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公开(公告)号：CN111224535B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202010164044.3
申请日：2020-03-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种用于压接型功率模块动态特性测试的电容串联母排，包括：高压电容器组、低压电容器组、叠层母排、压接型模块以及压接型模块连接板；高压电容器组包括多个高压电容器，呈环形排布；低压电容器组包括多个低压电容器，呈环形排布；高压电容器组与低压电容器组通过叠层母排串联连接，关于叠层母排镜像对称；压接型模块包括第一压接型模块和第二压接型模块，均与叠层母排连接。本发明中上述电容串联母排避免了路径重叠，从而可以减小功率回路的长度，达到了减小直流母排寄生电感的目的，实现了电容内部杂散电感的抵消，实现了叠层母排与电容器整体的寄生电感优化。
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公开(公告)号：CN118465481A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410449336.X
申请日：2024-04-15
Applicant: 华北电力大学 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司
Abstract: 本发明公开一种MMC子模块直通短路测试装置及测试方法，涉及电力电子技术领域。本发明通过设置短路保护开关、上电感续流开关、下电感续流开关、负载保护开关等，便于设置待测IGBT器件的控制时序，能够实现对MMC子模块正常运行方式及与之相对应的直通短路工况的模拟，进而能够实现短路时间的精准控制，以便对MMC子模块的直通短路工况开展研究，探究IGBT器件的失效特征。
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公开(公告)号：CN109856441B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910297476.9
申请日：2019-04-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种压接型IGBT器件芯片电流在线测量系统，该系统包括：积分电路和至少两组PCB板，每组PCB板上设置有多个电流测量线圈，凸台从电流测量线圈中穿过，凸台电流等于芯片电流，电流测量线圈包括线圈骨架、第一导线和第二导线，第一导线一端和积分电路第一输入连接，第一导线环绕线圈骨架均匀缠绕成线圈绕组，第一导线另一端和第二导线一端连接，第二导线另一端和积分电路第二输入连接，积分电路根据电流测量线圈的电压信号确定芯片中的电流，本发明提出的在线测量系统能够集成在器件内部，实现对压接型IGBT器件中所有芯片中的电流同时在线测量。
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公开(公告)号：CN117929825A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311711066.7
申请日：2023-12-13
Applicant: 华北电力大学 , 国网安徽省电力有限公司
Abstract: 本发明提供了一种桥式同轴检流电阻，属于电流检测领域，桥式同轴检流电阻包括电流流入端子、电流流出端子、同轴连接器、检流电阻器及补偿电感器；补偿电感器的一端与电流流入端子连接，另一端与同轴连接器的内导体连接；同轴连接器的外导体与电流流出端子连接；检流电阻器的一端连接至补偿电感器与电流流入端子之间，连接至同轴连接器的外导体与电流流出端子之间；同轴连接器的特征阻抗大于检流电阻器的电阻值；同轴连接器的特征阻抗与补偿电感器的电感值之比等于检流电阻器的电阻值与其寄生电感值之比。本发明采用检流电阻器和补偿电感器替代了传统同轴检流电阻的两个柱状金属壳，提高了电流测量的准确度及效率，同时降低了同轴检流电阻的成本。
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公开(公告)号：CN117706153A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311696381.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供了一种宽频段多线圈Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，宽频段多线圈Rogowski电流传感器包括信号处理电路及多个匝数不同的Rogowski线圈。多个Rogowski线圈套设在载流导体上，且多个Rogowski线圈均与信号处理电路连接；载流导体用于接收被测电流，使被测电流流经多个Rogowski线圈所围成的截面；多个Rogowski线圈分别输出与被测电流的时间微分成正比的电压信号；信号处理电路用于对各Rogowski线圈输出的电压信号进行积分，并加和，得到与被测电流成正比的电压信号。本发明增加了Rogowski电流传感器的有效频段宽度，提高了电流测量的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108598074B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810616670.4
申请日：2018-06-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子以及第二驱动端子设置在底座的上表面；第一直流侧端子与第二直流侧端子位于同一轴线上。本发明所提供的同轴结构的直流侧端子能够有效地减小直流侧端子的距离并增大其耦合面积，增大直流侧端子的互感，减小功率模块的封装电感，进一步减小功率模块内部碳化硅MOSFET在开关瞬态和短路情况下所承受的电压过冲，减小功率模块的开关损耗。
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公开(公告)号：CN109827693B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN114002575A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111293944.9
申请日：2021-11-03
IPC: G01R31/27
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。该方法包括：采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压；当判断所述集电极电压到零时，对当前集电极电压负向过冲进行采样；建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值；将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较；根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效，该方法受电容电压变化影响小，且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率，能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。
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公开(公告)号：CN113092979B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112946451A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110202180.1
申请日：2021-02-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括：驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路，每个试验电路中都有IGBT器件，两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后，通过电感和电容的谐振作用，使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点，在IGBT完成一个试验周期后，电容的极性发生改变，在IGBT关断后，只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压，满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法，能够对IGBT器件进行可靠性评估，避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
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