公开(公告)号：CN111211399A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010143452.0

申请日：2020-03-04

申请人： 电子科技大学

发明人： 余忠 ,  赵振民 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  邬传健 ,  兰中文

IPC分类号： H01Q1/22 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50

摘要： 一种共形于石油管套壁的抗金属超高频电子标签天线，涉及超高频射频识别技术领域。所述超高频电子标签天线为半环形结构，紧贴于石油管套壁之上，包括介质基板，位于介质基板上表面的贴片结构和标签芯片，位于介质基板下表面的金属底板；所述贴片结构为轴对称结构，包括半环形的辐射体和带开口的馈电环，所述辐射体的左侧和右侧设置数量相同的多个矩形槽，所述带开口的馈电环位于贴片结构的中间位置，所述标签芯片位于馈电环的开口位置，所述金属底板完全覆盖介质基板下表面。本发明超高频电子标签天线具有良好的抗金属特性，加工简单，成本低廉，增益高，可读距离远，带宽较大，可以很好地应用于设计频段。

公开(公告)号：CN109851349A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910202999.0

申请日：2019-03-18

申请人： 电子科技大学 ,  四川京都龙泰科技有限公司

发明人： 邬传健 ,  周华锋 ,  唐明星 ,  余忠 ,  郭荣迪 ,  戴越 ,  李元兴 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC分类号： C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/11 ,  H01F41/00 ,  H02K1/02

摘要： 一种高性能环保型六角永磁铁氧体材料，属于材料制备技术领域。其中，主配方：1.3～6.3mol％BaCO3、78.3～87.2mol％Fe2O3、1.2～6.2mol％CaCO3、0.8～6.2mol％La2O3、0.3～1.1mol％ZnO、0.4～1.2mol％MnO、0.8～7.2mol％Co2O3；掺杂剂：0.2～0.6wt％SiO2、0.5～1.5wt％CaCO3、0.2～0.5wt％H3BO3、0.2～1.2wt％Bi2O3、0.1～1.0wt％La2O3、0.1～0.5wt％ISOBAM。本发明永磁铁氧体材料完全取代了主配方中的Sr元素，同时兼具高Br、高Hcj和高(BH)max。

公开(公告)号：CN118955112A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411456112.8

申请日：2024-10-18

申请人： 电子科技大学

发明人： 何贤坤 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  余忠 ,  孙科 ,  李启帆 ,  蒋晓娜

IPC分类号： C04B35/30 ,  C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/01

摘要： 一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合铁氧体材料包括NiZn和BaM铁氧体材料；NiZn铁氧体材料包括40~60 mol%NiO、1~5 mol%CuO、1~5 mol%ZnO、40~50 mol%Fe2O3；BaM铁氧体材料包括10~20 mol%BaO、1~10 mol%ZnO、1~5 mol%La2O3、1~10 mol%CuO、60~75 mol%Fe2O3。本发明制得的Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料兼具高4πMs、Mr/Ms、Ha、Hc和低ΔH、tanδε特性，适用于Ka波段微集成环行器的设计和应用。

公开(公告)号：CN118851587A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410892525.4

申请日：2024-07-04

申请人： 电子科技大学

发明人： 余忠 ,  冉茂君 ,  陈婧莎 ,  邬传健 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC分类号： C03C17/25

摘要： 一种低温调控NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性的方法，属于薄膜制备技术领域。本发明通过加入适当的氧化剂NaNO2优化NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性，在不改变溶液pH值、主配方浓度和设备工艺参数的情况下，仅通过调控氧化液中氧化剂浓度这一操作，就实现了无取向的玻璃基板生长的NiZn铁氧体薄膜优化晶粒生长，调控晶粒形貌。同时，本发明方法也不需要高温退火处理，即可得到高结晶度的NiZn铁氧体薄膜，节约能源和制备时间，避免了退火处理引起的材料性能恶化，可实现与半导体工艺、集成器件的高效兼容。

公开(公告)号：CN118380742A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410602949.2

申请日：2024-05-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 邬传健 ,  李翱 ,  余忠 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC分类号： H01P1/387

摘要： 一种X波段自偏置环形器，包括基片以及位于基片之上的微带电路；微带电路为双Y结结构，包括中心圆结、间隔设置的大Y结分支和小Y结分支，大Y结分支与小Y结分支上均设置等效容性传输线与等效感性传输线，大Y结的三个臂的末端延伸形成容性传输线作为端口；基片包括铁氧体片、一级介质片和二级介质片，圆形的铁氧体片嵌入圆环状的一级介质片中并与一级介质片紧密贴合，铁氧体片与一级介质片的复合结构嵌入内侧为圆形、外侧为六边形的二级介质片中并与二级介质片紧密贴合；大Y结末端延伸形成的容性传输线端口位于二级介质片上。本发明通过铁氧体片与一级和二级介质片组合形成多级结构，加强了端口间的耦合作用；通过对整个环形器的结构进行坡度设计，增强了环形器的隔离效果。

公开(公告)号：CN118047601A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410255322.4

申请日：2024-03-06

申请人： 电子科技大学 ,  乳源东阳光磁性材料有限公司

发明人： 余忠 ,  金海洋 ,  张凯 ,  邬传健 ,  周晓军 ,  孙科 ,  陈创鑫 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  余勇

IPC分类号： C04B35/38 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/36

摘要： 一种宽频高Tc高导锰锌铁氧体及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明采用高比表面积原料，增大球磨过程中粉料接触面积，有利于提高反应活性，降低烧结温度；MnZn铁氧体主配方采用富铁缺锌体系，增强超交换作用，有利于材料居里温度的实现；二次球磨引入联合添加剂，借助助熔阻晶双重作用调控烧结过程晶粒生长机制，借助Co2O3对MnZn铁氧体磁晶各向异性常数进行补偿，提高起始磁导率；引入CaSiO3使之在烧结过程中富集于晶界，提高晶界电阻率，改善磁导率频率特性；烧结过程中，精准控制保温和降温阶段氧分压，影响Fe2+离子生成量，提高样品电阻率，同时适宜的烧结温度和保温时间有利于晶粒生长和材料致密化。

公开(公告)号：CN117334423A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311137985.8

申请日：2023-09-05

申请人： 电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 兰中文 ,  孙瑞良 ,  廖希异 ,  何万波 ,  刘云 ,  邬传健 ,  孙科 ,  余忠

IPC分类号： H01C17/065

摘要： 本发明公开了一种控制单基片特定尺寸厚膜电阻湿膜厚度差值的方法，属于电子元器件厚膜电阻技术领域。设计尺寸为0.5mm*0.5mm和1mm*1mm的厚膜电阻,使用方阻为1Ω‑100kΩ的六种厚膜电阻浆料,搭配Au和Ag‑Pd导体浆料。通过改变印刷条件来监控湿膜厚度的方法来确定印刷参数对特定尺寸的厚膜电阻湿膜厚度和厚膜电阻阻值的影响。通过印刷工艺控制，能将尺寸为0.5mm*0.5mm和1mm*1mm厚膜电阻的湿膜厚度差值控制在4um以内。本发明确定的印刷参数能够有效减小尺寸为0.5mm*0.5mm和1mm*1mm厚膜电阻的尺寸效应。

公开(公告)号：CN117326860A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311279549.4

申请日：2023-09-28

申请人： 电子科技大学 ,  四川京都龙泰科技有限公司

发明人： 李启帆 ,  梁亚辉 ,  余忠 ,  唐明星 ,  邬传健 ,  李元兴 ,  蒋晓娜 ,  孙科 ,  兰中文

IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34

摘要： 一种单轴型小线宽六角铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明首先预烧生成Cu 18H六角铁氧体粉末，加入SiO2添加剂进行高能球磨，球磨得到的亚微米粉末在磁场成型压机取向后烧结生成高密度、织构化Cu 18H六角铁氧体材料。本发明提供的单轴型小线宽Cu 18H六角铁氧体材料及其制备方法，制备工艺为传统固相反应法，操作简单且工艺成熟；制备的Cu 18H六角铁氧体材料兼具高密度(ρ≥5.3g/cm3)、高饱和磁化强度(4πMs≥1400G)、高剩磁比(Mr/Ms≥0.6)、高磁晶各向异性场(Ha≥9kOe)、低铁磁共振线宽(ΔH≤320Oe)特性，适用于自偏置环形器设计，以减小通信系统收发模块重量和体积。

公开(公告)号：CN116969751A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311070026.9

申请日：2023-08-24

申请人： 电子科技大学 ,  四川京都龙泰科技有限公司

发明人： 邬传健 ,  李翱 ,  余忠 ,  唐明星 ,  孙科 ,  李元兴 ,  李启帆 ,  李子愚 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC分类号： C04B35/26 ,  H01F1/01

摘要： 该发明公开了一种高阻高磁特性六角铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。为永磁电机的开发等领域解决如下几方面的关键技术问题：其一，大幅提升六角铁氧体的电阻率，并改善了电阻温度特性；其二，内禀矫顽力和磁感矫顽力均大幅上升，使微特电机在运行中的稳定性得到增强。本发明中在大幅提升材料电阻率的同时，矫顽力也有约7％的提升；在J.European Ceram Soc.2023,43:5521‑5529报道中，材料的电阻率相比掺杂前提升了47.5％，而本发明中材料的电阻率相比于掺杂前提升了325％，在磁性能和电性能方面表现出了显著的优势。

公开(公告)号：CN116397193A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310388306.8

申请日：2023-04-12

申请人： 电子科技大学

发明人： 余忠 ,  蒋云川 ,  邬传健 ,  李启帆 ,  孙科 ,  兰中文 ,  蒋晓娜

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/00 ,  C23C14/10 ,  B22F1/054 ,  C23C14/34

摘要： 高电阻率高截止频率软磁薄膜的制备方法，涉及电子材料技术。本发明包括以下步骤：步骤一、清洗衬底、SiO2靶材和Fe40Co40B20靶材；步骤二、利用磁控溅射镀膜工艺，SiO2靶材与Fe40Co40B20靶材共同溅射，在衬底表面沉积Fe40Co40B20‑SiO2薄膜。本发明全程在室温进行，与现代半导体工艺兼容。通过引入倾斜角，可调控薄膜面内各向异性场，从而提高薄膜的截止频率。通过调控SiO2靶的溅射功率，实现对薄膜电阻率的调控。