公开(公告)号：CN101320784B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200810040423.0

申请日：2008-07-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  霍钟祺 ,  庄晓梦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于功能薄膜和微电子器件技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铝-无机络合物介质层-铜 (Al-Inorganic complexlayer-Cu)，二端的金属层做电极。其中的无机络合物介质层由预先制备的几十纳米厚的铜膜与硫氰酸盐乙醇溶液反应制备获得，然后再经过热退火处理。本发明制备的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件二种状态的阻值比为105～107，可作为一次写入多次读取电存储器件(WORM)使用。此外，这种基于无机络合物介质层的薄膜器件也可以作为过电压保护器使用。

公开(公告)号：CN101320784A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810040423.0

申请日：2008-07-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  霍钟祺 ,  庄晓梦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于功能薄膜和微电子器件技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铝－无机络合物介质层－铜(Al－Inorganic complexlayer－Cu)，二端的金属层做电极。其中的无机络合物介质层由预先制备的几十纳米厚的铜膜与硫氰酸盐乙醇溶液反应制备获得，然后再经过热退火处理。本发明制备的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件二种状态的阻值比为105～107，可作为一次写入多次读取电存储器件(WORM)使用。此外，这种基于无机络合物介质层的薄膜器件也可以作为过电压保护器使用。