公开(公告)号：CN111431501A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010245302.0

申请日：2020-03-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  郑鹏程 ,  张师斌 ,  周鸿燕 ,  黄凯

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/02

Abstract: 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。

公开(公告)号：CN110632687A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201810651434.6

申请日：2018-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张师斌 ,  林家杰 ,  黄浩 ,  游天桂 ,  黄凯 ,  王曦

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明提供一种可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及制备方法，制备包括：提供闪耀光栅衬底，表面形成有周期排布的锯齿状阵列结构，包括具有第一倾角的第一槽面及具有第二倾角的第二槽面；于闪耀光栅衬底上形成交替多层膜结构，包括若干个超材料结构单元，包括第一等效介电常数单元和第二等效介电常数单元，二者之间形成电磁波吸收界面，本发明的超材料晶体结构可按需调控电磁波的吸收，可以通过调控超材料晶体结构支持的界面波矢，所述多层膜的材料参数和光栅的闪耀角，可精确调控电磁波的特征吸收峰；通过调控超材料晶体结构的周期P，即光栅常数，可有效调控电磁波的吸收系数，可针对不同频段的电磁波的吸收调控，无需重新设计超材料晶体结构。

公开(公告)号：CN110601674A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910925098.4

申请日：2019-09-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  王成立 ,  张师斌 ,  周鸿燕 ,  黄凯

IPC: H03H3/10

Abstract: 本发明提供一种高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器至少包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上表面的图案化介质层；位于所述图案化介质层表面的压电膜；位于所述压电膜表面的图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下方形成图案化介质层，可极大减少压电膜中传播的高频声波能量向衬底泄露，从而形成高频谐振，并使高频声波谐振器保持较高的Q值，并且由于图案与介质材料的可调整性，使得高频声波谐振器综合性能可以根据实际情况进行参数选择。

公开(公告)号：CN110572135A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910876649.2

申请日：2019-09-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  周鸿燕 ,  张师斌 ,  李忠旭 ,  黄凯 ,  赵晓蒙

IPC: H03H3/10 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明提供一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤：1)制备极低声阻部件；2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜；3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下设置极低声阻部件，增大压电膜与其下方的极低声阻部件的阻抗差，可有效激发高声速弹性波(如S0波)，在加强对其界面反射的同时并将其机械能有效约束在压电膜中，从而在提高声表面波谐振器频率的同时，使其保持较高的Q值；避免了高频声表面波谐振器所激发的高声速弹性波大量向衬底泄露而导致的器件性能严重退化的问题的发生。

公开(公告)号：CN110138356A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910576571.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张师斌 ,  周鸿燕 ,  王成立 ,  郑鹏程 ,  黄凯

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/04 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及其制备方法，所述高频声表面波谐振器包括：高波速支撑衬底，位于所述高波速支撑衬底上表面的压电膜，及位于所述压电膜上表面的顶电极；其中，所述高波速支撑衬底中传播的体波波速大于所述压电膜中传播的目标弹性波波速。通过本发明提供的高频声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器的工作频率较低的问题。

公开(公告)号：CN106209003B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610527875.6

申请日：2016-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  黄凯 ,  贾棋 ,  张师斌 ,  游天桂 ,  王曦

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极‑单晶氧化物‑金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。