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公开(公告)号：CN116314287A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211489324.7
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了二维半导体晶体管的轻掺杂漏(LDD)的制备方法及二维半导体晶体管，该方法包括：提供基底；形成半导体材料层；形成栅结构；进行第一次表面改性处理；形成第一固态活性源金属层和第一常规金属层；进行第一次退火处理，得到第一二维半金属材料层；形成栅结构的侧墙；进行第二次表面改性处理；形成第二固态活性源金属层和第二常规金属层；进行第二次退火处理，得到金属原子浓度大于第一二维半金属材料层的第二二维半金属材料层，光刻自对准形成源漏接触区，源漏接触区包括第二固态活性源金属层、第二常规金属层、第二二维半金属材料层和第一二维半金属材料层。该方法能够实现二维半导体轻掺杂漏结构的自对准工艺，兼容半导体加工工艺。
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公开(公告)号：CN116143552A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211490001.X
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: C04B41/90
Abstract: 本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料。
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公开(公告)号：CN115549591A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211285072.6
申请日：2022-10-20
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H03B5/12
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管场效应晶体管的压控振荡器，属于振荡器技术领域，该压控振荡器包括：包含n个延迟单元的延迟单元组和包含n个变容器单元的变容器单元组，延迟单元组的各个延迟单元形成反馈回路，延迟单元组的各单元的输出端分别通过对应的变容器单元组的各单元连接至控制电压Vctrl输出端，延迟单元组的各单元的供电端分别连接至VDD端；延迟单元组的各单元中相关器件与对应的变容器单元组的各单元共用金属电极。本申请可增大压控振荡器的调频范围，克服了传统的压控振荡器控制电压范围受限导致的调频问题，同时，可使压控振荡器具有更小的寄生延时，同时不损失器件的性能，克服了传统的压控振荡器的连线寄生冗余问题。
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公开(公告)号：CN115000299A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210217087.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管背面双栅场效应晶体管，包括：碳纳米管有源层，碳纳米管有源层作为场效应晶体管的沟道层；源电极，源电极设置在碳纳米管有源层的第一侧；漏电极，漏电极设置在碳纳米管有源层的第一侧，且源电极与漏电极沿第一方向间隔地设置；背面双栅结构，背面双栅结构设置在碳纳米管有源层的第二侧，背面双栅结构包括第一背栅电极以及第二背栅电极，第一背栅电极与第二背栅电极沿第一方向间隔地设置。本公开还提供了一种场效应晶体管制备方法。
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公开(公告)号：CN114709212A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210350334.6
申请日：2022-04-04
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
Abstract: 本发明公开了一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法。本发明的反馈式两端熔丝存储单元在传统的两端熔丝基础上，增加一个垂直的金属栅，并将栅极做在漏极一侧与漏极电连接，在漏端施加一个电压后，会同时产生一个横向的电压VDS和垂直方向的电压VGS，且两个电压大小相等，通过合理设计栅氧化层的厚度，可以使垂直方向上栅极到沟道的烧断先发生。垂直方向上的烧断是通过栅极到沟道的隧穿电流来实现的，该设计可以降低编程电压和编程电流，并实现温和低功耗。本发明利用电子束曝光和lift‑off工艺实现熔丝存储单元的制备，工艺简单，可实现大面积器件制备并节约工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764587A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010496825.2
申请日：2020-06-03
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L51/05 , H01L23/552 , H01L51/10 , H01L51/40
Abstract: 本公开提供了一种抗辐照碳纳米管晶体管，包括：抗辐照衬底；碳纳米管粘附层，碳纳米管粘附层形成在抗辐照衬底上；碳纳米管层，碳纳米管层形成在碳纳米管粘附层上，碳纳米管层作为沟道；以及栅介质，栅介质为至少在碳纳米管层的一部分上形成的聚合物离子液体凝胶。本公开还提供了抗辐照碳纳米管晶体管的制造方法以及集成电路系统。
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公开(公告)号：CN113764586A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010495375.5
申请日：2020-06-03
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种具有高κ或异质埋氧层的窄带隙半导体晶体管及其制备方法，该晶体管具有一衬底，其上具有一高κ或异质埋氧层，该高κ或异质埋氧层上具有一窄带隙半导体沟道层以及栅结构，该栅结构包括两侧墙以及位于其中的栅极，在栅结构两侧具有源极和漏极。本发明的晶体管实现优化半导体晶体管，尤其是窄带隙半导体晶体管能带分布的器件结构，通过调控漏端的能带，从而能够抑制关态电流和静态能耗，并且能够与产业化半导体工艺相兼容，能够实现大规模集成化制备。
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公开(公告)号：CN112420821B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011179036.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基材料的Y型栅结构，包括一碳基材料沟道层的衬底，在其上具有由栅金属栅根和栅金属栅帽组成的一体化栅金属结构，所述栅金属结构与所述碳基材料沟道层之间具有一第一高K栅介质层，所述栅金属栅帽下部具有第一宽度，其上部具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度，所述栅金属栅帽上部和下部之间形成有两个侧面，在所述侧面上分别包覆有第二高K栅介质层。同时还提出该Y型栅结构的制备方法，只须一次曝光即可形成自对准Y型栅结构，工艺简单，操作方便。本发明提出的基于碳基材料的Y型栅结构在降低栅电阻的同时，进一步降低寄生效应，可以提升碳基高速、高频器件性能。
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公开(公告)号：CN112838164A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911164876.9
申请日：2019-11-25
Applicant: 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法。该方法通过在衬底上形成的常规栅结构上沉积源漏接触金属层，然后在其上沉积层间介质层，并以接触金属层为停止层对层间介质层平坦化。随后通过回刻技术对层间介质层减薄，在接触区域上方保留层间介质层，将接触区域外的栅侧墙外壁和栅顶部的主栅电极金属层裸露出来，开窗定义源漏区和栅的图形总尺寸，并刻蚀掉其余的层间介质层，并以此作为自对准掩膜，刻蚀掉裸露的金属层。本方法实现了在保护源漏区域的情况下刻蚀掉侧墙和栅顶部的多余的金属。
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公开(公告)号：CN112420821A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011179036.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基材料的Y型栅结构，包括一碳基材料沟道层的衬底，在其上具有由栅金属栅根和栅金属栅帽组成的一体化栅金属结构，所述栅金属结构与所述碳基材料沟道层之间具有一第一高K栅介质层，所述栅金属栅帽下部具有第一宽度，其上部具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度，所述栅金属栅帽上部和下部之间形成有两个侧面，在所述侧面上分别包覆有第二高K栅介质层。同时还提出该Y型栅结构的制备方法，只须一次曝光即可形成自对准Y型栅结构，工艺简单，操作方便。本发明提出的基于碳基材料的Y型栅结构在降低栅电阻的同时，进一步降低寄生效应，可以提升碳基高速、高频器件性能。
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