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公开(公告)号：CN101038765A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710087436.9
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/0053 , G11B7/24079 , G11B7/243 , G11B7/256
Abstract: 本发明提供了一种光盘，根据一个实施例，所述光盘包括：基片层(11)，其折射率从1.50到1.70，并且厚度X(μm)等于或大于f(n)－13μm；第一信息层(12)，形成于所述基片层上；粘合层(13)，形成于所述第一信息层上并且厚度Y(μm)等于或大于20μm；以及第二信息层(14)，形成于所述粘合层上，其中，满足X+Y≤f(n)+30μm并且f(n)＜X+Y/2，f(n)由下面公式给出：f(n)＝(A1×n3)(n2+A2)/(n2－1)(n2+A3)×1000(μm)，其中，“n”是所述基片层的折射率，A1是0.26200，A2是－0.32400，A3是0.00595。
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公开(公告)号：CN101038764A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710087435.4
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B7/24082
Abstract: 本发明提供了一种光盘，包括：形成于透明基片层上的第一信息层，具有包括第一凸起平面部分和第一凹入平面部分的第一导槽(X1、Y1、Z1)，所述第一凸起平面部分具有第一宽度(X1)并且靠近所述光入射侧形成，所述第一凹入平面部分具有第二宽度(Y1)，与第一凸起平面部分之间具有第一高度差(Z1)，并且靠近所述光入射侧的相对侧形成；以及形成于粘合层上的第二信息层，具有包括第二凸起平面部分和第二凹入平面部分的第二导槽(X2、Y2、Z2)，所述第二凸起平面部分具有第三宽度(Y2)并且靠近所述光入射侧形成，所述第二凹入平面部分具有第四宽度(X2)，与第二凸起平面部分之间具有第二高度差(Z2)，并且靠近所述光入射侧的相对侧形成。
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公开(公告)号：CN100338660C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410095853.4
申请日：2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/268
Abstract: 一种盘(1)具有由结晶部分和非晶部分形成的突发切割区域(BCA)(10)，并且该盘(1)是结晶部分的反射率低于非晶部分的反射率的光盘(L-H介质)。BCA(10)中的结晶部分的宽度Wcry低于数据周期Wdat的一半。因此，不管光盘是H-L介质还是L-H介质，BCA再现信号的平均电平都不变，从而即使电路参数是缺省值，也可以执行聚焦控制和BCA码再现。
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公开(公告)号：CN1627375A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410095853.4
申请日：2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/268
Abstract: 一种盘(1)具有由结晶部分和非晶部分形成的突发切割区域(BCA)(10)，并且该盘(1)是结晶部分的反射率低于非晶部分的反射率的光盘(L－H介质)。BCA(10)中的结晶部分的宽度Wcry低于数据周期Wdat的一半。因此，不管光盘是H－L介质还是L－H介质，BCA再现信号的平均电平都不变，从而即使电路参数是缺省值，也可以执行聚焦控制和BCA码再现。
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公开(公告)号：CN1494072A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03159492.1
申请日：2003-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00718 , G11B7/257 , G11B7/258
Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4)，该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化，位于衬底和反射层之间的第一介电层(2)，以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3)，该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。
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