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公开(公告)号:CN1911860A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610021760.6
申请日:2006-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/26
Abstract: 一种低温烧结电子陶瓷材料的制备方法,属于电子材料技术领域。首先分别制备相同或相似化学成分的微米/纳米电子陶瓷微粉;然后将二者按照适当的配比均匀混合。再将混合均匀的电子陶瓷微粉经造粒、成型和烧结后制得块状电子陶瓷材料;或将其添加适量增塑剂、粘合剂等后再经球磨混料、消泡制得流延工艺用电子陶瓷材料。借助纳米量级陶瓷微粉的高表面积促进不同尺寸量级的粉料之间的相互接触和扩散,并借助其高表面自由能显著地促进微粉体系的烧结,从而降低电子陶瓷材料的烧结温度。另外,由于微米/纳米电子陶瓷微粉具有相同或相近的化学组成,不会对陶瓷材料的电磁性能产生明显的影响。采用本发明可制备低温烧结的铁氧体陶瓷材料、介电陶瓷材料以及复合陶瓷材料等。
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公开(公告)号:CN119300699A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411368199.3
申请日:2024-09-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种强自旋轨道力矩金属超晶格薄膜材料,属于自旋电子新材料技术领域。所述超晶格薄膜材料包括周期性生长于基片上的具有强自旋轨道耦合的重金属层和具有高轨道霍尔电导率的轻金属层形成的薄膜体系;每个周期中,具有强自旋轨道耦合的重金属层的厚度为1~3nm,具有高轨道霍尔电导率的轻金属层的厚度为1~3nm。本发明在轻金属层表面产生电子轨道角动量流积累,并将轨道电流注入强自旋轨道耦合的重金属中,利用重金属层的强自旋轨道耦合特性,将轨道电流转化为自旋流。这能够提高强自旋轨道力矩金属超晶格薄膜材料的自旋流产生效率,实现巨类阻尼自旋轨道力矩效率和低电流密度翻转铁磁层磁矩。
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公开(公告)号:CN116947097A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202311011447.4
申请日:2023-08-11
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 一种铜插层硫化硒/钒酸铋紫外‑蓝光吸收剂及其制备方法,属于紫外‑蓝光吸收材料技术领域。所述吸收剂为钒酸铋通过化学反应法生长在铜插层硫化硒上,具体过程:1)利用水热法制得铜插层硫化硒;2)通过化学反应法生长制备铜插层硫化硒/钒酸铋。本发明中的铜插层硫化硒/钒酸铋紫外‑蓝光吸收剂能作为紫外和蓝光吸收剂,制备方法简单,成本低廉,毒性低,紫外‑蓝光吸收范围宽,应用前景广阔,适于工业化生产。
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公开(公告)号:CN114275730B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN202111359184.7
申请日:2021-11-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种磁振子耦合共振型微纳称重器件与其制备方法,属于微纳电子功能器件技术领域,器件包括单晶衬底及位于单晶衬底上的短路共面波导和谐振器,谐振器位于短路共面波导的中心带与接地带之间;谐振器包括上层的压磁薄膜和下层的磁性薄膜,磁性薄膜的磁阻尼系数低于10‑3。优选地,磁性薄膜为钇铁石榴石薄膜,单晶衬底为[111]晶向的钆镓石榴石单晶基片。本发明基于全电磁方法精确称量质量在纳克级别的物体,相较于传统悬臂梁机械振动谐振频率测试方法,本发明对测量环境真空度要求不严格,降低成本,在微波频段具有较高测试灵敏度;采用低铁磁共振线宽的磁性薄膜使谐振器整体的吸收带宽变窄,有利于提取吸收峰信号。
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公开(公告)号:CN116381579A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310249538.5
申请日:2023-03-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明公开一种基于周期波纹衬底上磁性薄膜的平面霍尔传感器,属于磁性器件技术领域,包括自下而上依次的周期性波纹衬底、缓冲层、磁性薄膜层、保护层和导电金属层,导电金属层包括沿垂直于波纹方向设置的两个检测平面霍尔信号导电金属层,以及沿平行于波纹方向设置的两个外接电流导电金属层。本发明通过在周期性波纹衬底上沉积磁性薄膜层,得到周期性波纹结构的磁性薄膜,实现图案化磁性薄膜诱导单轴各向异性;相较于传统形状诱导单轴磁各向异性的平面霍尔传感器,本发明无需精确刻蚀等工艺要求,仅通过调整周期性波纹衬底的波纹周期与波纹幅度,制备工艺更便捷,制作成本更低,平面霍尔传感器性能调控也更容易。
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公开(公告)号:CN109856821B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN201910240257.7
申请日:2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法,属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜,位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱,从而打开石墨烯能带,通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用,在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制。本发明太赫兹波调制器中,采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构,与现有硅基器件相比,其太赫兹波透射率可达90%(硅基器件太赫兹波透射率约为60%左右);该结构可打开石墨烯能带,大幅提高光吸收系数;通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用,可在太赫兹波透射率较高的情况下达到20%左右的调制深度。
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公开(公告)号:CN112987344B
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202110320046.1
申请日:2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于类原子空位缺陷的太赫兹波调制器,属于太赫兹波调制器技术领域。包括衬底,以及形成于衬底之上的超材料结构层;所述超材料结构层包括多个阵列排列的超材料单元,所述超材料单元由4个2×2排列的C型谐振环组成,其中,任意一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒,其余的三个C型谐振环为金属材料。本发明单元结构中的一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒,其余的三个C型谐振环为金属材料,其中,半导体材料或二氧化钒的引入将作为结构单元中的“空位缺陷”,可呈现出双谐振的效果;同时进一步,通过加热或者光泵浦的外部激励方式,即可实现对太赫兹波的主动调控,结构简单,稳定性好。
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公开(公告)号:CN114679030A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210418704.5
申请日:2022-04-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于磁弹效应的柔性微型发电机及其制备方法,属于磁性器件技术领域。所述柔性微型发电机包括柔性基片,形成于柔性基片之上的底电极,形成于底电极之上的感应线圈,形成于感应线圈内部的磁芯,形成于感应线圈之上的顶电极,形成于顶电极之上的磁弹性层;感应线圈为线圈层和绝缘层薄膜交替堆叠得到的多层结构,所述线圈层为圆形螺旋状结构或者方形螺旋状结构,相邻的线圈层通过金属柱连接,以形成螺旋结构的感应线圈;磁芯位于螺旋结构的感应线圈的中心。本发明通过在感应线圈中设置磁芯层,使得感应线圈中的磁通量增大,减小磁能的损失,有效提升发电机的发电效率。
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公开(公告)号:CN111121835B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201911147559.6
申请日:2019-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件,由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成,该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成,该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成,该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层,该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制,还可以通过热释电效应的电势来进行调节。
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公开(公告)号:CN110307905B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201910633756.2
申请日:2019-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列及基于该红外焦平面阵列的红外热成像系统,属于红外热成像领域。所述红外焦平面阵列,包括若干个周期性排布的阵列单元,每个阵列单元包括衬底、绝热支撑层、亚波长光栅结构和红外吸收层。基于红外焦平面阵列的红外热成像系统包括波长转换模块、读出信号产生模块和成像显示模块;所述波长转换模块的核心元件为红外焦平面阵列;来自目标的红外辐射聚焦到焦平面上,将目标的红外图像信息转换成焦平面阵列上温度分布信息;所述读出信号产生模块用于产生线偏振窄带近红外光并使其经红外焦平面阵列反射后进入成像显示模块实现目标物体可视化。本发明实现了大面阵、高像素、低成本、快响应的热成像系统设计。
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