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公开(公告)号：CN103280490B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310193772.7
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先，分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法，制备铝薄膜和非晶硅薄膜，通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间，叠层薄膜总厚度在100-400nm之间，能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺，与传统腐蚀工艺相比，不但可以移除退火后薄膜内的铝，还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法，能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103926260A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410126393.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种进行离子辐照实验的ECR-PECVD装置，该装置包括微波源、通电线圈、进气管、手持式红外测温仪、可视窗口、加热炉、抽真空管道、水冷管、样品、绝缘陶瓷片。设备的腔体上端附有通电线圈，为等气体电离提供磁场；在腔体的一侧设有进气管，底端设有抽气管道，另一侧设有可视窗口。ECR-PECVD设备在化学气上沉积方面有很大的应用，但经过改造后在面向等离子体材料的研究方面也能起到至关重要的作用。其中在样品上加负偏压在150V左右是束达到2x1020He·m-2·s-1，并能够在此参数下稳定长时间的工作；此设备在温度可控的条件下能够进行各种参数的调节，能够稳定的进行工作解决了低能高束流设备短缺的问题。
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公开(公告)号：CN103924241A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410147821.8
申请日：2014-04-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种大规模制备低表面应力的表面具备微纳结构的钨的方法，属于微纳加工技术领域。在经电解抛光的金属钨的表面通过纳米压印的方法制备微纳结构刻蚀掩膜，使得需要刻饰的部分裸露，其他部分则被掩膜；将处理后的金属钨用ICP刻蚀的方法对微纳结构掩膜后金属钨的表面进行刻蚀，使得微纳结构刻蚀掩膜中的裸露的钨表面被刻饰掉；将处理后的金属钨放在真空中进行退火，即可得到低表面应力的表面具备微纳结构的金属钨。
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公开(公告)号：CN103388134A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310308952.5
申请日：2013-07-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/517
Abstract: 容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀的薄膜的方法，涉及薄膜制备技术领域。将射频源与平行极板间的连接导线更换为较粗的连接导线或铜柱，即增加功率馈入端面积，从而使功率馈入端的面积大幅度增加，降低平行板电极间真空电势差分布的非均匀度。不需要购买和安装新的部件，不存在改良过程中很难实现的情况，它保证了改良方法的可行性，大大降低了改良的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569515B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210002294.2
申请日：2012-01-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/055 , B82Y20/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材。利用激光脉冲沉积方法，以硅片为衬底，通入O2，衬底温度为500～800℃，靶基距为6～8cm，工作气压为3～7Pa，激光能量为200～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光到近红外具有良好的减反陷光作用，且在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池表面的反射及热化效应，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103367466A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287057.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用，属于太阳能电池技术领域。硅纳米球的直径在100-1000nm之间，填充率在0.05-0.4之间；以填充率为0.09时的硅纳米球阵列为例，可以得出在可见光波段（300-850nm）内，SiNSA的反射率始终保持在0.4%以下，同时具有98%以上的高透过率，表现出优异的减反、陷光性能。这种太阳能电池表面新型陷光结构的应用将进一步提高陷光效果，有助于太阳能电池效率的提高。
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公开(公告)号：CN103213940A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310084326.2
申请日：2013-03-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于微纳米尺度使材料具有两种不同浸润性的方法，属于微纳薄膜技术领域。对基体进行清洗，并涂上光刻胶，制备微纳结构，进行真空镀膜，镀膜厚度几十纳米到几微米，镀膜后用丙酮清洗掉光刻胶，然后将其浸泡在全氟三乙氧基甲硅烷酒精溶液中，使得全氟三乙氧基甲硅烷进入原光刻胶的所在微纳结构中，拿出后用酒精清洗；用化学方法去除掉表面镀的镀膜，即在基体上得到微纳尺寸两种不同浸润性的表面。本发明可以通过微纳结构的尺寸和面积比例来调节宏观表面的浸润性。
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公开(公告)号：CN102157316B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110057064.1
申请日：2011-03-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了具有增强电子发射性能的薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极领域。本发明采用激光脉冲沉积系统，在保护气体下，依次在导电衬底上沉积一层具有表面突起形貌的半导体传导缓冲层，然后在半导体传导缓冲层上沉积一层半导体电子势垒层，再在半导体电子势垒层上沉积一层半导体电子势阱层，得到由导电衬底自下向上依次为半导体传导缓冲层、半导体电子势垒层和半导体电子势阱层的增强电子发射性能的薄膜场发射阴极。本发明的薄膜场发射阴极具有低阈值电场、高发射电流密度、电子发射稳定并兼具工艺简单、使用寿命长，制备工艺简单易行，不涉及复杂、昂贵的光刻技术及其相关设备。
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公开(公告)号：CN102226294B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110122078.7
申请日：2011-05-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10-5-1×10-2Pa；通入保护气体调整工作气压为1×10-2-1×101Pa，在脉冲频率5-15Hz、脉冲能量300-500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃-1000℃并进行沉积。本发明通过控制沉积温度从而控制GaN薄膜的晶体结构，获得了最优的场发射性能的结晶度及结晶取向，有效提高了GaN薄膜型场发射阴极的场发射性能。
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