一种多表面缺陷氧化钨纳米气敏材料及制备和应用

    公开(公告)号:CN106745273B

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201611064816.6

    申请日:2016-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种多表面缺陷氧化钨纳米气敏材料及制备和应用,将2g六氯化钨溶于100ml低温无水乙醇中,磁力搅拌至全部溶解,之后再缓慢加入10ml去离子水,在低温环境下搅拌30分钟,然后再50℃水浴中搅拌24小时;溶液冷却低温;将1g六氯化钨溶于10ml低温无水乙醇中,磁力搅拌至全部溶解,然后倒入上述溶液中;将制备的溶液转移到反应釜中,密封,然后将反应釜置于,在180℃下反应,6‑12小时,然后冷却至室温;将所制备的粉末,离心、洗涤,烘干。本发明制备的氧化钨表面缺陷丰富,对丙酮气体检测敏感度高,选择性好。

    一种用于气敏传感器的Ag修饰SnO2纳米材料及制备和应用

    公开(公告)号:CN106564938B

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201610947044.4

    申请日:2016-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种用于气敏传感器的Ag修饰SnO2纳米材料及制备和应用,锡盐和阳离子表面活性剂置于二甲基甲酰胺中,搅拌得到溶液A;碳酸铵与二甲基甲酰胺预混,用氨水调节溶液的pH值得到溶液B;将溶液A加热同时剧烈搅拌,将溶液B慢慢滴入溶液A中,反应后,将所得沉淀次洗涤,干燥得到SnO2粉末;SnO2粉末与去离子水预混,加入适量还原剂和硝酸银,然后将溶液加热到30℃,保持0.5小时后,将溶液加热至70~95℃保持0.5~2小时,停止加热,将沉淀用去离子水清洗,将所得粉末置于干燥箱中60~80℃干燥。该方法的优点在于制备工艺简单,制备成本低,Ag修饰过程、成核、生长分阶段进行,可获得性能稳定好,气体选择性好的气敏材料,具有广阔的应用前景。

    原子层沉积制备具有固体润滑作用的WS2薄膜方法

    公开(公告)号:CN104561937B

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201510005822.3

    申请日:2015-01-05

    Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积制备具有固体润滑作用的WS2薄膜方法,将经严格清洗的基底放入ALD腔内,使用六羰基钨(W(CO)6)固体钨源和H2S气体硫源制备WS2薄膜。原子层沉积系统腔内沉积温度应加热到300‑400℃的沉积温度;设置钨前驱体源W(CO)6固体的加热温度为60℃,载气流量为100‑200sccm;硫前驱体源10%的H2S气体,载气流量为150‑250sccm。设置沉积过程中六羰基钨固体源的脉冲时间为0.1‑0.3秒,高纯氮气冲洗15‑25秒;H2S气体源的脉冲时间为10‑20秒,高纯氮冲洗20‑30秒。本发明涉及的制备方法,参数易控,可重复性高,适用于产业化生产环境。

    一种固体润滑ZnS薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104451597B

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201410662452.6

    申请日:2014-11-19

    Abstract: 本发明涉及了一种固体润滑ZnS薄膜的制备方法,将经严格清洗的基底放入原子层沉积系统(ALD)腔内,使用二乙基锌(Zn(C2H5)2)液体金属源和H2S气体硫源制备ZnS薄膜;将获得的ZnS薄膜采用硫化退火工艺进行处理,得到固体润滑ZnS薄膜。本发明方法采用原子层沉积工艺,可以较好地控制ZnS薄膜的厚度,提高金属源和气体源的利用率。硫化系统工艺参数完善,在少量H2S下即可完成硫化退火步骤;制备的ZnS薄膜颗粒分布均匀,力学性质优异,摩擦系数可稳定在0.1的数量级上。本发明涉及的制备方法,参数易控,可重复性高,适用产业化生产环境。

    一种Ag掺杂ZnO纳米气敏材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106564929A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610919184.0

    申请日:2016-10-21

    CPC classification number: C01G9/02 C01P2004/03 G01N27/126 G01N27/127

    Abstract: 本发明公开了一种Ag掺杂ZnO纳米气敏材料的制备方法,将水溶性锌盐和硝酸银按摩尔比100:(1~5)溶于80 mL去离子水中,阳离子浓度为0.1M~0.2M;将双组份络合剂与去离子水预混,水与络合剂体积比为(10~20):1,搅拌至络合剂完全溶解;将阳离子溶液与络合剂溶液混合,搅拌10min后加入聚四氟乙烯反应釜中,65~120℃反应6~12小时,反应结束后将样品离心沉淀,用去离子水和无水乙醇反复洗涤2~3次后,将样品在60~70 ℃干燥4~12小时,得到Ag掺杂ZnO纳米材料。Ag掺杂后可极大提升ZnO纳米材料的选择性和灵敏度,解决ZnO选择性差的难题。该方法的优点在于制备工艺简单,制备成本低,且性能稳定,气体选择性好,具有广阔的应用前景。

    氧化铜掺杂的二氧化锡基硫化氢气敏材料及制备和应用

    公开(公告)号:CN104502413B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410785416.9

    申请日:2014-12-18

    Abstract: 本发明涉及一种氧化铜掺杂的二氧化锡气敏材料及制备和应用。通过控制通过控制反应原料中二水合氯化亚锡和氯化铜的质量比,利用一步溶剂热法获得氧化铜掺杂的二氧化锡纳米颗粒。本发明中的二氧化锡纳米颗粒尺寸均匀,粒径在500nm以内,且形貌为“橄榄形”。本发明制备出的二氧化锡纳米颗粒对有毒有害气体硫化氢表现出良好的选择性和响应性。本发明具有制备方法简单易行且产物性能好等特点,使得该氧化铜掺杂的二氧化锡纳米颗粒在气敏传感器领域具有很好的应用前景,能够在实际生产中最大程度的降低成本和保障人身安全。

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