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公开(公告)号：CN101441913B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810207747.9
申请日：2008-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01C7/12
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种用于过电压保护的电阻开关器件。这种电阻开关器件的结构依次为：铝底电极、氧化铝层、自组装有机分子层、以及金属顶电极。其中的金属顶电极采用铜或铝；用于制备自组装有机分子层的有机材料为2，5-二巯基-1，3，4-噻二唑。在外加电压作用下，这种器件具有非常稳定的阈值电压，器件之间的性能一致性非常好，可作为高性能的过电压保护器使用。这种高稳定性的电阻开关器件还可以用作一次写入多次读取的电存储器件。
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公开(公告)号：CN101320784B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810040423.0
申请日：2008-07-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于功能薄膜和微电子器件技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铝-无机络合物介质层-铜 (Al-Inorganic complexlayer-Cu)，二端的金属层做电极。其中的无机络合物介质层由预先制备的几十纳米厚的铜膜与硫氰酸盐乙醇溶液反应制备获得，然后再经过热退火处理。本发明制备的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件二种状态的阻值比为105～107，可作为一次写入多次读取电存储器件(WORM)使用。此外，这种基于无机络合物介质层的薄膜器件也可以作为过电压保护器使用。
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公开(公告)号：CN100509613C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510112197.9
申请日：2005-12-29
Applicant: 复旦大学
Inventor： 徐伟
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , C07C243/22
Abstract: 本发明属于分子电子器件和纳米机电系统技术领域，具体涉及一种基于肼衍生物分子材料的动态分子基电子器件。本发明采用简单易得的芳香肼衍生物材料来制作动态分子基电子器件中的单分子层吸附膜。该器件用正反向偏置电压来实现开关功能和整流功能，在信息处理和逻辑运算中有广泛用途。
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公开(公告)号：CN101441913A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810207747.9
申请日：2008-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01C7/12
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种用于过电压保护的电阻开关器件。这种电阻开关器件的结构依次为：铝底电极、氧化铝层、自组装有机分子层、以及金属顶电极。其中的金属顶电极采用铜或铝；用于制备自组装有机分子层的有机材料为2，5－二巯基－1，3，4－噻二唑。在外加电压作用下，这种器件具有非常稳定的阈值电压，器件之间的性能一致性非常好，可作为高性能的过电压保护器使用。这种高稳定性的电阻开关器件还可以用作一次写入多次读取的电存储器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101320784A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810040423.0
申请日：2008-07-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于功能薄膜和微电子器件技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铝－无机络合物介质层－铜(Al－Inorganic complexlayer－Cu)，二端的金属层做电极。其中的无机络合物介质层由预先制备的几十纳米厚的铜膜与硫氰酸盐乙醇溶液反应制备获得，然后再经过热退火处理。本发明制备的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件二种状态的阻值比为105～107，可作为一次写入多次读取电存储器件(WORM)使用。此外，这种基于无机络合物介质层的薄膜器件也可以作为过电压保护器使用。
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公开(公告)号：CN101293409A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810039211.0
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料、功能薄膜以及光信息存储技术领域，具体为一种具有层叠结构的金属－有机复合功能薄膜及其应用。该复合功能薄膜由多层薄膜堆叠而成，多层薄膜的次序为：基底、金属层、有机层、以及纳米厚度金属层；其中的有机层采用氰基取代的含杂环烯酮缩胺分子材料，纳米厚度的金属层采用银。这种复合型的薄膜可以作为光信息存储介质使用，能够用激光直接写入。此外，通过控制纳米厚度金属层的厚度，该复合薄膜本身可以获得可控的颜色变化，能实现多种颜色显示，因此可以作为显色材料使用，在防伪技术领域以及商标保护等方面有应用价值。
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公开(公告)号：CN100411231C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610029167.6
申请日：2006-07-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种吡啶基取代的苯并醌衍生物材料作为负极材料的低电压锂离子电池，以及以这种电池的制备方法。该衍生物材料具体为3-羟基-2-4(4-吡啶基)-1-4-萘酯(简称HPNO)，其电池的制备包括负极极片的制备：将HPNO、导电剂、粘结剂按一定的比例混合，制备成浆料，然后均匀涂覆于铜箔集流体上，再烘干、隔膜、电解液和正极分别采用商用的锂离子电池的隔膜、液态电解液和正极，按负极/隔膜/正极的顺序装配，封口即得所需电池。
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公开(公告)号：CN100411219C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510111831.7
申请日：2005-12-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , C07D235/16 , C07D239/70
Abstract: 本发明属于分子基电子器件和铁电薄膜技术领域，具体涉及一种分子基电双稳负阻器件及其应用。器件结构为：金属-有机-金属(M1-Organic-M2)结构。其中，二端的金属层做电极，中间的有机层(包括金属-有机界面)作为功能层。分子基电子器件采用外加电信号进行写入、擦除和读出。这种器件还具有不寻常的负阻特性。本发明提出的薄膜器件在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的使用价值。此外，还特别适合需要负阻器件的场合。
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