公开(公告)号：CN114133243A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111551146.1

申请日：2021-12-17

申请人： 中国船舶重工集团公司第七一五研究所

发明人： 吴凡 ,  盖学周 ,  汪跃群

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/00 ,  C04B41/51 ,  C04B41/88 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

摘要： 本发明公开了一种高介电常数高压电应变发射型压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷制造技术领域。该压电陶瓷材料的组成可由下列化学通式来表示：Pb1‑xSrx[(Mg1/3Nb2/3)a(Zn1/3Nb2/3)b(ZryTi1‑y)1‑a‑b]O3+mwt％Fe2O3，其中0≤x≤0.10，0.50≤y≤0.54，0.01≤a≤0.12,0.02≤a+b≤0.25,0≤m≤0.07。制备出的压电陶瓷材料具有高介电常数(εr3T＝1800～2200)、高压电应变系数(3KV/mm电场下应变值Strain＝0.19％～0.22％，动态压电应变系数d*33`＝690±40pm/V)等优势,是一种综合性能优良的发射型压电陶瓷材料，能够满足发射换能器对压电陶瓷材料性能的多样化需求，在水声以及国防工业等领域将得到广泛应用。

公开(公告)号：CN114031398A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111370621.5

申请日：2021-11-18

申请人： 厦门乃尔电子有限公司

发明人： 姜旭宇 ,  余洋 ,  王海圣 ,  刘瑞林 ,  柯银鸿 ,  翁新全 ,  许静玲

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01L41/187

摘要： 本发明公开了一种复合体系高压电、低损耗的压电陶瓷及其制备方法，它涉及压电陶瓷技术领域，在锆钛酸铅体系中引入具有钙钛矿结构锆镍酸铋Bi(Ni1/2Zr1/2)O3和铌锌酸铅Pb(Zn1/3Nb2/3)O3与锆钛酸铅形成复合体系的钙钛矿结构的固溶体；其配方分子式为：xBi(Zr1/2Ni1/2)O3‑(0.1‑x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3‑0.9Pb(Zr0.51Ti0.49)O3+y％CeO2。采用上述技术方案后，本发明能够降低介电损耗、具有优异的压电常数，压电性能优异，在低噪音要求领域具有高实用价值。

公开(公告)号：CN113904585A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110994663.X

申请日：2021-08-27

申请人： 成都汇通西电电子有限公司

发明人： 张博 ,  阴伏星 ,  蔡东 ,  李佳 ,  严伟

IPC分类号： H02N2/02 ,  H02N2/04 ,  C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

摘要： 本发明公开了一种阵列致动器结构，包括：陶瓷基块，阵列设置在陶瓷基块上的若干压电巴块，压电巴块与陶瓷基块一体成型，阵列致动器的正面印刷电极正极，阵列致动器的底面印刷电极正极与负极，阵列致动器的背面印刷电极负极，正面印刷的电极正极与背面印刷的电极负极，分别与底面印刷的电极正极与负极连通；压电巴块内设有错位印刷的内电极层，所述内电极层分别与阵列致动器的正面印刷的电极正极、阵列致动器的背面印刷的电极负极连接。该阵列致动器的制备工艺包括：流延工艺、印叠工艺、等静压工艺、切割工艺、排胶烧结、印刷外电极、等步骤。利用该工艺制备的阵列致动器，产品一致性好，工艺简单。

公开(公告)号：CN110642621B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201910999740.3

申请日：2019-10-21

申请人： 湖南云天雾化科技有限公司

发明人： 何龙 ,  施小罗 ,  范文筹 ,  刘志潜 ,  刘宗玉

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  A24F40/05 ,  A24F40/40 ,  A24F40/70

摘要： 本发明公开了一种高性能用于电子烟油雾化的压电陶瓷，其主要成分包括99.7wt％铌锡‑锆钛酸铅三元系材料及O.3wt％的微量杂质，铌锡‑锆钛酸铅三元系材料的化学通式为Pb(1‑x‑y)BaxCay[(Sn1/3Nb2/3)(1‑m‑n)ZrmTin]O3；其中所述化学通式中：x＝O.O1～O.O7；y＝O.O1～O.O7；m＝O.4O～O.48；n＝‑O.45～O.49。本发明材料压电陶瓷材料具有较高的压电应变常数d33和机电耦合系数kp，适中的机械品质因数和介质损耗，是一种高性能的压电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN113716958A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111040469.4

申请日：2021-09-06

申请人： 无锡邦能超声科技有限公司

发明人： 曹志强

IPC分类号： C04B35/493 ,  H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种压电陶瓷材料及高机电转换效率的换能器，由以下化学结构式表示：PbxBa1‑x(Zr0.52Ti0.48)y(Zn0.5Nb0.5)1‑yO3‑awt％Fe2O3‑bwt％SnO2‑cwt％LiFx、y表示摩尔比；a、b、c分别表示Fe2O3、SnO2、LiF占PbxBa1‑x(Zr0.52Ti0.48)y(Zn0.5Nb0.5)1‑yO3的质量百分数；x为0.85‑0.99，y为0.85‑0.99；a为4‑8，b为0.4‑1，c为0.01‑0.05，本发明所制备的压电陶瓷材料具有优越的压电性能，作为换能器的重要组件使用，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN111606707B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202010505272.2

申请日：2020-06-05

申请人： 江苏波速传感器有限公司

发明人： 余方云 ,  李红元 ,  张秀琴 ,  刘如峰 ,  龙阳 ,  邱俊

IPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  C04B41/80

摘要： 本发明公开一种容温稳定性压电陶瓷材料以及制备方法，该压电陶瓷材料的组成为xPb(Yb0.5Nb0.5)O3(1‑x)Pb(Zr0.49Ti0.51)O3+ywt％Ba1‑c‑dSrcMgdSnaZrbTi1‑a‑bO3，其中，x的取值范围为0.02～0.05，y的取值范围为0.5～3，a的取值范围为0.05～0.15，b的取值范围为0.05～0.1，c的取值范围为0.01～0.05，d的取值范围为0.01～0.05。本发明通过在压电陶瓷本体配方中掺杂介电常数随温度升高而降低的组分，以降低压电陶瓷材料介电常数随温度的变化率，制作成本低，易于实现批量生产的容温稳定的压电陶瓷。

公开(公告)号：CN111995428B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202010854941.7

申请日：2020-08-24

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 聂恒昌 ,  董显林 ,  王根水

IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开一种组合孔结构PZT95/5铁电陶瓷及其制备方法。所述组合孔结构PZT95/5铁电陶瓷包括PZT95/5铁电陶瓷基体和分布于所述PZT95/5铁电陶瓷基体中的、由位于PZT95/5晶粒内部的晶内微孔和位于PZT95/5晶粒之间的晶界气孔构成的组合孔结构；其中，组合孔结构的总孔隙率在20%以内，优选为5‑10%。晶界气孔的引入可以提高PZT95/5铁电陶瓷的抗冲击性能，晶内微孔的引入用于改善剩余极化强度等电学性能，将两种微孔结构进行组合后可以显著提升PZT95/5铁电陶瓷抗冲击和耐电压性能。

公开(公告)号：CN112960981A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110493437.3

申请日：2021-05-07

申请人： 重庆文理学院

发明人： 唐华 ,  程江 ,  李璐

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

摘要： 一种镧、锡掺杂的锆钛酸铅陶瓷材料的制备方法，化学式为Pb1‑3x/2Lax[(Zr1‑ySny)zTi1‑z]O3，其中0.02＜x＜0.06、0.1＜y＜0.2、0.06＜z＜0.2，根据化学组成比例，称取氧化物原料，和占氧化物原料0.01~1%的玻璃Al‑Na‑SiO2进行球磨、预烧、二次球磨、排粘和烧结；二次球磨是预烧后的块体粉碎后加入块体质量的10% 的浓度为5wt%PVA溶液，将转速升至300rpm球磨2h，然后将转速降至200rpm球磨1h，最后降至120~150rpm球磨2h，造粒后过60目筛本发明制备的镧、锡掺杂的锆钛酸铅（PLZST）陶瓷块体材料缺陷少、微观组织结构致密性优异，密度达到10g·cm‑3以上；烧结温度从原来的1250℃以上降低至1180℃一下，陶瓷性能稳定，在提高储能密度的同时，降低了介电损耗，在AC电源工作电压500V到3000V下工作性能稳定。

公开(公告)号：CN112457008A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011403196.0

申请日：2020-12-04

申请人： 中国船舶重工集团公司第七一五研究所

发明人： 李伟 ,  盖学周

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622

摘要： 本发明描述了一种大应变压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件制造技术领域。该压电陶瓷材料的化学通式为：Pb1‑xSrx[(Ni1/3Nb2/3)0.3(ZryTi1‑y)0.695]O3+z wt％Sb2O3，其中0≤x≤0.015，0.42≤y≤0.44，0≤z≤1.5。该压电陶瓷材料是采用电子陶瓷制备工艺，在PZT二元系的基础上进行多元复合并掺杂改性得到的，具有较高的介电常数(ε33T/ε0＝3800±12.5％)、压电应变系数(d33＝660±15％pC/N)和机电耦合系数(kp＝0.66±6.0％)。其主要应用于微位移驱动器，在一定电场强度下能产生较高的应变，有效提高器件的可靠性及优化后端装备，提高激光器的稳频效果，在电子信息技术、航空航天以及国防工业等领域将得到广泛应用。

公开(公告)号：CN112457007A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011396457.0

申请日：2020-12-03

申请人： 常州大学

发明人： 李坤 ,  包国翠 ,  李政

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

摘要： 本发明涉及超声换能器、超声传感器领域。具体涉及一种预合成双晶相混合共烧制备高性能压电陶瓷的方法。本发明先选取目标组成，利用相平衡计算方法的杠杆原理，选取其准同型相界两侧晶相所对应的化学成份，再研磨到合适的粒径，然后将其混合烧结，制备出两种晶相占比可控的压电陶瓷。该方法制造的压电陶瓷具有比传统方法制造的陶瓷更高的压电性能。工艺的重复性更好，也能较好的控制焦绿石相的产生，从而保证了产品压电性能的稳定性。