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公开(公告)号：CN100459417C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510011927.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，本发明增加了两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连(负输出端)，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入正信号的的共源MOSFET漏端相连(正输出端)。由于充分利用了深亚微米MOSFET器件工作在饱和区和工作在截止区时器件的栅漏电容相同的特点，本发明具有低压低功耗、高反向隔离度。
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公开(公告)号：CN101282110A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810104950.3
申请日：2008-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗单端输入差分输出低噪声放大器，属于射频通讯技术领域。该放大器包括输入匹配电路，相互连接的第一级放大电路、第二级共栅放大电路和第二级共源放大电路，以及输出负载匹配电路，输入匹配电路与第一级放大电路连接，第一级放大电路和第二级共源放大电路之间设置一控制电路，该控制电路，用于控制流向第二级共源放大电路的直流电流流入第一级放大电路，同时阻止第一级放大电路输出的射频信号射频信号流向第二级共源放大电路的源端，第二级共栅放大电路和第二级共源放大电路分别连接一输出负载匹配电路。本发明可使系统功耗降低一半，且第二级放大电路对称，保证了差分信号的输出噪声、相位和增益更加对称。
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公开(公告)号：CN101198160A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710107693.4
申请日：2007-05-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种采用单通路射频前端实现GNSS多模并行接收的方法及装置，属于射频通讯技术领域。该方法包括：接收到的RF射频信号进入单通路射频前端后，根据接收信号模式的个数N，将信号通路的采样周期划分为N个时间小段，通过受时分复用信号控制的Mixer混频器和LPF低通滤波器将RF信号下变频至IF中频信号，切换时分复用信号，单通路射频前端每隔一个上述时间小段内接收一种模式的信号，如此周期性交替重复，实现单通路射频前端并行接收N个模式信号。本发明只需要一个单通路射频前端，在时分复用系统的控制下，即可实现GNSS多种模式(包括BD－2、GPS、Galileo、GLONASS等)并行接收。
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公开(公告)号：CN1323421C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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公开(公告)号：CN1315160C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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公开(公告)号：CN1604482A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410009766.2
申请日：2004-11-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种SIGMA－DELTA调制器的调制方法，属于模—数转换和小数分频频率综合器的应用领域。该方法与现有技术不同在于，将SIGMA－DELTA调制器的输出信号通过反馈电路反馈回SIGMA－DELTA调制器中。本发明利用SDM输出信号本身在低频段噪声低的特点，将SDM输出信号作为高频伪随机信号加入到SDM中，使产生高频伪随机信号的电路得到简化。
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公开(公告)号：CN114421892B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210012346.8
申请日：2022-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公布了一种谐波生成倍频器的基波电流消除方法，属于集成电路技术领域。本发明采用谐波生成倍频器架构，差分信号输入驱动器件，工作在不同导通角偏置下，谐波生成倍频器的晶体管在差分信号的驱动下，产生的基波电流反相，调整晶体管的尺寸比例，使其输出的基波分量幅值相等，当工作在不同偏置下的晶体管的输出端相连时，基波电流抵消，实现谐波生成倍频器的基波电流消除。本发明避免了限制倍频器工作带宽的高Q值滤波器，因而具有优异的宽带性能。
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公开(公告)号：CN118041382A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311622673.6
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于线性矫正谐波抑制技术的接收机射频前端，包括一个本振时钟产生链路和一个低噪声放大器、两个无源混频器、四个可控增益的跨导放大器，两个谐波抑制及矫正阵列，以及两个可控增益的跨阻放大器。本发明谐波抑制及矫正阵列分别为增益矫正和相位矫正设置了独立的电阻阵列来解决相位和增益匹配问题，显著提高了谐波抑制比。本发明射频前端在实际使用中只需要上电后对增益和相位进行预校准，之后随着载波频率的改变对相位可调电阻进行线性校准，这使得其在在很大程度上降低了测试成本，并使得其在多频带多协议的应用中有独特的优势。
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公开(公告)号：CN114584076B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210218852.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种针对发射机无源上混频器抑制谐波的校正方法，属于集成电路技术领域。本发明提供的技术方案是，中频信号经过可调RC电路输入到IQ混频器，可调RC电路为电阻电容并联，通过电阻分压后产生多路中频信号分别给到不同相位的IQ混频器，调控之后的多路中频信号满足#imgabs0#的比例，进而实现增益的匹配；本振LO时钟信号输入到IQ混频器，IQ混频器输出到功率放大器，可调RC电路通过RC调控的方式来补偿制造工艺、失配带来的本振LO时钟信号的部分偏差，进而实现相位的匹配。本发明集成度高，性能稳定，可靠性好，具有极大的实用价值和推广价值。
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