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公开(公告)号：CN116623162A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210134962.0
申请日：2022-02-14
Abstract: 本申请提供一种平板式等离子体增强化学气相沉积装置及石墨烯薄膜的制备方法，平板式等离子体增强化学气相沉积装置用于制备石墨烯薄膜，包括放卷仓、收卷仓、内套管、外套管、第一射频板和第二射频板。放卷仓内设置有放卷轮，收卷仓内设置有收卷轮，内套管密封连接放卷仓和收卷仓，外套管设置在内套管的外部，第一射频板和第二射频板平行设置在内套管和外套管之间。通过以上设计，可实现等离子体的激发和加热区域耦合，有效提高等离子体的利用效率并减少污染物对衬底基材的影响。
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公开(公告)号：CN116621165A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210135346.7
申请日：2022-02-14
IPC: C01B32/186
Abstract: 本申请提供一种套管式等离子体增强化学气相沉积装置，用于制备石墨烯薄膜，包括放卷仓、收卷仓、内套管、外套管、射频线圈。放卷仓内设置有放卷轮，收卷仓内设置有收卷轮，内套管密封连接放卷仓和收卷仓，外套管设置在内套管的外部，射频线圈螺旋设置在内套管和外套管之间。通过以上设计，可实现等离子体空间和高温环境空间的重叠的同时做到射频线圈的有效保护，在提高离子体的利用效率的同时延长射频线圈的使用寿命，并且设计简单，操作简便，可降低石墨烯薄膜的生产成本。
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公开(公告)号：CN115611272A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110788224.3
申请日：2021-07-13
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成有机胶层，得到有机胶层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；在有机胶层表面粘附聚合物膜/硅树脂层复合膜；除去金属基底，得到聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体；将聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；加热除去聚合物膜/硅树脂层复合膜；及用有机溶剂除去有机胶层。本发明的转移方法，利用有机胶层隔离石墨烯薄膜与聚合物膜/硅树脂复合层直接接触，避免加热揭去聚合物膜/硅树脂复合层时应力作用导致石墨烯破损；并且有机胶与石墨烯表面相互作用较弱，不易残留，可提高石墨烯薄膜的完整度和洁净度。
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公开(公告)号：CN113321430B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110716320.7
申请日：2021-06-25
IPC: C03C25/44 , C01B32/184
Abstract: 本申请提供一种制备石墨烯玻璃纤维的方法，其包括：提供表面具有导电碳层的玻璃纤维；向所述表面具有导电碳层的玻璃纤维施加脉冲电流，得到所述石墨烯玻璃纤维。本公开的方法利用电流通过导体产生的焦耳热，使纤维表面快速达到高温，在短时间内即可实现纤维表面碳层的石墨化。该方法可极大地提升了石墨烯玻璃纤维的制备效率，同时有效降低了石墨烯的热损伤。通过该方法制备的石墨烯石墨化程度高，与纤维基底贴合紧密，复合稳定性好。
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公开(公告)号：CN115420653A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC: G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115385724A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210551923.0
申请日：2022-05-18
Abstract: 本发明公开一种改性陶瓷分离膜，包括陶瓷分离膜和直接生长在所述陶瓷分离膜表面的石墨烯层。本发明的改性陶瓷分离膜，在陶瓷分离膜表面直接生长石墨烯层，经过石墨烯层的改性，陶瓷分离膜具有良好的疏水性能，同时石墨烯层具有独特的孔状结构，有利于油脂类化合物的有效通过，降低陶瓷分离膜的平均孔径，提升离子以及大分子物质的截留率，实现物质的油水分离性能，可以应用于含油废水的处理以及高价值油水的回收等。
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公开(公告)号：CN114804079A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC: C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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公开(公告)号：CN114572974A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011384432.9
申请日：2020-12-01
IPC: C01B32/194
Abstract: 公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成小分子聚合物层，得到小分子聚合物层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；在所述小分子聚合物层上形成有机辅助支撑层；在所述有机辅助支撑层表面粘附热释放胶带层；除去所述金属基底，得到热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体；将所述热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；加热去除所述热释放胶带层；及用有机溶剂除去所述有机辅助支撑层和所述小分子聚合物层。本发明的转移方法，可以避免除去有机辅助支撑层在石墨烯薄膜表面的残留，提高石墨烯薄膜表面的洁净度。
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公开(公告)号：CN113897591A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111171976.1
申请日：2021-10-08
Abstract: 本发明公开一种金属防护方法，包括：提供一金属材料；及在所述金属材料表面通过等离子体增强化学气相沉积生长得到垂直石墨烯涂层。还包括公开一种包含该方法制备的结构的装置。本发明采用在金属材料表面生长垂直石墨烯涂层，由于垂直取向石墨烯涂层表面粗糙度更大，可以展现出更加优异的疏水特性，从而使得疏水的垂直石墨烯层与腐蚀液之间存有空气层，因而能够有效隔绝腐蚀介质并阻碍其进一步渗透到金属表面。垂直石墨烯涂层还可以实现金属材料在高温、腐蚀等严苛环境中的防腐，因而有望在高功率电线电缆、微电子器件、高温电磁屏蔽等领域得到应用。并且，本发明的方法，在金属材料基底制备垂直石墨烯涂层，方法简单有效，便于推广至大规模生产。
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公开(公告)号：CN113725704A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010448548.8
申请日：2020-05-25
Abstract: 提供一种饱和吸收体，包括光纤和石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜通过生长形成于所述光纤表面。还提供一种包括上述饱和吸收体的全光纤锁模激光器。本发明在光纤上直接生长石墨烯薄膜，形成步骤简单、生长工艺可控性好、重复性高；形成的石墨烯薄膜质量高且均匀，可以控制石墨烯厚度和光纤长度，可实现同一批次多根光纤批量生长。本发明的包括上述光纤的饱和吸收体和全光纤锁模激光器，具有良好的饱和吸收性能、可重复制备的能力和优秀的激光输出参数。
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