-
公开(公告)号：CN115142075A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210838604.8
申请日：2022-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种晶面可控的ZnO纳米线催化剂的制备方法，属于新能源纳米材料领域及催化技术领域。主旨在于解决现有Zn基催化剂本征活性差，导致二氧化碳电催化还原过程中电流密度低以及产物选择性差等问题。主要方案包括采用锌箔、过硫酸铵、氢氧化钠通过水热合成，在锌箔上原位生长ZnO纳米线，然后Ar氛围下高温热解，得到不同晶面比例的ZnO纳米线催化剂，所制备的Zn基催化剂具有较高催化活性和稳定性，可应用于电催化CO2还原反应的电极材料。
-
公开(公告)号：CN112133748A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010964120.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底L1、纳米柱层L2、成核层L3、快速合并层L4、高阻层L5、沟道层L6以及势垒层L7，本发明提供了一种新的结构及长法，实现硅衬底上氮化镓外延薄膜的高晶格质量，提高器件的性能。
-
公开(公告)号：CN107480782B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710691146.9
申请日：2017-08-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种片上学习神经网络处理器包括数据接口模块、数据预处理模块、数据缓存区模块、神经元权值缓存区模块、随机初始化模块、神经运算单元模块、神经网络前向运算控制模块、激活函数模块、神经状态控制器模块、神经网络学习算法控制模块；神经状态控制器模块控制各单元模块协同工作进行神经网络学习与推理。本发明中的神经运算单元模块采用通用硬件加速运算设计，可编程控制神经网络运算类型及运算规模。设计中加入流水线技术，极大提高数据吞吐率与运算速度，并且重点优化神经运算单元的乘加单元，极大减小硬件面积。本发明对神经网络学习算法进行硬件映射，使得该神经网络处理器即能进行片上学习又能进行离线推理。
-
公开(公告)号：CN111584627A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465630.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种近似同质外延HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、石墨烯层一、缓冲层一、恢复层、石墨烯层二、缓冲层二、高阻层、沟道层以及势垒层，本发明可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性，适用于高压大功率电子器件应用，通过插入石墨烯层易于剥离，可以有效的缓解蓝宝石于氮化镓层的热失配以及可以提高蓝宝石衬底和氮化镓薄膜衬底的利用率，有效降低成本。
-
公开(公告)号：CN111564490A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010465882.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底(101)、ALN成核层(102)、ALGaN缓冲层(103)、GaN沟道层(104)、ALN插入层(105)、ALGaN势垒层(106)、LTPGaN(107)、PGaN(108)、钝化层(109)、源极(110)、漏极(111)、栅极(112)。在PGaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN(LTPGaN层)，该层的生长阻止了PGaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081762A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911323134.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/34 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 一种新型的HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN/GaN2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN/GaN填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
-
公开(公告)号：CN111063736A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911323108.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 一种高质量的HEMT器件外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，成核层是由PECVD生长的ALN层，其他层的都由MOCVD生长完成，主要的缓冲层是由ALN/SiN/GaN三个子层的复合循环生长组成，包括ALN晶核层、网状结构SiN薄层、GaN填平层，本发明通过PECVD的方法生长高晶格质量的ALN成核层，为后面的缓冲层做承接作用，再通过循环生长ALN/SiN/GaN缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
-
公开(公告)号：CN107094047B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710429775.4
申请日：2017-06-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B7/185 , H04L12/715
Abstract: 本发明提出了一种基于分组数据预存储和分段传输的双层卫星网络路由方法，用于解决现有技术中存在的因无法适应卫星网络拓扑频繁变化导致的信息传输时延大和丢包率高的技术问题，实现步骤为：卫星网络地面控制中心获取分组预存储数据；各低层卫星节点划分其所属的低层卫星组；多个低层卫星组组内的各卫星节点建立低层卫星节点路由表；各高层卫星节点获取低层卫星组信息；各高层卫星节点建立高层卫星节点路由表；用户向其接入的低层卫星发送业务数据包；各低层卫星节点对业务数据包进行路由转发；各高层卫星节点对业务数据包进行路由转发。本发明提高了信息传输转发的速度和准确性，同时减小了卫星计算量，可用于双层卫星网络。
-
公开(公告)号：CN106209072B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610493237.7
申请日：2016-06-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体为一种基于人工神经网络的晶体振荡器。该晶体振荡器包括控制电压产生模块和晶体振荡模块。控制电压产生模块由温度传感器、频率计、数据选择器、输入数据处理单元、人工神经网络和输出数据处理单元组成。本发明通过人工神经网络产生变容二极管两端所需的控制电压，利用人工神经网络自身固有的非线性映射能力，使得该网络能够以高精度逼近非线性函数，从而产生对温度呈非线性函数的控制电压，该电压通过控制变容二极管的容值精确补偿TCXO和VCTCXO的频率因温度变化产生的偏移，显著改善其频率稳定度。
-
公开(公告)号：CN107094047A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710429775.4
申请日：2017-06-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B7/185 , H04L12/715
Abstract: 本发明提出了一种基于分组数据预存储和分段传输的双层卫星网络路由方法，用于解决现有技术中存在的因无法适应卫星网络拓扑频繁变化导致的信息传输时延大和丢包率高的技术问题，实现步骤为：卫星网络地面控制中心获取分组预存储数据；各低层卫星节点划分其所属的低层卫星组；多个低层卫星组组内的各卫星节点建立低层卫星节点路由表；各高层卫星节点获取低层卫星组信息；各高层卫星节点建立高层卫星节点路由表；用户向其接入的低层卫星发送业务数据包；各低层卫星节点对业务数据包进行路由转发；各高层卫星节点对业务数据包进行路由转发。本发明提高了信息传输转发的速度和准确性，同时减小了卫星计算量，可用于双层卫星网络。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
103
records
(took 0.029 seconds)
