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公开(公告)号：CN114785081A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210542197.6
申请日：2022-05-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种交替极串联磁路混合永磁记忆电机，包括：定子、混合永磁转子和不导磁转轴，定子包括定子轭、定子铁心齿、定子槽和电枢绕组；混合永磁转子包括转子铁心、V形槽、一字型槽、空气磁障、第一永磁体和第二永磁体。本发明的第一永磁体和第二永磁体构成串联磁路，有助于第二永磁体工作点提升，从而增强稳磁效果，且第二永磁体沿径向双向磁化，可实现气隙磁密的灵活调节；采用交替极设计，用铁心极代替一半的永磁磁极，在保持电机的转矩性能的同时，通过减小直轴永磁用量，有效减小电机的调磁电流；利用短时的电流脉冲进行调磁，几乎没有调磁铜耗，且低矫顽力永磁体可在线反复调磁，调磁控制与传统矢量控制类似，易于实现。
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公开(公告)号：CN112671297B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110043905.7
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法，在正常工况下，能够校正编码器引起的转子位置零位偏差；该方法在初始零位θ0，以及初始零位偏移位置θ1＝θ0‑Δθ、θ2＝θ0+Δθ处，施加id1充磁电流脉冲，并记录下各次充磁后的电机磁化状态，通过比较这三个磁化状态，判断出三者中最准确的零位并更新，重复上述过程，寻找出误差最小的零位，从而实现转子位置零位偏差的校正；该种方法利用记忆电机的调磁特性，可以在不改变工况的情况下在线校正转子位置零位偏差，操作简单。
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公开(公告)号：CN110391113B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910572159.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁接触器、线圈电流控制方法、装置，其中，所述方法包括：电磁接触器线圈中流过电流，带动触点处于闭合状态时，检测线圈电流值；当检测到所述线圈电流值处于持续下降状态时，减少输入线圈的线圈电压，以降低所述线圈电流值；调制线圈电压信号，维持线圈电流值处于稳定状态。采用上述方案，可以控制线圈电流值处于数值较小且稳定的状态，进而解决电磁接触器维持触点闭合状态的电流大、损耗高、且吸合不可靠问题。
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公开(公告)号：CN112671299A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110043890.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机调磁电流精确控制方法，包括调磁控制模块根据电机的实际角速度ωm，选择合适的磁化状态输出对应的梯形波d轴调磁电流脉冲idpulse进行调磁；设计dq轴前馈电流调节器，输出dq轴前馈补偿电压分量ufd和ufq；设计dq轴自抗扰电流控制器，补偿dq轴扰动电压分量udd和udq；前馈补偿电压与扰动电压分量之和为dq轴参考电压和相比基于PI控制的记忆电机交流调磁技术，本发明提高了电流轨迹的跟踪性能，可以做到无超调地快速跟踪，进而缩短了记忆电机调磁时间，降低转矩波动。
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公开(公告)号：CN110943665B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201911171595.6
申请日：2019-11-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有失控发电故障保护的直流调磁记忆电机控制方法及系统，方法包括：当电机角速度ωm小于基速ωb时，根据矢量控制策略控制三相逆变器，驱动直流调磁记忆电机运行；其中，该矢量控制策略会根据分段弱磁控制策略产生的d轴弱磁电流进行实时调节；当ωm大于ωb时，根据分段弱磁控制策略产生调磁电流给定值和并根据控制直流变换器产生调磁电流，实现调磁功能；当检测到失控发电故障时，将切换为灭磁电流给定值并根据产生灭磁电流，对直流调磁记忆电机永磁体进行灭磁，实现失控发电故障保护。本发明简单有效，可以提高记忆电机驱动系统的可靠性以及直流调磁绕组的利用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112213551A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011065295.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种提高永磁操动机构选相精度的方法，涉及高压真空断路器领域，包括正反相电网电压模拟信号经过跟随滤波，输入到电压比较器两端，根据比较器输出端的电平变化确定硬件过零中断时刻；采集正相电网电压的模拟信号，利用加权移动滤波进行软件过零预测；在硬件过零触发的中断函数中结合软件预测的零点进行最终零点判别；根据选相角度确定延时时间。所述方法中正反相电网信号比较可以消除硬件过零检测电路在处理电网模拟信号时的固有偏置，配合软件预测可以避免干扰信号引起的过零误动作，提高永磁操动机构选相的准确性。
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公开(公告)号：CN110323863B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910500942.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称混合磁极型永磁电机，包括内外套设且之间隔有气隙的定子和转子，该定子包括定子铁芯和三相电枢绕组，转子包括转子轭和沿周向均布于转子轭上的多个永磁单元结构，该永磁单元结构包括多层磁障结构、位于多层磁障结构外侧的一字型空气磁障，以及分别设置在多层磁障结构和一字型空气磁障内的内置式永磁体；其中多层磁障结构所对应的圆周角为αs，一字型空气磁障所对应的圆周角为βs，αs+βs＝90°。本发明在一定永磁体用量的前提下，运用永磁体的不对称分布使得永磁转矩和磁阻转矩分量可以在相近的电流角下达到最大值，提高转矩分量利用率，提高转矩输出能力。
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公开(公告)号：CN109194078B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811107064.6
申请日：2018-09-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双层永磁复合磁路记忆电机，包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴，混合永磁转子包括转子铁心，转子铁心的周向均布有若干双层永磁区，双层永磁区包括U型混合永磁结构和V型永磁结构，U型混合永磁结构包括第二高矫顽力和低矫顽力永磁体；V型永磁结构包括第一高矫顽力永磁体，其设置于U型混合永磁结构的开口内，U型混合永磁结构和V型永磁结构的开口朝向定子，低矫顽力永磁体与第二高矫顽力永磁体呈并联磁路，与第一高矫顽力永磁体呈串联磁路。本发明结合了并联磁路型与串联磁路型记忆电机两方面的优势，可实现电机转矩密度的提高，避免了低矫顽力永磁负载退磁的问题，并进一步拓宽电机的调速范围和高效率运行区间。
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公开(公告)号：CN110943665A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911171595.6
申请日：2019-11-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有失控发电故障保护的直流调磁记忆电机控制方法及系统，方法包括：当电机角速度ωm小于基速ωb时，根据矢量控制策略控制三相逆变器，驱动直流调磁记忆电机运行；其中，该矢量控制策略会根据分段弱磁控制策略产生的d轴弱磁电流 进行实时调节；当ωm大于ωb时，根据分段弱磁控制策略产生调磁电流给定值 和 并根据控制直流变换器产生调磁电流，实现调磁功能；当检测到失控发电故障时，将 切换为灭磁电流给定值 并根据 产生灭磁电流，对直流调磁记忆电机永磁体进行灭磁，实现失控发电故障保护。本发明简单有效，可以提高记忆电机驱动系统的可靠性以及直流调磁绕组的利用效率。
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公开(公告)号：CN110829770A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911016371.8
申请日：2019-10-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有不对称定子极的混合励磁型磁通反向电机，包括定子、转子、三相电枢绕组、单相励磁绕组和不导磁转轴，转子包括转子齿和转子轭，转子轭固定在不导磁转轴上，转子齿沿转子轭周向均匀设置，定子位于转子的转子齿外部，与转子齿之间有一点间隙，定子包括定子轭、定子电枢齿、定子励磁齿和永磁体，定子电枢齿和定子励磁齿沿定子周向交替设置，且每个定子电枢齿下端位于定子电枢齿铁心两侧设有两块同极性的永磁体，三相电枢绕组缠绕于定子电枢齿上，单相励磁绕组缠绕于定子励磁齿上。本发明采用双凸极结构，结构简单，鲁棒性强，适合交流无刷运行，同时混合励磁的引入实现了气隙磁通的可调，提升了电机的转速范围。
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