公开(公告)号：CN1290056A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00133134.5

申请日：2000-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大保广树 ,  林伸彦

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 在蓝宝石衬底上顺序地形成AlGaN缓冲层、不掺杂的GaN层、n－GaN接触层、n－InGaN裂纹防止层、n－AlGaN覆盖层、MQW有源层和p－AlGaN覆盖层。在p－AlGaN覆盖层上形成脊形部分,在脊形部分上面形成p－GaN间隙层。在p－AlGan覆盖层的平坦部分上和脊形部分的侧面顺序地形成n－AlGaN第一再生长低温缓冲层和n－AlGaN电流阻挡层,在n－AlGaN电流阻挡层上和脊形部分上面形成p－AlGaN第二再生长低温缓冲层和p－GaN接触层。