公开(公告)号：CN1208246A

公开(公告)日：1999-02-17

申请号：CN98102954.X

申请日：1998-03-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近江和明 ,  米原隆夫 ,  坂口清文 ,  柳田一隆

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/6838 ,  Y10T29/49821 ,  Y10T83/364 ,  Y10T156/1137 ,  Y10T156/1374 ,  Y10T156/1922 ,  Y10T156/1933 ,  Y10T156/1939

Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏,从喷嘴对着组合元件喷射流体,以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。

公开(公告)号：CN1200560A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN98114894.8

申请日：1998-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近江和明 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 为了用较低的成本持续生产没有缺陷的SOI衬底,防止多孔层在分离键合衬底前发生破损,安全便利地完成键合衬底的分离,在一种制造半导体衬底的方法中包括:在表面具有多孔层的第一衬底上形成无孔半导体层,在其上形成绝缘层,将绝缘层键合到第二衬底上,分离多孔层,从而将绝缘层和无孔半导体层转移到第二衬底表面上,形成的第一多孔层具有低孔隙率,将第二多孔层的厚度降低到易破碎的程序,分离第一和第二衬底。

公开(公告)号：CN1198020A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98108876.7

申请日：1998-03-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 生产半导体衬底的方法,对第一衬底的表面阳极化形成多孔层;在多孔层表面和第一衬底与多孔层一侧相对侧的表面上同时形成半导体层;把多孔层表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上;在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底使多孔层表面上形成的半导体层转换到第二衬底上,从而在第二衬底的表面上提供半导体层。这使得可以以低的成本生产半导体衬底,同时可很好地利用昂贵的衬底材料。

公开(公告)号：CN1188981A

公开(公告)日：1998-07-29

申请号：CN97126485.6

申请日：1997-11-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体制品的制造方法,包括以下步骤:用扩散能控制导电类型的元素在Si衬底的至少一侧表面上形成扩散区;在包括扩散区的区域内形成多孔层;在多孔Si层上形成无孔半导体层来制备第1衬底;键合第1和第2衬底制成其中设置有无孔半导体层的多层结构;沿多孔Si层但不沿扩散区劈开多层结构;和除去劈开的第2衬底上残留的多孔Si层。

公开(公告)号：CN1175084A

公开(公告)日：1998-03-04

申请号：CN97105478.9

申请日：1992-02-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明是关于多孔硅腐蚀液,使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法,其优点在于,提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液,该腐蚀液可以是氢氟酸;制作半导体基片的制造方法包括如下工序:形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底,将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上,用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。

公开(公告)号：CN1166049A

公开(公告)日：1997-11-26

申请号：CN97111685.7

申请日：1997-04-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方宪二 ,  米原隆夫 ,  阿闭忠司 ,  坂口清文

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明解决了粘贴SOI基片在其周边部分产生空洞和由此导致的器件数量减少的问题。本发明涉及一种制造SOI基片的方法，所述SOI基片通过粘贴具有SiO2表面的第一Si基片和具有Si表面的第二Si基片而获得，粘贴在SiO2表面和Si表面上进行，该方法包括：在把第一Si基片和第二Si基片粘贴在一起前，清洗第二Si基片的Si表面，使之具有疏水性的步骤。

公开(公告)号：CN1068443A

公开(公告)日：1993-01-27

申请号：CN92103908.5

申请日：1992-05-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76245 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/977

Abstract: 半导体基体材料的制作方法，其特征为具有以下工序：使硅基体形成多孔性后，在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序；通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合式序；在上述一次贴合工序后，用化学腐蚀法将上述多孔性硅除去的腐蚀工序；以及在上述一次贴合之后进行的、使上述一次贴合更牢固的二次贴合工序。