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公开(公告)号：CN100569655C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200610154731.7
申请日：2006-11-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的制备金属氧化物多晶纳米管的方法，步骤如下：1)将多壁纳米碳管加到氯化钠水溶液中，超声分散，然后加入带正电的聚丙烯胺氢氯化物溶液，使聚丙烯胺氢氯化物包覆在多壁纳米碳管的表面；2)将步骤1)得到的产物加到带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中，使聚苯乙烯磺酸钠包覆在步骤1)产物的表面；3)将步骤2)得到的产物加到带正电的聚丙烯胺氢氯化物溶液中，使聚丙烯胺氢氯化物包覆在步骤2)产物的表面；4)将步骤3)得到的产物分散在去离子水中，加入金属氯化物，滴加硼氢化钠水溶液，离心，干燥，在氧气气氛中热处理。本发明以碳管为模板，利用正负电层层自组可以制备多种金属氧化物的纳米管，具有产量大，颗粒小，直径较细及模板易去除等优点。
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公开(公告)号：CN101562218A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910097932.1
申请日：2009-04-23
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法，使硅纳米颗粒形成硅纳米颗粒束，硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。本发明还公开了制备上述薄膜的装置，包括原料腔和成膜腔，原料腔带有与成膜腔相通的喷射孔，成膜腔连接真空系统，成膜腔内设有用于承载硅太阳电池的可三维移动的样品台，硅纳米颗粒从原料腔的喷射孔以硅纳米颗粒束形式进入成膜腔后，样品台带动硅太阳电池移动，在硅太阳电池表面形成硅纳米颗粒薄膜。本发明方法可以有效地控制硅纳米颗粒在硅太阳电池表面的成膜速度和所得硅纳米颗粒薄膜的厚度及均匀性，本发明可以提高硅太阳电池的效率，有利于硅太阳电池成本的降低。
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公开(公告)号：CN101559946A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910098051.1
申请日：2009-04-27
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置，包括将含有含硅气源和惰性气体的混合气体输入到等离子体腔中，在真空条件下，激发等离子体腔中的气体，使含硅气源转化形成硅纳米颗粒，硅纳米颗粒被气流携带出等离子体腔后通过收集器收集。本发明方法可以在硅纳米颗粒的制备过程中使用高功率的等离子体，同时尽量避免了硅纳米颗粒在等离子体腔体内壁上的沉积和改善了在气相中对硅纳米颗粒的收集。本发明使硅纳米颗粒的制备达到了规模化生产的要求。
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公开(公告)号：CN101559945A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910098050.7
申请日：2009-04-27
IPC: C01B33/021 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。本发明还公开了实施该方法的装置包括带有真空管路接口的壳体，壳体内设有：带有进口和出口的熔化腔，用于对熔化腔内物料加热的加热装置；和位于熔化腔出口下方的收集装置。本发明技术方案在保证多晶硅料的纯度的情况下，显著降低多晶硅料的制备成本；不仅可以制备多晶硅料，而且可以把传统上分离的多晶硅料制备和多晶硅铸造集成起来，显著地简化工艺，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN100533784C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610049178.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了制备氧化锌/p型硅异质结紫外电致发光器件的方法，步骤如下：1)将电阻率为0.005-0.02欧姆.厘米的P型重掺杂硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至1～5×10-3Pa，以Zn为靶材，以O2和Ar作为溅射气氛，在5～20Pa压强下，衬底温度为300℃～500℃，进行溅射生长，得到ZnO薄膜；2)在ZnO薄膜上溅射半透明电极，在P型硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明方法简单，不需要采用复杂的分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等手段。且所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101372759A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810120790.1
申请日：2008-09-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及制备太阳级硅的方法，步骤如下：先用氮化硅或石英制作底部中心厚度大于边沿厚度，且从底部中心到边沿厚度平滑递减的舟状坩埚，在坩埚的内表面均匀地喷涂氮化硅层；然后将坩埚放入烧结炉中烧结；再向坩埚中放入硅料，通过严格控制熔化温度和熔区移动速率，在真空条件下进行水平区熔，得到纯度达到太阳级硅要求的硅材料。本发明方法简单易行，无污染，在水平区熔提纯过程中坩埚不易破裂，提纯效率高，可以明显降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101060155A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710068640.6
申请日：2007-05-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的Si/SnO2异质结电致发光器件，在硅片的抛光面自下而上依次沉积有SnO2薄膜层和掺锡氧化铟导电薄膜层，硅片的另一面沉积有金属薄膜层。制备步骤如下：利用电子束蒸发在p型硅片的抛光面上沉积金属锡薄膜；在氧气气氛下进行氧化处理，使金属锡薄膜转变成SnO2薄膜；采用磁控溅射或电子束蒸发的方法在硅片的另一面沉积金属薄膜层；以氩气和氧气为溅射反应气体，在SnO2薄膜表面沉积掺锡氧化铟导电薄膜。本发明在硅基体上以二氧化锡薄膜为发光薄膜，具有更高的化学和机械稳定性，强的缺陷发光，本发明制备方法简单可控，成本低廉，掺锡氧化铟电极中含有SnO2相，可以和SnO2薄膜形成良好的电接触。本发明器件可以作为硅基发光器件。
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公开(公告)号：CN1328157C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610049680.1
申请日：2006-03-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备非层状硫化物纳米管的方法，步骤如下：1)将氧化物纳米线超声分散在水溶液中，在溶液中加入巯基乙酸，混合均匀后再加入硫源，把上述配好的水溶液放入高压釜中，在100～200℃温度下处理1～200小时，然后将处理好的溶液离心、干燥，得氧化物/硫化物的同轴电缆；2)将氧化物/硫化物的同轴电缆与酸或碱混合，充分反应后进行离心、干燥，得硫化物的纳米管。本发明利用巯基乙酸辅助水热法及后续的酸或碱处理可以解决非层状硫化物纳米管较难制备的问题。本发明方法工艺简单、成本低、适于工业化大量生产具有普遍性，可以制备多种非层状硫化物的纳米管。
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公开(公告)号：CN1974413A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610154730.2
申请日：2006-11-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的制备氧化物纳米六方片的方法，其步骤为：将金属氯化盐溶解在去离子水中，然后在溶液中加入柠檬酸，碱源，把溶液放入高压釜中，并在100～200℃温度下处理1～48小时，离心、干燥，获得氧化物纳米六方片。本发明制备工艺简单，采用本发明方法可以得到氧化物纳米六方片特殊的二维纳米结构，为光电子领域的深入研究和应用提供基础。
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