公开(公告)号：CN115584469A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211118561.2

申请日：2022-09-13

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 董佳俊 ,  李青岭 ,  赵万利 ,  李旭晗 ,  王锐 ,  常树丞 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/24 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法，所述方法包括如下步骤：金属淀积，对完成介质层台阶蚀刻的碳化硅晶圆进行溅射形成金属层；反溅射，采用氩离子轰击所述金属层以消除台阶间的封口；重复所述金属淀积和反溅射直至碳化硅台阶覆盖厚度达到设计要求。本发明通过反溅射对台阶上部和台阶间槽口的金属层进行刻蚀以达到清除台阶间槽口的金属层以避免槽口过早闭合；通过多次金属淀积和反溅射的循环加工实现了提高台阶底部填充厚度避免槽口封闭的有益技术效果。

公开(公告)号：CN118039454A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211366740.8

申请日：2022-11-01

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司信息通信分公司

Inventor： 葛欢 ,  常树丞 ,  孙俊敏 ,  吴沛飞 ,  何荧峰 ,  李旭晗 ,  蔡依沙 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L23/29 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

Abstract: 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件，包括：在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层；将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内，在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理，形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内，使退火温度大于预设温度条件下，通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火，从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子，恢复到正常状态，可以进一步消除冻结的缺陷，发生各种再结晶，从而导致晶粒增大晶界减少，提高二氧化硅薄膜的致密性。

公开(公告)号：CN119335325A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202310878688.2

申请日：2023-07-18

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 李嘉琳 ,  阎海亮 ,  李青岭 ,  朱涛 ,  孙俊敏 ,  李旭晗 ,  严静融 ,  王锐 ,  白雪 ,  王海兴 ,  董佳俊 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC: G01R31/12 ,  G01R1/04 ,  G01R1/067

Abstract: 本发明提供了一种应用于芯片高压测试的测试装置及测试方法，属于半导体生产技术领域，该测试装置包括可发热的载物台、测试油槽、探针座和探针。测试油槽设置在载物台上；探针座设置在测试油槽外，探针设置在探针座上；测试过程中，测试油槽盛放绝缘油，探针与放置在测试油槽中的器件相接触。该测试装置通过将器件放在绝缘油中进行高压测试，可杜绝测试过程中导电通道的出现，保证测试提高精度，防止高压测试过程中器件被损坏。