公开(公告)号：CN102318152A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156981.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  盐谷阳平

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的Ⅲ族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。Ⅲ族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。

公开(公告)号：CN102099935A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201080001806.2

申请日：2010-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  住友隆道 ,  上野昌纪

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/12

Abstract: 提供一种向阱层注入载流子的效率提高的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件具备：由六方晶系氮化镓类半导体构成的基板(5)；设置于基板(5)的主面(S1)的n型氮化镓类半导体区域(7)；设置于该n型氮化镓类半导体区域(7)上的单一量子阱结构的发光层(11)；及设置于发光层(11)上的p型氮化镓类半导体区域(19)。发光层(11)设置于n型氮化镓类半导体区域(7)与p型氮化镓类半导体区域(19)之间，发光层(11)包含阱层(15)与势垒层(13)及势垒层(17)，阱层(15)为InGaN，主面(S1)沿着从与六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面(S5)延伸。

公开(公告)号：CN101192520B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710194088.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供一种半导体器件制造方法，从而以高成品率制造具有优异特性的半导体器件。该半导体器件制造方法包括：制备GaN衬底(10)的步骤，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长至少单层半导体层(20)以形成半导体器件(40)的步骤，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。

公开(公告)号：CN101330123B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810128693.7

申请日：2008-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  京野孝史 ,  善积祐介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物系半导体发光元件(11)，其中，p型AlYGa1-YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19比p型AlXGa1-XN层(15)的p型掺杂剂浓度Np15大，因此，p型掺杂剂从p型AlYGa1-YN层(19)向p型AlXGa1-XN层(15)扩散，且到达p型AlXGa1-XN层(15)和活性层(17)的界面附近。p型AlXGa1-XN层(15)和活性层(17)的界面附近的p型AlXGa1-XN层(15)中，p型掺杂剂的浓度分布曲线PF1Mg变得陡峭。另外，p型AlZGa1-ZN层(21)的p型掺杂剂浓度与p型AlYGa1-YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19被独立地规定。