公开(公告)号：CN101232151A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810005122.4

申请日：2008-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川口佳伸 ,  神川刚

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种半导体激光器(10)包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜(31)，其中涂布膜(31)具有设定为满足R(d，n)＞R(d，n+0.01)和d＞λ/n的厚度，其中n表示涂布膜(31)对于激光发射波长λ的折射率，R(d，n)表示依据厚度d和折射率n的、所述发光部处的反射率。

公开(公告)号：CN101064410A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100895.6

申请日：2007-04-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  川口佳伸

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开一种氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制造方法，是在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜的半导体发光元件，其中，光出射部由氮氧化物半导体构成，涂层膜由铝的氧化物膜或铝的氮化物膜构成，反射率调整膜由氧化物膜构成。

公开(公告)号：CN1770578A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510119342.6

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1755957A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510071664.8

申请日：2005-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高仓辉芳 ,  神川刚 ,  金子佳加

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30612 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。