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公开(公告)号：CN109212402A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811156093.1
申请日：2018-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种发光二极管内量子效率测量方法，包括测量发光二极管在小电流区域的伏安特性曲线；利用发光二极管在该小电流区域的伏安特性曲线及该发光二极管发光特性，针对发光二极管的材料类型确定相应的模型及其载流子输运规律，对伏安特性曲线进行曲线拟合，得到辐射复合与非辐射复合的参数，进而得到该小电流区域上发光二极管的内量子效率；测量该发光二极管全电流区间的外量子效率，根据小电流区域的外量子效率和内量子效率，确定外量子效率和内量子效率的比值；根据全电流区间的外量子效率，除以光提取效率，得到全电流区间的内量子效率。通过本发明的小电流区域测量的光提取效率，可扩展在全电流区间，容易求出全电流区间的内量子效率。
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公开(公告)号：CN108899380A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810593100.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本公开提出了一种红外半导体雪崩探测器及其制备方法，其中，所述红外半导体雪崩探测器包括：GaN/AlN超晶格倍增结构及在该GaN/AlN超晶格倍增结构上的窄禁带半导体吸收结构；其中，所述GaN/AlN超晶格倍增结构与所述窄禁带半导体吸收结构键合连接。本公开红外半导体雪崩探测器及其制备方法，提高了电子空穴的离化系数比，实现了电子的单极离化，降低了过剩噪声，并具有高增益。
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公开(公告)号：CN108169979A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711401900.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种用于栅瓣压缩的光学相控阵，由N个相控阵单元组成，N个相控阵单元在平面上排布为圆环形，N为自然数；每个相控阵单元包括1个用于调节该相控阵单元附加相位的相位调制器和1个用于调节场强幅度的注入锁定激光器；所述相位调制器的第一端朝向圆环形圆心的外侧具有波导发射单元；所述相位调制器的第二端朝向圆环形圆心的内侧波导连接有所述注入锁定激光器。采用本发明实现了对栅瓣强度的压缩。
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公开(公告)号：CN107768461A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610686153.5
申请日：2016-08-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/102
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/102
Abstract: 本发明实施例公开了一种内嵌重掺杂光栅的半导体红外探测器。该半导体红外探测器包括：衬底；在所述衬底上依次生长的下电极层、多量子阱有源层、以及上电极层；在所述衬底上还生长有重掺杂光栅层，所述重掺杂光栅层生长在所述上电极层和所述多量子阱有源层之间，或者所述多量子阱有源层和所述下电极层之间；在所述衬底上还生长有过渡层，所述过渡层生长在所述重掺杂光栅层和所述多量子阱有源层之间。本发明实施例通过在多量子阱有源层和下电极层之间，或者多量子阱有源层和上电极层之间设置重掺杂光栅层，以使得入射光与重掺杂光栅层中的电子相互作用并在光栅层界面形成等离激元，从而在多量子阱有源层内形成局域增强的光场，进而提高探测器有源区的吸收效率。
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公开(公告)号：CN107342344A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710557299.4
申请日：2017-07-10
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种紫外雪崩探测器及其制备方法，该探测器为nipip结构，自衬底从下向上依次包括：p型层、i型光敏吸收层、p型过渡层、i型雪崩层、n型层；所述n型层上设置有n型欧姆电极，所述p型层上设置有p型欧姆电极；所述p型层为接收入射光的结构层所述衬底为可透光的衬底。由于本发明提供一种新的nipip结构，将衬底设置为可透光材料，因此紫外光可以从背部入射，穿过衬底来进行探测工作。后续在进行集成时，探测器阵列与其上的读出电路通过铟柱连接时，并不影响紫外光的探测工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409968A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611025249.3
申请日：2014-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种AlGaN基超晶格雪崩型紫外探测器，所述AlGaN基超晶格雪崩型紫外探测器包括衬底，所述衬底上依次设有n型层、i型超晶格倍增层、i型光敏吸收层和p型层；所述n型层上设有n型欧姆电极，所述p型层上设有p型欧姆电极；所述i型超晶格倍增层为AlN/GaN超晶格。本发明提供的紫外探测器，不但具有体积小易于集成的优点，更为重要的是还具有线性可控、高增益和低噪声的优点。
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公开(公告)号：CN103806093B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410053424.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 清华大学
IPC: C30B25/08 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提出一种基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法，该装置包括：真空反应腔；样品台，样品台位于真空反应腔的底部并绕中心点旋转；ICP激发单元，ICP激发单元位于真空反应腔的顶部；具有第一进气口的第一气路，用于向真空反应腔通入第一气态反应源；具有第二进气口的第二气路，用于向真空反应腔通入第二气态反应源；其中，ICP激发单元用于激发第一气态反应源和第二气态反应源电离分解，样品台可加热以将第一气态反应源和第二气态反应源热裂解，以进行外延生长。本发明的外延生长装置及方法具有生长温度低的优点。
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公开(公告)号：CN105997342A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610537333.7
申请日：2016-07-08
Applicant: 清华大学
CPC classification number: A61F9/08 , A61F2/14 , A61N1/36046
Abstract: 本发明公开了一种视网膜内膜的视觉假体，包含体外控制器、体外连接电缆、体外发射天线、体内接收器、体内连接电缆和视觉刺激芯片，视觉刺激芯片为光敏芯片，放置在视网膜内膜，产生的电信号直接刺激视网膜内膜的视神经细胞。本发明具有直接并行刺激视神经细胞、无需额外电信号转换、可弯曲延展、与人眼原有的光学系统兼容性较好等优点。
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公开(公告)号：CN105742449A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610199036.6
申请日：2016-04-01
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的电极制备方法，其包括以下步骤：提供一半导体外延片，该半导体外延片包括欧姆接触层；在所述欧姆接触层的表面沉积一层氧化后可透明导电的金属薄膜，其中，沉积该金属薄膜时，所述半导体外延片的温度为室温；以及在含氧环境中对所述金属薄膜进行退火形成一透明导电且表面粗糙的电极层。本发明提供的发光二极管的电极制备方法，在室温下沉积金属薄膜，不仅节约能源，而且沉积金属薄膜时设备的真空度容易维持，有利于图形电极的制备，从而降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN105648523A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610119138.2
申请日：2016-03-02
Applicant: 清华大学
IPC: C30B25/08 , C23C16/513
CPC classification number: C30B25/08 , C23C16/513
Abstract: 本发明提出一种等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置，包括：真空反应腔；样品台，可旋转，位于真空反应腔的底部；等离子体激发单元，位于真空反应腔的顶部；隔板，将真空室沿垂直方向分成两个腔室；第一气路和第二气路，用于向两个腔室分别通入第一类气态反应源和第二类气态反应源；其中，等离子体激发单元用于激发第一气态类反应源和第二类气态反应源电离分解，隔板防止两类气态反应源在衬底以外的表面发生预反应，旋转样品台形成外延生长所需要的层流，并让样品表面交替吸附第一类、第二类气态反应源分解形成的原子。本发明的外延生长装置具有生长温度不受限于气态反应源分解温度、适合于大面积廉价衬底的优点。
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