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公开(公告)号：CN109786256A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910044987.X
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件领域，包括：淀积第一金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；淀积第二金属掩膜层；制备第二光刻胶层，曝光、显影，形成至少一个栅区域图形，栅区域图形偏向源金属层；湿法腐蚀去除源金属层和漏金属层之间的第一金属掩膜层和第二金属掩膜层；在栅区域图形处淀积栅金属层；剥离去除第二光刻胶层。本发明提供的自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法，栅偏源制备，可以兼顾饱和电流，提高器件击穿电压，获得高功率密度。
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公开(公告)号：CN109273354A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811045165.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/04 , H01L29/417 , H01L29/45
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石器件及其制备方法。所述制备方法包括：在金刚石的源电极区和漏电极区沉积石墨烯催化层；将沉积石墨烯催化层的金刚石进行退火处理，在所述金刚石中的源电极区和漏电极区形成石墨烯层；在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触源电极，在所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触漏电极。本发明能够降低金刚石器件的源极和漏极的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的频率性能，进而也提高了金刚石器件的性能。
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公开(公告)号：CN108760781A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810963084.7
申请日：2018-08-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/20008 , G01N23/203
CPC classification number: G01N23/2005 , G01N23/203
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，该方法包括：将金刚石样品进行抛光处理；将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理。本发明通过对金刚石样品抛光处理，使金刚石样品表面平整，通过对金刚石样品进行氢等离子体处理，能够降低金刚石表面残余应力，并能形成稳定的导电性氢终端，从而制备出表面平整、残余应力低、导电性良好的金刚石电子背散射衍射分析样品，能够满足电子背散射衍射分析的需求。
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公开(公告)号：CN108715450A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810904320.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/984
Abstract: 本发明提供了一种二维SiC材料层的制备方法，属于碳化硅材料制备领域，包括步骤：将上表面放置有铜箔的硅衬底放置于反应腔室内；向所述反应腔室中通入第一气体；使所述铜箔被加热至预设反应温度，通入第二气体；通入甲烷气体，并在预设反应温度下保温预设时间；停止通入第二气体和甲烷气体，停止加热，再次通入第一气体，并使铜箔在预设冷却速度下冷却至室温；预设反应温度大于1083.4℃，所述第一气体为惰性气体，所述第二气体包括氢气。利用本发明提供的二维SiC材料层的制备方法制备的二维SiC材料，其厚度均匀，二维SiC材料性能均匀稳定，且操作步骤简单，效率高，有利于实现大尺寸二维SiC材料的快速制备。
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公开(公告)号：CN105047562B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510360822.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半悬浮石墨烯场效应晶体管制备方法，涉及晶体管技术领域。包括如下步骤：在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶图形；以光刻胶图形作为掩膜，形成具有凹槽的衬底结构；通过化学气相沉积法制备金属基石墨烯；在金属基石墨烯的上表面上沉积一层金属层；腐蚀掉金属基石墨烯下方的金属基，形成石墨烯组件；将石墨烯组件转移至具有凹槽的衬底结构上；在金属层的上表面形成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形作为掩膜，形成漏电极和源电极；以第二光刻胶图形作为掩膜，在绝缘介质上沉积栅金属。所述方法避免了石墨烯受到损伤和沾污，通过石墨烯和衬底分离，降低来自衬底的界面散射，实现石墨烯中载流子的高迁移率，提高石墨烯晶体管的高频性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107196609A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710400411.3
申请日：2017-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H03F1/00 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯射频放大器，涉及放大器技术领域。所述放大器包括印刷电路板，所述电路板包括衬底，所述衬底的上表面设有石墨烯P沟道MOSFET管芯、输入端隔直电容、输入阻抗变换器、1/4波长输入微带线、外加栅压、旁路电容、第一焊盘、1/4波长输出微带线、输出端阻抗变换器、外加漏压的焊点以及输出端隔直电容。第一焊盘与所述MOSFET管芯的栅极之间通过键合金丝连接；所述MOSFET管芯的源极接地；所述MOSFET管芯的漏极与输出端阻抗变换器的一端连接。所述放大器可实现较高的增益并具有良好的驻波比。
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公开(公告)号：CN107161988A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710357233.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法，属于半导体材料制备领域。本发明包括以下步骤：将蓝宝石衬底放入石墨烯PECVD等离子体设备内，抽真空，充入惰性气体至目标压力；加热蓝宝石衬底到目标温度；蓝宝石衬底在氢气气氛下预处理；设定PECVD等离子体的源功率至目标功率，设定腔体压力到目标压力，设定氢气气体流量至目标流量，开启PECVD等离子体电源，形成等离子体；通入碳源，设定碳源流量至目标流量，设定生长时间，生长石墨烯；关闭碳源，关闭PECVD等离子体，生长结束，降温至室温。该方法制备的石墨烯材料无需转移，且降低了晶圆级石墨烯的制备成本，对石墨烯基础研究和器件研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103540907B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310472153.1
申请日：2013-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ni金属膜覆盖Si3N4衬底生长浓度可控石墨烯材料的方法，涉及石墨烯的制造方法技术领域。在基板衬底表面外延生长Si3N4形成Si3N4/template复合结构，在Si3N4表面生长Ni金属膜，利用高温热退火，使得Ni原子与Si3N4中Si原子结合形成Ni2Si合金；去除Ni2Si合金，Si3N4表面剩余N原子出现不饱和键，N原子重构形成N-N键，在Si3N4表面形成富N结构；将Si3N4/template复合衬底放入CVD反应炉中，生长少层石墨烯，在石墨烯生长过程中，Si3N4表面N-N键断裂，N原子与C原子重构形成石墨烯，N原子进入石墨烯晶格，从而实现对石墨烯的掺杂。
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公开(公告)号：CN105047562A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510360822.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种半悬浮石墨烯场效晶体管制备方法，涉及晶体管技术领域。包括如下步骤：在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶图形；以光刻胶图形作为掩膜，形成具有凹槽的衬底结构；通过化学气相沉积法制备金属基石墨烯；在金属基石墨烯的上表面上沉积一层金属层；腐蚀掉金属基石墨烯下方的金属基，形成石墨烯组件；将石墨烯组件转移至具有凹槽的衬底结构上；在金属层的上表面形成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形作为掩膜，形成漏电极和源电极；以第二光刻胶图形作为掩膜，在绝缘介质上沉积栅金属。所述方法避免了石墨烯受到损伤和沾污，通过石墨烯和衬底分离，降低来自衬底的界面散射，实现石墨烯中载流子的高迁移率，提高石墨烯晶体管的高频性能。
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公开(公告)号：CN103985762A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410121742.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78684 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管，包括衬底以及位于衬底之上的源极和漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区从下往上依次为：石墨烯层、介质层和栅极。其制备方法包括：①形成石墨烯层；②沉积介质层；③在介质层上，通过光刻胶图形覆盖沟道区域；④腐蚀掉暴露出来的介质层；⑤刻蚀掉暴露出来的石墨烯层；⑥蒸发源漏极欧姆接触金属，形成欧姆接触金属层；⑦通过光刻胶图形覆盖所需要的源极和漏极区域；⑧形成源极和漏极；⑨形成栅极。本发明的方法实现了源漏欧姆接触金属与石墨烯的一维线接触，从而大大减小石墨烯与金属的接触电阻，从而增大最大振荡频率，有利于实现石墨烯场效应晶体管的应用。
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