-
公开(公告)号：CN109639282B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201811252034.4
申请日：2018-10-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种单端输入的低功耗同步寄存器型逐次逼近ADC，包括：自举开关(1)、差分电容阵列(2)、比较器(3)、SAR逻辑控制器(4)和输出寄存器(5)；其中，差分电容阵列(2)分别连接比较器(3)和SAR逻辑控制器(4)；差分电容阵列(2)通过自举开关(1)连接输入端；比较器(3)连接SAR逻辑控制器(4)；SAR控制器(4)连接输出寄存器(5)；输出寄存器(5)连接输出端。本发明提供的单端输入的低功耗同步寄存器型逐次逼近ADC，能够直接对单端信号进行处理，避免了额外的单端转差分电路，从而降低了设计难度，减少了电路面积，降低了功耗；而且能够在转换过程中保证比较器的共模电压基本稳定在参考电压Vcm附近，从而降低比较器的动态失调，提高电路整体精度。
-
公开(公告)号：CN113225085A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110304165.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明涉及一种高速一步多位逐次逼近‑流水线混合型模数转换器，包括：N1(N1≥2)级子流水线结构、至少一个余差放大器和冗余位校正模块，N1级子流水线结构中第一级子流水线结构至第(N1‑1)级子流水线结构均包括一步多位逐次逼近型模数转换器、数模转换器和减法器，N1级子流水线结构中最后一级子流水线结构包括一步多位逐次逼近型模数转换器。该模数转换器中每一级采用一步多位逐次逼近型结构，可以在每个子级的转换周期中转化出多位数字码，提高了传统一步一位的逐次逼近‑流水线模数转器的每一级的转换速率，从而提高了整个模数转换器的转换速度，同时结合逐次逼近‑流水线混合架构的功耗低、复杂度低、线性度高的特点，实现了高性能的模数转换器。
-
公开(公告)号：CN113192914A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110256038.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，包括一上一下设置的顶层介质层和底层介质层，且顶层介质层与底层介质层之间通过半导体硅衬底相连接，顶层介质层与底层介质层之间还具有TSV导体柱介质腔，TSV导体柱介质腔中插设有若干个TSV导体柱，TSV导体柱的上端贯穿顶层介质层的表面后与一顶层互连线相连接，TSV导体柱的下端贯穿底层介质层的表面后与一底层互连线相连接。本发明将所述的自阻匹配三维TSV互连结构的顶层互连线设计为非均匀互连线，即顶层互连线的宽度按照切比雪夫多项式变化，使得其特征阻抗与负载阻抗相匹配，用以降低该三维信号通道中的高速信号反射现象，进而提高高速信号的传输质量，降低高速三维互连系统的功耗与延时。
-
公开(公告)号：CN109212509B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201811108589.1
申请日：2018-09-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/487
Abstract: 本发明涉及一种用于激光雷达接收机的高通滤波器，包括：偏置电路，用于提供偏置信号；高通滤波模块，连接所述偏置电路，用于处理所述偏置信号和前级电路提供的第一信号生成第二信号，输出第二信号至后级电路；电荷补充模块，连接所述偏置电路，用于当所述第二信号发生变化时，为所述偏置电路与所述后级电路之间提供充电放电路径。本发明实施例用电荷补充模块，可以在前级电路发生切换、高通滤波模块的输出工作点发生变化时为偏置电路与后级电路之间提供低阻充电放电路径，最大程度的缩短切换时间，快速的使输出工作点达到稳定状态，从而使得系统可以很快恢复到正常工作的状态，缩短了电位恢复时间，保证了激光雷达检测和输出的连续性。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110854496B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910856444.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/10
Abstract: 本发明一种基于硅通孔的紧凑三维马相巴伦，从上往下依次为顶层输入信号线、顶层第五介质层、顶层第二接地层、顶层第四介质层、顶层第三介质层、顶层第二介质层、顶层第一接地层、顶层第一介质层、硅衬底、底层第一介质层、底层第一接地层、底层第二介质层、底层第三介质层、底层第四介质层、底层第二接地层、底层第五介质层、底层输出第一信号线和底层输出第二信号线。本发明公开的一种基于硅通孔的紧凑三维马相巴伦，具有以下有益效果：1、结构紧凑、占用面积小；2、容易加工；3、与周围其它元件或模块之间的耦合噪声弱；4、寄生参数较小，损耗小；5、易于与其它层或模块元件互连并实现微波系统的三维集成化。
-
公开(公告)号：CN107888194B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201710871483.6
申请日：2017-09-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于流水线模数转换器的运算放大器，包括：第一主运算放大器、第二主运算放大器；所述第一主运算放大器包括依次连接的第一共源共栅P型晶体管对、第二共源共栅P型晶体管对、第一共源共栅N型晶体管对、第一共源N型晶体管对，所述第一共源N型晶体管对的源极连接第一尾电流N型晶体管；所述第二主运算放大器包括依次连接的第三共源共栅P型晶体管对、第二共源N型晶体管对，所述第二共源N型晶体管对的源极连接第二尾电流N型晶体管；其中，所述第一共源共栅P型晶体管对的漏级分别通过补偿电容连接所述第三共源共栅P型晶体管对的漏级。相比现有技术，本发明能够在低压情况下大幅提高运放的增益、精度。
-
公开(公告)号：CN110190850B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910305821.9
申请日：2019-04-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种逐次逼近型模数转换器，包括：第一自举开关的输入端与第一信号输入端连接，第二自举开关的输入端与第二信号输入端连接；差分电容阵列的第一输入端与第一自举开关的输出端连接，差分电容阵列的第二输出端与第二自举开关的输出端连接，差分电容阵列的第一输出端与比较器的第一同相输入端连接，差分电容阵列的第二输出端与比较器的第一反相输入端连接；比较器的信号输出端与SAR逻辑模块的信号输入端连接，比较器的ready信号输出端与SAR逻辑模块的ready信号输入端连接，SAR逻辑模块的信号输出端与寄存器的输入端连接；SAR逻辑模块的控制信号输出端与差分电容阵列的控制信号输入端连接。本发明功耗低、结构简单。
-
公开(公告)号：CN110176931B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910309722.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种基于dummy电容单边电荷共享的开关时序电路，包括：第一输入端(VIP)、第二输入端(VIN)、主电容阵列(1)、辅助电容阵列(2)和比较器(3)；其中，所述主电容阵列(1)包括第一电容阵列(11)和第二电容阵列(12)，所述辅助电容阵列(2)包括第三电容阵列(21)和第四电容阵列(22)；所述第一输入端(VIP)通过第一开关(Sp1)连接所述比较器(3)的同相输入端，所述第二输入端(VIN)通过第二开关(Sn1)连接所述比较器(3)的反相输入端；所述第一电容阵列(11)的上极板连接所述比较器(3)的同相输入端，所述第二电容阵列(12)的上极板连接所述比较器(3)的反相输入端。本发明提供的开关时序避免了传统时序操作中高位大电容对ADC性能的限制，在很大程度上降低了ADC的功耗并减小了ADC电容阵列的版图面积。
-
公开(公告)号：CN112541312A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011459440.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/337 , G06F30/39
Abstract: 本发明涉及一种填充单壁碳纳米管同轴硅通孔的建模方法，包括如下步骤：计算填充单壁碳纳米管的同轴硅通孔内耗尽层外径和硅介质外径；根据碳纳米管的物理属性计算碳纳米管的电阻、电容以及电感参数；计算同轴硅通孔等效电路电容、电导和电感参数；建立填充单壁碳纳米管同轴硅通孔等效电路模型。本发明提出一种填充单壁碳纳米管的同轴硅通孔，在高频信号情况下具有更小的损耗，所建立的等效电路模型更加精确，同时计算简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
986
records
(took 0.047 seconds)
