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公开(公告)号:CN105590838B
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201510984282.8
申请日:2015-12-25
Abstract: 本发明涉及材料领域,尤其涉及一种强磁性TiO2半导体材料,包括衬底和设置在衬底上的TiO2层;所述TiO2层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列;所述TiO2层的纳米颗粒大小3~5 nm。该材料制备方法包括:清洗衬底;在硅衬底形成单层胶体晶体模板;浸泡在前驱体溶液中;取出后浸入二氯甲烷中,溶解掉聚苯乙烯模板,形成蜂窝状结构的TiO2纳米阵列材料。本发明以单层胶体晶体为模板,结合溶液浸渍法成功制备出形貌均一,周期性排列的蜂窝状TiO2纳米结构阵列,该材料在室温下显现出较强的铁磁性。本发明可促进TiO2稀磁半导体材料在新型自旋电子器件领域的应用。
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公开(公告)号:CN105070664B
公开(公告)日:2017-11-10
申请号:CN201510554660.9
申请日:2015-09-04
IPC: H01L21/368 , H01L21/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296
Abstract: 本发明涉及光电子学技术领域,尤其涉及一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法,包括有清洗衬底、ZnO种子层制备、ZnO纳米棒有序阵列薄膜制备、ZnO/ZnS异质结构纳米阵列制备步骤,本发明具有工艺简单、操作方便、制备温度较低、产品性能优良、适于工程化应用等优点。
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公开(公告)号:CN106824214A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710174965.6
申请日:2017-03-22
Applicant: 台州学院
IPC: B01J23/847 , C02F1/30
CPC classification number: B01J23/002 , B01J23/8472 , B01J35/004 , B01J2523/00 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10 , B01J2523/842 , B01J2523/55 , B01J2523/63 , B01J2523/54
Abstract: 本发明涉及光催化技术,尤其涉及FeSe/BiVO4复合光催化剂及制备方法,该催化剂将FeSe纳米棒沉积在BiVO4颗粒表面,该制备方法为:化学沉淀法制备BiVO4颗粒;固相烧结法制备FeSe块状物;超声剥离法制备FeSe纳米棒;BiVO4和FeSe混合后分散在乙醇中;上述溶液蒸发得到FeSe/BiVO4复合光催化剂。本发明将BiVO4与FeSe复合,光生电子将吸附在FeSe表面的O2还原为氧自由基,剩余的空穴将‑OH氧化为羟基自由基。氧自由基和羟基自由基将有机污染物分解为二氧化碳和水。因此,FeSe与BiVO4复合后能够有效提高其光催化性能,且FeSe价格较低,整个制备工艺简单,易推广。
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公开(公告)号:CN114182291B
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202111586708.6
申请日:2021-12-23
Applicant: 台州学院
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种Fe掺杂Ni3S2/Ni2P/Ni12P5复合物,具有蘑菇状形貌,蘑菇伞的直径为1至4微米,蘑菇柄的直径为100至200纳米,蘑菇柄的长度为1至1.5微米,具有优异的电催化析氢性能。本发明还公开了一种制备所述蘑菇状的Fe掺Ni3S2/Ni2P/Ni12P5复合物的方法,包括截取泡沫镍、清洗干燥、掺杂处理、水热反应、磷化处理等步骤。
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公开(公告)号:CN114182285A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111588578.X
申请日:2021-12-23
Applicant: 台州学院
IPC: C25B11/081 , C25B11/065 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种带有相间分布空位的Pt纳米颗粒,存在Pt原子肖特基缺陷,缺陷以间隔的方式分布;本发明还公开了一种制备所述带有相间分布空位的Pt纳米颗粒的方法。
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