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公开(公告)号：CN106044786A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610382474.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02 , C01B33/145 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , C01B33/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法，其主要作为抛光液使用提高抛光速度，所述制备方法是采用以下方法制备的：以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种，搅拌并加热，同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶晶种和活性硅酸，在整体反应过程中采用加热浓缩法维持恒液位，期间，滴加无机碱稀溶液以保持体系的pH值在9.5~10.5，保温后冷却。采用本发明制备的硅溶胶能够有效的提高抛光速度，同时减少划痕产生。
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公开(公告)号：CN103682094B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310673872.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。
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公开(公告)号：CN102516878B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110411337.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1?30wt%，所述氧化剂的含量为0.01?10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001?5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。
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公开(公告)号：CN103896287B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210587490.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种非球形二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒由2~10个二氧化硅胶体粒子聚集而成。本产品的有益效果是：通过二价金属离子的诱导作用，形成非球形的二氧化硅晶种。在该晶种表面包覆一层聚苯乙烯薄层（由苯乙烯聚合而成）。由于晶种是非球形的，表面的曲率各处不同，有正有负。在具有负曲率（即凹陷处）的地方表面张力大，聚苯乙烯不易包覆，故留下了空洞，露出二氧化硅。持续添加的硅酸会优先附着在这些露出二氧化硅的表面，并进行脱水聚合，最终形成2-10个小颗粒聚集成的大颗粒状二氧化硅胶体粒子。
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公开(公告)号：CN103589344B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310567464.6
申请日：2013-11-14
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝抛光液的制备方法，首先将氧化铝粉末经搅拌分散于酸性水溶液中，形成酸性氧化铝分散液；然后加热搅拌条件下，滴加硅酸盐水溶液，滴加完毕后停止加热；继续搅拌陈化即得；在氧化铝分散液的基础上，通过引入硅酸盐，利用硅和铝间独特的亲和作用，在氧化铝颗粒表面形成部分硅原子替代、电荷反转，从而有效提高氧化铝抛光液的悬浮稳定性，而与此同时不影响抛光性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104592897A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410853223.2
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 一种化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及重量百分含量：无机纳米颗粒10~50wt%、化学添加剂0.01-5wt%、余量为pH调节剂和水；所述无机纳米颗粒至少包括二氧化硅和石墨烯；以所述化学机械抛光液的总质量计，所述石墨烯的质量百分含量为0.01~10wt%。本发明中公开的化学机械抛光液在抛光蓝宝石等高硬度材料时具有以下有益效果：由于石墨烯颗粒的硬度高，所以抛光速度快；效率高；抛光蓝宝石等高硬度材料的表面粗糙度低，无明显橘皮、腐蚀坑或划伤等缺陷。
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公开(公告)号：CN104556058A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410854720.4
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 一种生产低粘度小粒径硅溶胶的方法，其特征在于，所述方法为将二氧化硅源与碱按照摩尔数之比为17~50，加入水溶液中混合反应，混合反应温度为60~120℃；所述碱的摩尔数为将碱折算成碱性氧化物后碱性氧化物的摩尔数。采用本发明中方法制备获得的硅溶胶平均粒径为5~7nm，粒径为5~10nm，二氧化硅含量20wt%时，所述硅溶胶在25℃的粘度在3.5mpa.s以下，其外观透明。
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公开(公告)号：CN103484024B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310419636.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：先制备硅酸水溶液，然后取所述硅酸水溶液加热至沸15-60min，继而3分钟内“速冷”至20~50℃，然后重新加热至沸，然后持续滴入前述制备的硅酸水溶液制得胶体二氧化硅溶液，然后过滤、浓缩得到硅溶胶；继而加水性介质稀释并用pH调节剂调节酸碱性即制得所述化学机械抛光液；将所述抛光液应用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中，具有大大提高氧化硅薄膜去除速率的特点。
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公开(公告)号：CN103910516A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210594338.5
申请日：2012-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明关于一种废弃硅溶胶材料化的方法，可有效应用于以硅溶胶为主要成分的各种废弃胶体溶液的回收利用。本发明提供一种废弃硅溶胶回收再利用的方法，包括如下步骤：向废弃硅溶胶中投加酸或盐，使废弃硅溶胶形成水凝胶；在所得的产物中添加防收缩变形试剂，并将其干燥，使水凝胶变为气凝胶；在所得的产物中添加添加剂，进行增强增韧处理。利用该方法制成的SiO2气凝胶的气孔率在90%以上，密度为2~170kg/m3，孔径均在100nm以下，大多分布在10nm~70nm之间，常温下导热系数为5~25mW/（m·K）。完全具备制造纳米孔超级绝热材料的条件。
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公开(公告)号：CN102827549B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210324122.7
申请日：2012-09-04
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/3105 , C09G1/02
Abstract: 本发明关于一种化学机械抛光液，尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05-5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液，通过盐组份及螯合剂的独特组合，在适当的pH的条件下，大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。
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