嵌电磁焊头的铁块上，五个镶嵌电磁焊头的铁块与底座之间分别设有升降杆。操作简单、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN105540593B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201511027460.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种活化渣剂除硼的方法及其装置，属于半导体材料及冶金领域。所述装置设有罗茨泵、炉底座、中频感应线圈、保温层、石墨坩埚、搅拌器和升降装置。方法：将原料硅从进料口投入石墨坩埚中，启动罗茨泵抽真空，启动中频感应电源加热，待温度升至1500℃，使硅块全部熔化；向炉腔内充入惰性气体，使温度保持在1550～1650℃，加入渣剂，启动搅拌器，完成第一次造渣；提高中频感应电源功率，使炉腔内温度达到1700～1800℃，打开进料口，第一次投入渣剂活性成分，抽真空，启动搅拌器，通入惰性气体，完成第二次造渣；待造渣完成后，将硅液浇注到承接坩埚中，静置冷却，取出硅锭，得到提纯后的低硼高纯硅，完成活化渣剂除硼。
-
公开(公告)号：CN105521757B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201511027442.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 一种利用工业废渣和废酸制备吸附材料的方法及其装置，涉及矿物资源回收利用。所述装置设有锅盖、锅体、聚四氟乙烯内衬、加热电阻丝、搅拌器、出料控制器、电动机、压力温度表、垂直升降装置和数显式pH计。将冶金法制备太阳能多晶硅中产生的工业废渣和工业废酸作为原料；将工业废渣破碎，球磨，陈化后从进料口投入炉内；将工业废酸按照工业废渣的配比从进料口投入，随后混入工业废水以及废碱，降下搅拌器和数显式pH计，调节pH值为3～7；打开加热电阻丝电源，控制炉内反应温度和压力并保温；反应结束后，将底部阀门打开，物料从底部流出；将物料过滤、烘干后，煅烧；反应3～5次时，打开锅盖，加入王水，旋转搅拌器清洗内衬。
-
公开(公告)号：CN105521757A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201511027442.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J20/02 , B01J20/3021 , B01J20/3078 , B01J2220/4875 , C02F1/281 , C02F2101/20
Abstract: 一种利用工业废渣和废酸制备吸附材料的方法及其装置，涉及矿物资源回收利用。所述装置设有锅盖、锅体、聚四氟乙烯内衬、加热电阻丝、搅拌器、出料控制器、电动机、压力温度表、垂直升降装置和数显式pH计。将冶金法制备太阳能多晶硅中产生的工业废渣和工业废酸作为原料；将工业废渣破碎，球磨，陈化后从进料口投入炉内；将工业废酸按照工业废渣的配比从进料口投入，随后混入工业废水以及废碱，降下搅拌器和数显式pH计，调节pH值为3～7；打开加热电阻丝电源，控制炉内反应温度和压力并保温；反应结束后，将底部阀门打开，物料从底部流出；将物料过滤、烘干后，煅烧；反应3～5次时，打开锅盖，加入王水，旋转搅拌器清洗内衬。
-
公开(公告)号：CN103043665B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310026873.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103011169B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
-
公开(公告)号：CN103043665A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310026873.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
-
公开(公告)号：CN106040541B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610432012.0
申请日：2016-06-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 太阳能电池片焊带自动清洗与助焊剂涂抹的方法及装置，涉及太阳能电池片。装置设有箱体、焊带清洗装置、助焊剂涂抹装置和焊带烘干装置；焊带清洗装置设有盒盖、清洗棉和盒盖支架；助焊剂涂抹装置设有左右短杆固定滑轮、长杆固定滑轮、助焊剂盛装箱、滑轮紧固装置、助焊剂盛装箱箱盖和箱盖拉手；焊带烘干装置设有烘干热吹风风扇、焊带出口和通风出口。方法：把焊带按路径铺设好，将焊带依次穿绕过焊带清洗装置、助焊剂涂抹装置、焊带烘干装置；紧固锁紧机构，注入酒精；调节长杆固定滑轮的长度达最长；关闭助焊剂盛装箱箱盖；调节焊带烘干装置的加热温度和流动风速；启动串焊机装置，统计电池片焊接的各项缺陷率。
-
公开(公告)号：CN103387236B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310342874.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种高纯硅的精炼装置及其方法，涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中，抽真空后启动熔炼炉对硅料加热；熔化后提高熔炼炉功率，使硅液在1600～1850℃保温；通入工作气体熔炼；启动熔炼装置，引弧后，将引弧装置转移，对硅液表面进行等离子熔炼；熔炼完成后关闭熔炼装置，透气塞降至坩埚底部，当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置，停止通气；将硅液倒入浇注用模具中，即得高纯硅锭。
-
公开(公告)号：CN103011169A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.014 seconds)
