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公开(公告)号：CN115792346A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310092207.5
申请日：2023-02-10
Applicant: 安徽省国盛量子科技有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及量子传感技术领域，方案为一种基于微波移频法的交流电测算方法及量子电流互感器，其基于ODMR线性区特征以及信号变化输出波形的二倍频量与电流成定比的特点，可以构建反馈信号与电流的校准曲线，并结合不同微波频率下最佳电流检测区间不同的特性，对多个校准曲线进行线性部分截取，将各个校准曲线内检测精度高的线性部分进行整合连接得到最优测量曲线，通过其可以实现更高精度的电流测量，同时该测量方法避免了对交流电测ODMR谱线。
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公开(公告)号：CN115763236A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211350789.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/04 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/06 , B24B7/22 , B24B27/00
Abstract: 本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层；对碳化硅晶圆正面进行机械划片，将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题，进一步的提高了整个工艺的稳定性和芯片良率。
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公开(公告)号：CN115725222A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211246264.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 合肥工业大学
Inventor： 李宾宾 , 薛建议 , 罗沙 , 田宇 , 柯艳国 , 王刘芳 , 邱欣杰 , 程登峰 , 朱太云 , 朱胜龙 , 陈庆涛 , 黄杰 , 马亚彬 , 汪玉 , 李坚林 , 甄超 , 姜源 , 温睿 , 韦健 , 金晶 , 秦少瑞 , 秦金飞 , 叶剑涛 , 郑浩 , 宋东波 , 秦琪 , 陈艺 , 王鑫 , 金雨楠 , 周立军 , 曹飞翔 , 吴琼 , 金甲杰 , 曹涛 , 张竹 , 丁立健
IPC: C09D163/02 , C09D5/24 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种热致电导率自适应涂层及其制备方法与应用，该制备方法主要步骤有：建立电热耦合场下固体绝缘材料的表面电荷和沿面电场计算模型，获取优化的热致表层电导率分布；制备含有高电导填料的电导率‑温度自适应复合材料；更改所述高电导填料的含量，获得高电导填料含量、温度和电导率的对应关系，确定符合优化的热致表层电导率分布的高电导填料的含量，将电导率‑温度自适应复合材料在所述固体绝缘材料的表面形成涂层。该热致电导率自适应涂层可自动在温度梯度下形成连续的电导率梯度分布，能够实现温度梯度耦合直流电场作用下服役绝缘子表面电荷和沿面电场的自适应调控，从而提升绝缘子击穿电压，可用于抑制电热耦合场下表面电荷积聚。
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公开(公告)号：CN115584469A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211118561.2
申请日：2022-09-13
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法，所述方法包括如下步骤：金属淀积，对完成介质层台阶蚀刻的碳化硅晶圆进行溅射形成金属层；反溅射，采用氩离子轰击所述金属层以消除台阶间的封口；重复所述金属淀积和反溅射直至碳化硅台阶覆盖厚度达到设计要求。本发明通过反溅射对台阶上部和台阶间槽口的金属层进行刻蚀以达到清除台阶间槽口的金属层以避免槽口过早闭合；通过多次金属淀积和反溅射的循环加工实现了提高台阶底部填充厚度避免槽口封闭的有益技术效果。
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公开(公告)号：CN115377189A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210867122.5
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件终端结构及其制备方法，包括：在所述终端结构的外延层的上表面设有具有斜坡形状的斜面刻蚀区，所述斜面刻蚀区的高侧与置于所述外延层上的过渡区相接，所述斜面刻蚀区低侧为终端边缘；在所述终端边缘处设有N+注入截止环；在所述斜面刻蚀区上设有刻蚀沟槽；所述碳化硅器件终端结构的P型离子注入区域位于在所述刻蚀沟槽内，本发明将P型离子注入区域设置于斜面刻蚀区，并在刻蚀沟槽处进行注入可加深碳化硅器件终端结构的注入深度，通过斜面刻蚀终端技术和加深离子注入深度可以使电场分布趋于平缓，有效降低器件表面的局部电场，提高器件的可靠性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115330164A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210931964.2
申请日：2022-08-04
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 合肥工业大学
Inventor： 陈艺 , 赵龙 , 秦琪 , 汪玉 , 李宾宾 , 包佳佳 , 杨瑞雪 , 丁洁 , 王鑫 , 金雨楠 , 范明豪 , 马亚彬 , 翟玥 , 陈庆涛 , 黄杰 , 刘鑫 , 孙伟 , 李帷韬 , 李奇越 , 张磊
Abstract: 本发明公开了一种基于碳约束的控排企业多能优化方法及装置，所述方法包括：将每种能源分别作为粒子的一个维度，能源购买量作为粒子位置，初始化各粒子的初始位置和初始速度；计算适应度函数值，找到个体最优以及群体最优；判断是否符合碳约束条件，如果符合，则计算惯性权重，根据惯性权重更新粒子位置和速度；如果不符合碳约束条件，则随机更新粒子位置和速度；判断是否达到最大迭代次数，若否，将更新后的粒子位置和速度作为初始位置和初始速度返回上述步骤，若是，则输出控排企业多种能源购买量的最优解；本发明的优点在于：立足具体生产过程，研究了能量输入策略对产出及碳排放的影响，节约能量输入、减少碳排放，具有现实可行性。
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公开(公告)号：CN113960345A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111276024.6
申请日：2021-10-29
Applicant: 国仪量子(合肥)技术有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R15/20 , G01R19/04 , G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种电流检测方法、装置及存储介质，涉及电力电子技术领域，其中，方法包括：向含有NV色心的金刚石传输激光信号和微波信号，以使金刚石产生荧光信号，其中，金刚石设置在待测电流周围的预设区域内；接收荧光信号，并根据荧光信号得到待测电流的高频成分。由此，解决了相关技术中基于罗氏线圈的互感器去掉了铁芯后，互感器对待测电流的响应明显降低，导致电流测量精度下降，无法准确得到高频成分，以及存在高压侧供电等问题。
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公开(公告)号：CN113281683A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110511015.4
申请日：2021-05-11
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽省国盛量子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 一种用于金刚石薄膜磁成像装置的微波天线及制作方法。本发明金刚石薄膜设置有一对正负电极；金刚石薄膜的背面固定设置有微波天线，微波天线为材质是铜或银的丝线，丝线的两端分别与正负电极连接；正负电极分别设置在金刚石薄膜的两端；2条以上的丝线平行设置，相邻2条丝线之间的距离相等；制作方法的步骤是，A、清洗金刚石薄膜表面，B、在金刚石薄膜的背面制备掩膜，C、在金刚石薄膜的正面镀增透膜。其有益效果是，结构设计合理，在金刚石薄膜背面制作平行排布的微波天线，高效利用磁成像装置的微波信号，均匀地调控NV色心的自旋态，实现磁场的精确测量，能够解决特殊环境下的磁场测量问题。
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公开(公告)号：CN113219387A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110591911.6
申请日：2021-05-28
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽省国盛量子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Inventor： 赵龙 , 赵博文 , 王鑫 , 仇茹嘉 , 杨海涛 , 谢佳 , 柯艳国 , 李伟 , 高博 , 郑国强 , 汪玉 , 孙建 , 王丽君 , 陈凡 , 李圆智 , 陈嘉 , 罗大程
IPC: G01R33/12
Abstract: 一种固态量子自旋荧光成像系统。本发明的激光器发射激光经过一对共轭凸透镜形成平行的激光，通过声光调制器控制系统的激光，将产生的一级衍射光斑经光纤耦合器耦合进光纤中，再经过双色片作用于金刚石NV色心探头上；金刚石NV色心探头激发后产生的荧光经过双色片、滤波片之后被光电探测器收集；光电探测器输出信号作为锁相放大器的参考信号；计算机调控微波器产生微波并依次经过微波开关、微波放大器、微波环形器之后作用于金刚石NV色心探头；微波开关发出的信号作为锁相放大器的参考信号，锁相放大器的输出信号被计算机的数据采集卡收集。其有益效果是，实现光路系统的高灵敏度、高成像速度、高空间分辨率。
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公开(公告)号：CN113174582A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110437149.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 安徽新力电业科技咨询有限责任公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽省国盛量子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 一种微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜方法。其步骤是：步骤A、研磨，使用金相砂纸研磨单硅基片表面并产生划痕；步骤B、清洗，将单硅基片置入丙酮溶液的烧杯中超声波清洗；步骤C、形核，将单硅基片置于微波等离子体化学气相沉积设备腔体中；步骤D、刻蚀，氢等离子体对晶核作刻蚀净化处理；步骤E、生长，通入CH₄气体使金刚石膜正常生长；步骤F、沉积，当步骤E金刚石膜生长50～70分钟时，用纯H等离子体作5～10分钟的沉积；循环步骤D、步骤E8次；步骤G、后处理，进行原位氧等离子后处理，获得金刚石膜。其有益效果是，最终沉积的金刚石膜的纯度以及取向度高，电阻率高的特点，可以达到光学应用的要求。
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