一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法

    公开(公告)号:CN114611277B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202210185446.0

    申请日:2022-02-28

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法,包括以下步骤:1)对六相逆变器中SiC MOSFET的暂态开关过程进行建模,得到SiC MOSFET在暂态开关过程中的栅源电压ugs;2)建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型;3)建立六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型;4)根据六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型,计算出六相逆变器的差模电压和共模干扰电压。本发明基于SiC MOSFET暂态开关函数的建模方法,物理概念清晰,计算方法简单,能对六相逆变器电磁干扰源进行建模表征源头。

    共面型阵列柔性整流天线以及载体共形结构

    公开(公告)号:CN114759365B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202210363782.X

    申请日:2022-04-07

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种共面型阵列柔性整流天线,包括柔性基板和金属地板,其还包括共面贴覆在所述柔性基板正表面的辐射贴片和整流电路,所述辐射贴片呈拓扑结构式阵列分布。本发明还公开了一种天线的载体共形结构,其包括呈圆柱形的载体,所述天线与载体的圆柱面共形。本发明的辐射贴片阵列与整流电路共面并通过微带馈线和整流电路直接相连的方式实现共轭匹配设计,相对于传统刚性高频板材天线具有低成本、低剖面、易加工、可卷曲、可延展、结构灵活的优点,方便与载体共形和野外使用,可应用于微波无线能量传输和可穿戴能量收集等领域。

    一种微波无线输能系统和移动输能装置

    公开(公告)号:CN118100470A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410221772.1

    申请日:2024-02-28

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种微波无线输能系统和移动输能装置,所述系统包括:定位定向模块、控制模块、伺服转台和发射相控阵模块;所述定位定向模块用于获取受能端的位置;所述控制模块用于接收从所述定位定向模块得到的受能端的位置,并发送给所述伺服转台;所述伺服转台根据所述受能端的位置,得到转动角度,实现与受能端的对准;所述发射相控阵模块用于向对准的受能端进行供能,所述改装车用于承载定位定向模块、控制模块、伺服转台和发射相控阵模块,对移动的受能端进行供能。本发明使用GPS模块、方向回溯技术和光电追踪技术,能够精确定位运动受能端位置,配合相控阵发射天线最终实现对移动目标进行动态跟踪供能。

    一种实现偏振角探测的微波功率探测器

    公开(公告)号:CN117110723A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310661002.4

    申请日:2023-06-06

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种实现偏振角探测的微波功率探测器,其包括若干探测单元,所述探测单元包括金属谐振器、电介质层、金属背板和负载电阻,所述金属谐振器设置在所述电介质层的表面上,所述金属背板设置于所述电介质层的背面上;所述超表面金属盘接收电磁波而产生谐振电流经负载电阻生热,通过建立入射波功率密度和/或线偏振角与负载电阻的温度之间的映射关系来实现对入射电磁波的检测。本发明结构简单,能同时对入射波功率密度和偏振状态进行直接探测,能适应大面积微波功率和偏振信息的探测需求。

    一种多沟道GaN肖特基二极管及其在微波整流电路中的应用

    公开(公告)号:CN116682865A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310713743.2

    申请日:2023-06-16

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种多沟道GaN肖特基二极管,包括周期性多沟道结构,该周期性多沟道结构与衬底之间设置有缓冲层,所述周期性多沟道结构的一端设置有阴极,所述周期性多沟道结构的另一端设置有阳极,所述阳极沿所述周期性多沟道结构的上表面方向延伸出上场板和下场板,所述下场板与周期性多沟道结构的上表面之间设置有下钝化层,所述上场板与该下钝化层之间设置有上钝化层。本发明采用双层场板混合钝化层结构来提高多沟道GaN肖特基二极管的击穿电压;以及采用氧化镓(Ga2O3)作为背势垒材料来减小多沟道GaN肖特基二极管的反向泄漏电流。

    基于液态金属电路的双频一次性转换防伪标签及方法

    公开(公告)号:CN114912561A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210416604.9

    申请日:2022-04-20

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于液态金属电路的双频一次性转换防伪标签及方法,包括从上到下设置的第一天线层、柔性材料隔离层、第二天线层,柔性材料隔离层中部设有空气通孔,第一天线层底部设有凸起,第二天线层上表面设有与凸起适配的容纳凹槽,凸起穿过空气通孔插入容纳凹槽中,空气通孔的两端各设有一块非焦耳磁致伸缩磁片,在非焦耳磁致伸缩磁片与凸起之间设有由液态金属制成的RFID超高频天线,在容纳凹槽底部设有电路凹槽,电路凹槽的形状与NFC高频天线的形状相适应,RFID超高频天线与双频模块连接。本发明的标签采用液态金属制作天线,并有非焦耳磁致伸缩磁铁为驱动的双频段天线一次性转化功能,实现标签在产品不同时期的多功能运用。

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