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公开(公告)号：CN114975778B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210593244.X
申请日：2022-05-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性微电子器件制备相关技术领域，其公开了一种互补式柔性人工突触阵列及其电流体喷印制备方法，包括以下步骤：(1)在亲水处理后的透明基底上制备聚酰亚胺层；(2)在聚酰亚胺层上制备氧化铟锡调节层；(3)氧化铟锡调节层上沉积金属纳米线；(4)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在在金属纳米线的相应位置沉积底层有机聚合物电极；(5)在底层有机聚合物电极上自下而上依次沉积下层有机阻变层、中间层有机聚合物电极、上层有机阻变层；(6)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在每排上层有机阻变层上制备顶层有机聚合物电极，继而得到互补式柔性人工突触阵列。本发明实现了柔性人工突触结构的大规模快速制备，并克服了漏电流问题。
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公开(公告)号：CN116198221B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310176583.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于喷墨打印技术领域，并具体公开了一种片状等离子体驱动的阵列化电流体喷印装置及方法。该喷印装置包括阵列化喷印头、片状等离子体喷头。阵列化喷印头由多个供墨喷嘴组成，供墨喷嘴上端与供墨单元连接，供墨喷嘴通过开关控制接地；片状等离子体喷头产生片状等离子体射流作用于阵列化喷印头正下方的待打印的绝缘基板；等离子体射流在绝缘基板表面形成正电势，使得待打印的绝缘材料基板与供墨喷嘴间形成梯度电场，引导供墨喷嘴发生泰勒锥喷射，使高分辨率墨液沉积在绝缘材料基板上。本发明不仅克服了传统阵列化电流体喷印电极串扰的问题，实现阵列电喷印头独立可控，而且克服了传统电流体喷印在面对绝缘基板时打印精度较低的缺陷。
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公开(公告)号：CN118254491A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410330101.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电流体喷印相关技术领域，其公开了一种高剖面绝缘基板单电极高分辨率电流体喷印方法、高分辨率功能图案及其应用，方法包括：S1：对绝缘基板进行清洗，而后置于氧等离子体刻蚀机内进行表面羟基化；S2：在羟基化后的绝缘基板表面制备金属氧化物纳米层；S3：采用电流体喷印技术在表面覆有金属氧化物纳米层的绝缘基板表面打印获得高分辨率功能图案。本申请可解决在高绝缘性、非平面基板上电流体射流不稳定的难题，实现在平面或曲面绝缘基底上进行功能性图案的喷印制备。
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公开(公告)号：CN116380141A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310400542.7
申请日：2023-04-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D11/00 , B81C1/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01D21/02 , G01L1/22 , G01K7/22 , G01V3/00
Abstract: 本发明属于柔性电子传感器件相关技术领域，其公开了一种超分辨率原位多模态柔性传感网络及其制备方法与应用，包括多个阵列化布置的传感单元，传感网络包括相连接的下层基底、第一电极层、压敏薄膜、第二电极层、上层基底、引线、力学感知凸台及第三电极层；第三电极层分别与引线及第二电极层相连接；第一电极层设置有引脚A及B；第二电极层设置有引脚C及D；引线设置有引脚E；位于同一行的传感单元的引脚A、B、E分别共用，每行的引脚A、B整合后分别引出行标准接口A、B，引脚E整合后引出行标准接口E；同一列内的传感单元的引脚C及D分别共用，每行的引脚C及D整合后分别引出为列标准接口C及D。传感单元之间实现了简单整体互联。
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公开(公告)号：CN114905855B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210601841.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微结构制备领域，并具体公开了一种微圆周曲面共形敏感结构及其制备方法和装置，其如下步骤：S1、在微圆周曲面上制备一层疏水层，然后对微圆周表面进行图案化照射，得到可限制液滴滑移的图案化亲水区域，使待沉积区域亲水，非沉积区域疏水；S2、采用电流体喷印工艺在微圆周表面喷印液滴，液滴沉积到图案化亲水区域内；S3、对图案化亲水区域内沉积的液滴立即进行加热处理，使液滴中的溶剂蒸发，完成微圆周曲面共形敏感结构制备。本发明整合了精准定位限域加工位置、高精度高分辨率电喷印和快速烧结固化后处理的技术，实现在微圆周等高曲率表面上对传感器等共形敏感结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114734063B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202210426056.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性/曲面电子微纳制造相关技术领域，其公开了一种等离子体包轴输运与同步烧结的打印装置及方法，该打印装置包括墨水模块、等离子体射流模块、隔绝鞘气模块、该等离子体射流模块及该隔绝鞘气模块分别连接于该墨水模块；该墨水模块用于将打印用的液态金属墨水输送到喷嘴中，该等离子体射流模块用于放电产生等离子体射流，该隔绝鞘气模块用于产生隔离液态金属墨水和等离子体射流的鞘气气流；该墨水模块、该等离子体射流模块及该隔绝鞘气模块相互配合以实现等离子体射流自身局域动态强电场诱导电流体生成泰勒锥。本发明解决了复杂型面绝缘基板液态金属电路的打印成形难题，为柔性/曲面电子器件的高效共形喷印制造提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN115915882A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211429244.2
申请日：2022-11-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多光谱探测器及其制备方法，属于多光谱探测器技术领域。方法包括：S1，在基底上制备电极和沟道；S2，向单喷嘴多通道喷头其中一个通道中加入抗溶剂，其他通道中加入不同的钙钛矿溶液；S3，按照所需卤族元素比例调整每个通道的出墨比例，并将各通道流出的墨液在泰勒锥处预混合后沉积在指定沟道内；S4，重复步骤S3，直至所有沟道均被墨液沉积，从而得到具有不同光谱吸收特性的多光谱探测器。如此，本发明所得到的多光谱探测器的分辨率可达到亚微米级别，制备成单晶后具有更优异的性能，并且可精确定位，调控光谱范围，成本低，可实现小型化、柔性化和集成化。
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公开(公告)号：CN115861206A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211485978.2
申请日：2022-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T7/00 , G01P5/20 , G06T3/40 , G06N3/08 , G06N3/0464 , H04N23/951 , H04N23/45 , H04N23/55
Abstract: 本发明属于粒子图像测速领域，具体涉及一种用于粒子图像测速的图像成像方法及装置，包括：基于预先设置的多分幅相机内n个图像传感器的曝光时序，控制各图像传感器对流场目标位置进行单次图像采集，得到n帧低空间分辨率粒子图像；通过不同图像传感器分时曝光，控制所采集低空间分辨率粒子图像间的帧间间隔，实现高时间分辨率的图像采集；对多帧低空间分辨率粒子图像进行超分辨率重建，得到具有高时间分辨率的多帧高空间分辨率粒子图像，其中，每帧低空间分辨率粒子图像的重建采用包括该帧低空间分辨率粒子图像的多帧低空间分辨率粒子图像实现。本发明为提高大尺度全场高速PIV测量的精度和效率提供了一种高时间分辨率高空间分辨率图像的获取方法。
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公开(公告)号：CN115257185A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210643046.X
申请日：2022-06-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于喷墨打印相关技术领域，其公开了一种高黏度溶液电喷雾喷头装置，该喷头装置包括加热组件、壳体、进气塞、活塞、针头塞及针头，所述壳体设置在所述加热组件内，其相背的两端分别连接于所述进气塞及所述针头塞，该针头的一端设置在所述针头塞内，另一端凸出于所述针头塞；所述活塞活动地设置在所述壳体内；所述壳体包括圆筒状的基体及对称连接于所述基体的进气接头及进液接头，所述基体形成有第二收容腔，所述活塞活动地设置在所述第二收容腔内；所述进气接头、所述进液接头、所述进气塞、所述针头塞均与所述第二收容腔相连通，所述针头通过所述针头塞与所述第二收容腔相连通。本发明实现了电流体喷印技术和超临界流体技术的联合应用。
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公开(公告)号：CN114193937B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111311125.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体相关技术领域，其公开了一种剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备，该方法包括以下步骤：(1)将微型发光二极管(即μLED)阵列巨量转移到目标基板上且坏点未被转移；(2)电流体喷印头与单个微型发光二极管之间形成电场，并向对应的微型发光二极管喷印对应颜色的量子点溶液，进而实现微型发光二极管的全彩显示。本发明通过接通驱动电路使得UV‑μLED充当释放胶层的作用源从而实现转移，而未接通的坏点由于未产生紫外而将存留在胶层上，实现剔除坏点功能；同时，电流体喷印设备的喷头与单个芯片电极之间形成电场以实现自对准，解决了现有技术中巨量转移工艺复杂及全彩化像素分辨率限制、像素对准困难的问题。
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