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公开(公告)号：CN109891604A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201680090315.7
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成基底层的步骤，在基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去第一主表面的扩散屏蔽的处所，形成射极层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN109392312A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201780032752.8
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于廉价地提供高转换效率的太阳能电池。本发明的太阳能电池具备保护半导体基板(101)的钝化膜、在半导体基板的主面与半导体基板连接的第一副栅线电极(201)、与第一副栅线电极(201)交叉的第一主栅线电极(202)、和设置于第一副栅线电极(201)与第一主栅线电极(202)的交叉位置的中间层(203)，第一副栅线电极(201)和第一主栅线电极(202)经由中间层(203)相互电导通。
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公开(公告)号：CN106575679B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201580044813.3
申请日：2015-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其在第1导电型半导体基板的背面，具备由第1接触部与第1集电部构成的第1指状电极、由第2接触部与第2集电部构成的第2指状电极、第1母线电极、以及第2母线电极，所述第1导电型半导体基板在受光面的相反侧的背面具有第1导电型区域与第2导电型区域，并且，至少在第1母线电极和第2母线电极正下方的全部区域具备绝缘膜，在绝缘膜上，第1集电部和第1母线电极、以及第2集电部和第2母线电极电性接合，并且，至少在绝缘膜正下方，第1接触部和第2接触部连续成线状。由此，本发明提供一种钝化区域广、线路电阻低、并联电阻高、转换效率高的太阳能电池，并且提供一种太阳能电池的制造方法，可以用低成本来制造这种太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105934828B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201480074059.3
申请日：2014-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: [问题]为了提供一种具有低成本、高可靠性和高转换效率的太阳能电池单元。[解决方案]一种太阳能电池单元的制造方法，其中：第二导电型层和防反射膜通过层叠于第一导电型半导体基板上形成；将含有导电性颗粒和玻璃粉的导电性糊剂涂布至所述防反射膜的规定位置；和通过将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板烧结形成电极；所述电极贯通所述防反射膜并且电连接至所述第二导电型层。在所述烧结之后即刻而不是回复至室温，将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板连续地加热处理。
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公开(公告)号：CN104704639B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380051963.8
申请日：2013-08-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/03125 , H01L31/06 , H01L31/068 , Y02E10/50 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及长期可靠性优良的高效的太阳能电池单元的制造方法，包括：工序(7)，在至少具有pn结的半导体基板的受光面侧形成了的反射防止膜上涂覆包含导电材料的膏状的电极剂；以及电极烧成工序(9)，具有以仅对上述电极剂涂覆部分照射激光而使上述导电材料的至少一部分烧成的方式进行加热的局部加热处理(工序(9a))、以及将上述半导体基板整体加热到低于800℃的温度的整体加热处理(工序9(b))。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103329280B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201180065728.7
申请日：2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在结晶硅基板的受光面侧形成添加了具有与上述硅基板相反的导电型的掺杂剂的发射极层，在上述硅基板的表面形成钝化膜，形成了将光生成的电荷从硅基板取出的取出电极和至少部分地与上述取出电极相接、收集用上述取出电极收集的电荷的集电极的太阳能电池，其特征在于，上述取出电极包含第1电极，该第1电极是含有赋予硅以导电性的掺杂剂的导电性糊的烧结体，以至少上述第1电极贯通上述钝化层的方式形成，上述集电极包含具有比上述第1电极高的导电性的第2电极，根据本发明，在使硅与电极的接触电阻损失和在电极电阻的电阻损失减小的同时，能够使发射极层的光学的和电的损失减小，能够使太阳能电池特性大幅地提高。
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公开(公告)号：CN103329279B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201180065726.8
申请日：2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在至少具有pn结的结晶硅基板上形成钝化膜、经过导电性糊的印刷和热处理的工序形成电极的太阳能电池，其特征在于，具有：以将光生成的载流子从硅基板取出的取出电极与硅基板接触的方式形成的第1电极、和以将在上述第1电极收集的载流子收集的集电极与上述第1电极接触的方式形成的第2电极，上述第2电极和硅基板至少在第1电极和第2电极的接触点以外只部分地相接或完全不相接，根据本发明，通过在集电极与硅之间使钝化膜完全或部分地残留，从而能够使在电极/硅界面的电荷损失减少，改善短路电流、开路电压，提高太阳能电池特性。此外，工序能够采用以往的丝网印刷技术等实现，对于成本削减极其有效。
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公开(公告)号：CN103038865B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180035789.9
申请日：2011-06-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/67109 , H01L21/67754
Abstract: 这里公开的热处理炉，用于半导体基片的热处理步骤中，其特征在于提供了柱形芯管，该柱形芯管的两端部有开口，该开口的尺寸设置成允许半导体基片插入芯管和从芯管中取出。这在连续的半导体热处理过程中减少了在批次之间的等待时间，从而提高生产率。而且，使用芯管结构的简单柱形降低了气体引入管部分失效的频率，从而降低了热处理方法的运行成本。
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公开(公告)号：CN104704639A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380051963.8
申请日：2013-08-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/03125 , H01L31/06 , H01L31/068 , Y02E10/50 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及长期可靠性优良的高效的太阳能电池单元的制造方法，包括：工序(7)，在至少具有pn结的半导体基板的受光面侧形成了的反射防止膜上涂覆包含导电材料的膏状的电极剂；以及电极烧成工序(9)，具有以仅对上述电极剂涂覆部分照射激光而使上述导电材料的至少一部分烧成的方式进行加热的局部加热处理(工序(9a))、以及将上述半导体基板整体加热到低于800℃的温度的整体加热处理(工序9(b))。
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公开(公告)号：CN104521003A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380042132.4
申请日：2013-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , C23C16/44 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L31/18
Abstract: 一种生产率良好地形成钝化效果优良的由氮化硅构成的反射防止膜的太阳能电池的制造方法，其特征在于，使用具备成膜室(101)、具有使氨气激发的激发部(111a、112a)和对激发了的氨气导入硅烷气体而活性化的活性化反应部(111b、112b)的等离子体室(111、112)、以及针对每个等离子体室(111、112)调整氨气和硅烷气体的流量比的流量控制器(113)的远程等离子体CVD装置(100)，在成膜室(101)中输送半导体基板(102)的同时，通过来自第一等离子体室(111)的等离子体流，在半导体基板(102)上形成第一氮化硅膜，接着通过来自导入了流量比与第一等离子体室(111)不同的氨气和硅烷气体的第二等离子体室(112)的等离子体流，形成组成与第一氮化硅膜不同的第二氮化硅膜。
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