公开(公告)号：CN102745981A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210222035.0

申请日：2012-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 许志勇 ,  孙科 ,  余忠 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料，由主成分和添加剂组成，其中，主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：51～54mol%Fe2O3，9～13mol%ZnO，0.1～0.7mol%SnO2，余量为MnO；以预烧反应后的主成分的质量为参照，添加剂按重量百分比，以氧化物计算：0.05～0.1wt%CaO，0.01～0.08wt%Bi2O3，0.01～0.05wt%V2O5，0.02～0.05wt%Nb2O5，0.03～0.09wt%ZrO2。本发明晶粒均匀致密，气孔较少，平均晶粒尺寸约为14±0.5μm，具有较高磁导率和宽温低损耗特性。

公开(公告)号：CN101412621B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN100589215C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710051054.0

申请日：2007-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁 ,  李乐中

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: NiZn系铁氧体材料及制备方法，本发明属于铁氧体材料制备技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：48.5～52.5mol%Fe2O3，25～33mol%ZnO，0.5～8.0mol%CuO，余量为NiO；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.001～0.15wt%CaO、0.01～0.12wt%MoO3、0.01～0.08wt%Bi2O3、0.01～0.20wt%Nb2O5、0.01～0.20wt%SnO2、0.01～0.16wt%V2O5。本发明的有益效果是，一、提高功率密度，实现小型化；二、提高电子系统的可靠性。

公开(公告)号：CN101412621A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN118380742B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202410602949.2

申请日：2024-05-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  李翱 ,  余忠 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H01P1/387

Abstract: 一种X波段自偏置环形器，包括基片以及位于基片之上的微带电路；微带电路为双Y结结构，包括中心圆结、间隔设置的大Y结分支和小Y结分支，大Y结分支与小Y结分支上均设置等效容性传输线与等效感性传输线，大Y结的三个臂的末端延伸形成容性传输线作为端口；基片包括铁氧体片、一级介质片和二级介质片，圆形的铁氧体片嵌入圆环状的一级介质片中并与一级介质片紧密贴合，铁氧体片与一级介质片的复合结构嵌入内侧为圆形、外侧为六边形的二级介质片中并与二级介质片紧密贴合；大Y结末端延伸形成的容性传输线端口位于二级介质片上。本发明通过铁氧体片与一级和二级介质片组合形成多级结构，加强了端口间的耦合作用；通过对整个环形器的结构进行坡度设计，增强了环形器的隔离效果。

公开(公告)号：CN118955113B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411456111.3

申请日：2024-10-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何贤坤 ,  邬传健 ,  兰中文 ,  孙科 ,  余忠 ,  蒋晓娜 ,  李启帆

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/10 ,  H01F1/34

Abstract: 一种软硬磁微波铁氧体耦合材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体耦合材料包括YIG和BaM微波铁氧体，YIG微波铁氧体材料包括8.5~20.5 mol%Y2O3、17~29 mol%Bi2O3、47.5~57.5 mol%Fe2O3、5~15 mol%In2O3，BaM铁氧体材料包括6.5~12.5 mol%BaO、5.5~10.5 mol%La2O3、5.5~10.5 mol%Bi2O3、62.5~73.5 mol%Fe2O3。本发明制得的软硬磁微波铁氧体耦合材料兼具高的Mr/Ms和Hc、适宜的4πMs和Ha、低的ΔH和tanδε特性。

公开(公告)号：CN118955112A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411456112.8

申请日：2024-10-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何贤坤 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  余忠 ,  孙科 ,  李启帆 ,  蒋晓娜

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/01

Abstract: 一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合铁氧体材料包括NiZn和BaM铁氧体材料；NiZn铁氧体材料包括40~60 mol%NiO、1~5 mol%CuO、1~5 mol%ZnO、40~50 mol%Fe2O3；BaM铁氧体材料包括10~20 mol%BaO、1~10 mol%ZnO、1~5 mol%La2O3、1~10 mol%CuO、60~75 mol%Fe2O3。本发明制得的Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料兼具高4πMs、Mr/Ms、Ha、Hc和低ΔH、tanδε特性，适用于Ka波段微集成环行器的设计和应用。

公开(公告)号：CN118851587A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410892525.4

申请日：2024-07-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  冉茂君 ,  陈婧莎 ,  邬传健 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C03C17/25

Abstract: 一种低温调控NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性的方法，属于薄膜制备技术领域。本发明通过加入适当的氧化剂NaNO2优化NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性，在不改变溶液pH值、主配方浓度和设备工艺参数的情况下，仅通过调控氧化液中氧化剂浓度这一操作，就实现了无取向的玻璃基板生长的NiZn铁氧体薄膜优化晶粒生长，调控晶粒形貌。同时，本发明方法也不需要高温退火处理，即可得到高结晶度的NiZn铁氧体薄膜，节约能源和制备时间，避免了退火处理引起的材料性能恶化，可实现与半导体工艺、集成器件的高效兼容。

公开(公告)号：CN118380742A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410602949.2

申请日：2024-05-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  李翱 ,  余忠 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H01P1/387

Abstract: 一种X波段自偏置环形器，包括基片以及位于基片之上的微带电路；微带电路为双Y结结构，包括中心圆结、间隔设置的大Y结分支和小Y结分支，大Y结分支与小Y结分支上均设置等效容性传输线与等效感性传输线，大Y结的三个臂的末端延伸形成容性传输线作为端口；基片包括铁氧体片、一级介质片和二级介质片，圆形的铁氧体片嵌入圆环状的一级介质片中并与一级介质片紧密贴合，铁氧体片与一级介质片的复合结构嵌入内侧为圆形、外侧为六边形的二级介质片中并与二级介质片紧密贴合；大Y结末端延伸形成的容性传输线端口位于二级介质片上。本发明通过铁氧体片与一级和二级介质片组合形成多级结构，加强了端口间的耦合作用；通过对整个环形器的结构进行坡度设计，增强了环形器的隔离效果。

公开(公告)号：CN118047601A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410255322.4

申请日：2024-03-06

Applicant: 电子科技大学 ,  乳源东阳光磁性材料有限公司

Inventor： 余忠 ,  金海洋 ,  张凯 ,  邬传健 ,  周晓军 ,  孙科 ,  陈创鑫 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  余勇

IPC: C04B35/38 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/36

Abstract: 一种宽频高Tc高导锰锌铁氧体及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明采用高比表面积原料，增大球磨过程中粉料接触面积，有利于提高反应活性，降低烧结温度；MnZn铁氧体主配方采用富铁缺锌体系，增强超交换作用，有利于材料居里温度的实现；二次球磨引入联合添加剂，借助助熔阻晶双重作用调控烧结过程晶粒生长机制，借助Co2O3对MnZn铁氧体磁晶各向异性常数进行补偿，提高起始磁导率；引入CaSiO3使之在烧结过程中富集于晶界，提高晶界电阻率，改善磁导率频率特性；烧结过程中，精准控制保温和降温阶段氧分压，影响Fe2+离子生成量，提高样品电阻率，同时适宜的烧结温度和保温时间有利于晶粒生长和材料致密化。