强磁性TiO2半导体材料、制备方法、自旋电子器件

    公开(公告)号:CN105590838B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201510984282.8

    申请日:2015-12-25

    Abstract: 本发明涉及材料领域,尤其涉及一种强磁性TiO2半导体材料,包括衬底和设置在衬底上的TiO2层;所述TiO2层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列;所述TiO2层的纳米颗粒大小3~5 nm。该材料制备方法包括:清洗衬底;在硅衬底形成单层胶体晶体模板;浸泡在前驱体溶液中;取出后浸入二氯甲烷中,溶解掉聚苯乙烯模板,形成蜂窝状结构的TiO2纳米阵列材料。本发明以单层胶体晶体为模板,结合溶液浸渍法成功制备出形貌均一,周期性排列的蜂窝状TiO2纳米结构阵列,该材料在室温下显现出较强的铁磁性。本发明可促进TiO2稀磁半导体材料在新型自旋电子器件领域的应用。

    一种Fe掺Ni3S2Ni2PNi12P5复合物的制备方法

    公开(公告)号:CN114182291B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202111586708.6

    申请日:2021-12-23

    Applicant: 台州学院

    Abstract: 本发明公开了一种Fe掺杂Ni3S2/Ni2P/Ni12P5复合物,具有蘑菇状形貌,蘑菇伞的直径为1至4微米,蘑菇柄的直径为100至200纳米,蘑菇柄的长度为1至1.5微米,具有优异的电催化析氢性能。本发明还公开了一种制备所述蘑菇状的Fe掺Ni3S2/Ni2P/Ni12P5复合物的方法,包括截取泡沫镍、清洗干燥、掺杂处理、水热反应、磷化处理等步骤。

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