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公开(公告)号：CN101060155A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710068640.6
申请日：2007-05-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的Si/SnO2异质结电致发光器件，在硅片的抛光面自下而上依次沉积有SnO2薄膜层和掺锡氧化铟导电薄膜层，硅片的另一面沉积有金属薄膜层。制备步骤如下：利用电子束蒸发在p型硅片的抛光面上沉积金属锡薄膜；在氧气气氛下进行氧化处理，使金属锡薄膜转变成SnO2薄膜；采用磁控溅射或电子束蒸发的方法在硅片的另一面沉积金属薄膜层；以氩气和氧气为溅射反应气体，在SnO2薄膜表面沉积掺锡氧化铟导电薄膜。本发明在硅基体上以二氧化锡薄膜为发光薄膜，具有更高的化学和机械稳定性，强的缺陷发光，本发明制备方法简单可控，成本低廉，掺锡氧化铟电极中含有SnO2相，可以和SnO2薄膜形成良好的电接触。本发明器件可以作为硅基发光器件。
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