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公开(公告)号：CN103560967A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310488026.0
申请日：2013-10-17
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H04L12/753 , H04L12/773 , H04L12/877
Abstract: 本发明公开了一种业务需求感知的虚拟数据中心映射方法，数据中心网络采用胖树结构，当用户发起虚拟数据中心映射请求时，首先从所有物理主机中筛选出剩余资源容量满足虚拟机中最大物理主机资源需求的作为可用物理主机，将交换机组和机架按照可用物理主机数进行降序排列，选择链路资源需求最大的虚拟机，在物理主机中依次尝试映射，映射成功后再选择已映射虚拟机与未映射虚拟机之间链路资源需求最大的虚拟链路，选择其对应的未映射虚拟机，依次在与对应已映射虚拟机所在物理主机相同机架、相同交换组、全数据中心网络中物理主机中尝试映射，所有虚拟机映射完毕后，再进行虚拟链路映射。本发明可以实现低网络成本的虚拟数据中心映射。
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公开(公告)号：CN102544114B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210049361.6
申请日：2012-02-29
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/861 , H01L29/40
Abstract: 一种积累型槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N+衬底，N+衬底背面的金属化阴极，N+衬底正面的N-漂移区；N-漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和二氧化硅栅氧化层；N-漂移区顶部两侧分别具有两个N型重掺杂区，两个N型重掺杂区之间具有一个P型重掺杂区；在P型重掺杂区正下方具有P型埋层区；在P型埋层区和P型重掺杂区之间具有若干间隔分布的P型柱区。P型埋层区、N型重掺杂区、二氧化硅栅氧层三者之间形成载流子积累区A。本发明通过引入一个P型埋层区，使得器件在不影响反向击穿电压和反向泄露电流的情况下，具有更小的导通压降、更短的反向恢复时间和极低的反向恢复峰值电流。
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公开(公告)号：CN102214678B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201110128037.9
申请日：2011-05-18
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明在功率半导体器件的结终端耐压区（即：与器件有源区相连的P型重掺杂区(12)和结终端远端的N型重掺杂电场截止环(17)之间的N层(16)）的顶部引入一层P型掺杂层(19)，内部引入若干P型掺杂环(21)；在P型掺杂层(19)中还可引入均匀分布的N型掺杂区(20)，在结终端结构中还可引入位于P型掺杂层(19)中并延伸入P型掺杂环(21)内部的介质凹槽。本发明能够提高器件结终端单位长度的耐压，缩小终端的面积，降低器件的正向导通损耗；表面相对于漂移区较高的掺杂浓度有助于减小界面电荷对终端击穿电压的不利影响，并提高终端抗钝化层界面电荷的能力。
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公开(公告)号：CN103425849A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310396034.2
申请日：2013-09-04
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明是基于物理的方式来模拟动态障碍物影响下流体行为的仿真技术。通过在GPU上依次计算流体动力学方程（Navier-Stokes方程）中的平流项、外力项和压力项，更新流体的速度、压力等物理量，完成流体的仿真计算。在对压力项进行计算时，考虑流体与障碍物之间的相互影响，依据障碍物的拉格朗日运动方程和流体的不可压缩条件建立流体与障碍物之间的耦合线性方程，通过求解此线性方程更新压力项。由于流体的仿真计算是在GPU中实现的，而障碍物的模拟是在CPU中执行的，为了实现流体与障碍物的耦合，本发明在仿真过程中对动态障碍物执行体素化过程，将其映射到流体的仿真网格上，通过CPU与GPU相结合完成流体压力的计算。
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公开(公告)号：CN103395307A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310322790.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种片式电子元器件内部电极的制备方法，主要包括：在暗室中，用负性感光导电金属浆料印刷初步内电极图形，然后在掩膜板作用下，将印刷的初步内电极图形按目标内电极图形要求要求曝光固化，再经过与负性感光导电金属浆料匹配的显影液显影，用溶剂清除精细电极图形之外的电极轮廓，保留已经固化的目标内电极图形，经干燥后完成内电极制备。本发明在采用传统丝网印刷工艺制作元器件内电极的基础上，利用负性感光导电金属浆料对特定波长光的敏感性，再通过曝光显影的方式，将目标内电极图形精细地刻画出来，以达到小尺寸电子元器件内部电极图形设计的要求，够制备出线宽精度更高的内电极，适用于英制0201、01005或更小尺寸元件内电极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102364688B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110351748.2
申请日：2011-11-09
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括金属化漏极1、N+衬底2、N-漂移区3、深P体区5、N型重掺杂源区6、P型重掺杂区7、N型埋层沟道8、P型外延层9、栅氧化层10、多晶硅栅电极11和金属化源极12。该垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管在导通时通过两个沟道的共同导电机制，大大减小器件的导通电阻；在阻断时通过P+N结势垒对沟道的电场屏蔽，实现较高的耐压水平，达到1000V以上。
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公开(公告)号：CN103296949A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310233148.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 , 东莞市天楠光电科技有限公司
IPC: H02P7/29
Abstract: 本发明公开了一种直流电动机单片机驱动方法，还公开了一种实施该方法的驱动系统，其包括单片机、LED显示模块、按键设置模块、PWM信号发生电路、输出缓冲电路和速度采集模块；本发明提供的控制方法以单片机系统为依托，根据PWM调速的基本原理，以直流电动机电枢上电压的占空比来改变平均电压的大小，从而控制电动机的转速，实现对直流电动机的平滑调速，并通过单片机控制速度的变化；本发明提供的驱动系统，整体电路设计简单、合理，巧妙结合单片机技术，使得许多控制功能及算法可以采用软件技术来完成，为直流电动机的控制提供了更大的灵活性，并使系统能达到更高的性能，同时可以节约人力资源和降低系统成本，从而有效的提高工作效率。
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公开(公告)号：CN102354606B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110290900.0
申请日：2011-09-24
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法，它下述步骤：先将导电玻璃基片清洗干净后，放入去离子水中静置待用；接着将导电玻璃基片放入由纯氟钛酸铵(NH4)2TiF6、硼酸H3BO3和聚乙二醇PEG-400混合的反应液中，沉积若干小时后取出，用去离子水冲洗干净，室温下吹干；然后烧结半小时后取出；最后将含有二氧化钛薄膜导电玻璃基片浸泡的染料N719中，若干小时后取出晾干，即可形成染料敏化太阳能电池光阳极。本发明染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法具有简便易行、对基底无限制、安全性较高、且适于大批量工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN102942216A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210498118.2
申请日：2012-11-29
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化锡纳米粉体的制备方法，包括如下步骤：第一步，采用四氯化锡或硝酸锡或二氯化锡为原料，将其溶解于去离子水中，水解形成氢氧化锡溶胶，配置的四氯化锡、硝酸锡、二氯化锡溶胶的浓度在0.1～1mol/L；第二步，烘箱加热生成沉淀或凝胶形式的前驱体；第三步，沉淀或凝胶的前驱体烧结时间1～5h，烧结温度300-600℃，尾气经氨水过滤排出即可得到氧化锡粉体。本发明氧化锡纳米粉体的制备方法具有工艺简单、生产周期短、成本低廉、非常适合大规模生产等有益效果。
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公开(公告)号：CN102186084A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110154629.8
申请日：2011-06-07
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H04N7/26
Abstract: 本发明公开了一种可伸缩视频编码的空间增强层码率控制实现方法，包括以下步骤：自适应对第一个编码的I、P、B帧设定初始量化参数QP值；根据实际编码比特数计算各帧的编码复杂度以及各帧的MAD值；编码完一个图像组GOP之后，根据整个GOP的实际编码比特数和各帧的编码复杂度及各帧所处的时间等级和空间等级，计算该时空等级上图像帧所占的权重；对关键帧，利用分配的比特数和二次R-D模型，计算量化参数，进行编码，对非关键帧，由离此非关键帧最近的两个关键帧的QP及其所属的时域等级决定其QP。本发明可伸缩视频编码的空间增强层码率控制实现方法可以实现可伸缩视频编码的空域增强层的码率控制，弥补其只有基本层码率控制的缺陷。
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