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公开(公告)号：CN113167821B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201980077052.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R19/165 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , G01R31/36 , H02J7/00 , G01R31/50
Abstract: 提供一种能够检测出二次电池的微短路的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器、晶体管、电容器及比较器。半导体装置被供应二次电池的负极电位及正极电位，第一源极跟随器被输入第一电位，第二源极跟随器被输入第二电位。晶体管的栅极被输入控制晶体管的导通状态的信号，进行与二次电池的正极‑负极间的电位关联的第一源极跟随器的输出电位的采样。比较器通过对比被采样电位和第二源极跟随器的输出电位，也可以应对充放电引起正极和负极间的电位的变动的二次电池。
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公开(公告)号：CN109565277B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201780049822.0
申请日：2017-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/36 , H03F3/45 , H04L25/02
Abstract: 缩短接收差分信号的接收器的传送延迟时间。在接收器的输入级设置有第一放大器电路，在接收器的输出级设置有第二放大器电路。第一放大器电路是差分输入、差分输出的放大器电路。第二放大器电路是差分输入、单端输出的放大器电路。第一放大器电路和第二放大器电路分别被输入作为高电平电源电压和低电平电源电压的第一电源电压和第二电源电压。第一放大器电路的差分对的晶体管的耐压比包括在第一放大器电路中的其他晶体管以及包括在第二放大器电路中的晶体管的耐压高。
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公开(公告)号：CN111542759B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201880085109.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R19/165 , G01R31/389 , G01R31/382 , H01M10/48 , H02J7/00
Abstract: 提供一种在进行异常检测的同时高精度地预测其他参数(内部电阻及SOC等)的二次电池的控制系统。利用卡尔曼滤波检测某个时间的观察值(电压)和使用事前状态变量推测的电压的差值。预先设定阈值电压并根据测出的电压差值检测突发异常、具体为微短路等。再者，优选使用神经网络学习时间序列的差分电压差值的数据，并判断是异常还是正常而进行检测。
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公开(公告)号：CN117348302A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311211309.0
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及显示装置。所述显示装置可包括：第一源极线；第二源极线；第一栅极线和第二栅极线；第一布线和第二布线；第一像素；第二像素，其中，第一像素的第一晶体管的半导体层通过设置在不同层上的第一导电层电连接到第一源极线，其中，在平面图中，第一栅极线设置在第一布线和第二布线之间，并且相比于第二布线更靠近第一布线，其中，在平面图中，第二布线设置在第一栅极线和第二栅极线之间，其中，在平面图中，第一布线和第二布线都包括部分加宽的区域，其中，所述部分加宽的区域包括与第二导电层重叠的区域，第二导电层设置在与第一源极线相同的层上，并且其中，所述部分加宽的区域包括配置为电容电极的区域。
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公开(公告)号：CN116203768A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310304059.9
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G02F1/1343
Abstract: 本发明实现一种适合于大型化的显示装置，并且提供高分辨率的显示装置。在显示装置中，对相邻的三个以上的栅极线供应相同的选择信号。在列方向上相邻的三个以上的像素连接于不同的源极线。在各像素中，配置包括半导体层的晶体管。另外，以与被用作像素电极的导电层重叠的方式设置三个以上的源极线中的位于内侧的源极线。在位于外侧的源极线和与该外侧的源极线相邻的源极线之间设置有晶体管的半导体层的一部分。
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公开(公告)号：CN115398800A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180023507.7
申请日：2021-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03F3/217 , H03K17/687 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种小型的半导体装置。提供一种功耗低的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一晶体管、第一晶体管上的绝缘层、导电层及栅极驱动器。导电层的一部分以嵌入绝缘层内的方式设置。栅极驱动器包括第二晶体管及第三晶体管。第二晶体管及第三晶体管层叠在第一晶体管上。第二晶体管及第三晶体管分别在沟道形成区中包含金属氧化物。第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的源极和漏极中的一个通过导电层与第一晶体管的栅极电连接。栅极驱动器被提供第一电位及第二电位。栅极驱动器具有选择第一电位或第二电位并将其提供给第一晶体管的栅极的功能。
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公开(公告)号：CN112635494B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011598205.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/49 , H01L29/786
Abstract: 提供一种与扫描线连接的晶体管的栅极电容小的新颖的显示装置等。提供一种扫描线的电阻低的新颖的显示装置等。提供一种能够以高清晰度配置像素的新颖的显示装置等。提供一种能够不增加成本地制造的新颖的显示装置等。在包括第一栅电极以及第二栅电极的晶体管中，第一栅电极使用低电阻金属材料构成，第二栅电极使用能够减少氧化物半导体层中的氧缺陷的金属氧化物材料构成。第一栅电极与扫描线连接，第二栅电极与被供应恒定电位的布线连接。
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公开(公告)号：CN114303315A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080058947.1
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的源极及漏极中的一个及第三晶体管的源极及漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极及漏极中的另一个与第一输出端子电连接，第二晶体管的源极及漏极中的另一个与第二输出端子电连接，该半导体装置具有从第一输出端子及第二输出端子输出供应到第二晶体管的栅极的信号和供应到第三晶体管的栅极的信号的比较结果的功能，并且该半导体装置具有根据供应到第一晶体管的背栅极的电位而改变从第一输出端子输出的电位的功能。
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公开(公告)号：CN114258633A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080058912.8
申请日：2020-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括其精度得到提高的放大器的半导体装置。半导体装置包括开关、电容器、斩波电路及放大器。放大器包括非反相输入端子、反相输入端子、反相输出端子及非反相输出端子，半导体装置具有使用开关及电容器采样并保持在第一期间被输入的第一电位及第二电位的功能。斩波电路分别设置于放大器的输入端子一侧及输出端子一侧，第一电位及第二电位在第二期间分别输入到非反相输入端子和反相输入端子中的任意个。在第三期间，第一电位及第二电位输入到非反相输入端子和反相输入端子中的与第二期间不同的输入端子。与反相输出端子及非反相输出端子同样地，在第二期间及第三期间用斩波电路进行调换，从半导体装置输出。
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公开(公告)号：CN110178170B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201880006911.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/268
Abstract: 提供一种适于大型化的显示装置。提供一种高分辨率的显示装置。在显示装置中，对相邻的两个栅极线供应同一选择信号。并且，在列方向上相邻的两个像素与各源极线连接。另外，将两个源极线中的一个重叠于被用作像素电极的导电层。另外，在两个源极线之间设置晶体管的半导体层的一部分。
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