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公开(公告)号:CN118195610A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202311506863.1
申请日:2023-11-13
Applicant: 北京航空航天大学 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 中国电力科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于SM9密码算法的分布式电力交易方法、系统及相关设备,包括密钥生成中心(key generation center,KGG)、签名者(Signer)和验证者(Verifier)等参与者类型,所述方法包括如下步骤:1)系统初始化2)密钥提取3)环签名生成4)环签名验证等四个过程。本发明不仅保留了环签名的主要特性,具有正确性、匿名性和不可伪造性,同时能够解决传统公钥体制下用户公钥与证书管理的复杂性问题,当一笔交易的签名标识群组由n个用户组成时,攻击者确定某用户是实际交易用户的概率也不超过#imgabs0#
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公开(公告)号:CN118039472A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202211358217.0
申请日:2022-11-01
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/308 , H01L29/06
Abstract: 一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构,包括:在SiC衬底表面依次沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜;对所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜进行湿法侧向腐蚀,得到具有预设角度台面的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜;基于所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜,对所述SiC衬底进行干法刻蚀,得到具有目标角度台面的SiC衬底;其中,所述第一SiO2薄膜的致密度大于所述第二SiO2薄膜的致密度;本发明通过将湿法腐蚀和干法刻蚀相结合能够有效实现二氧化硅台阶形貌转移,最终得到小角度、底部平缓、侧壁光滑的SiC台面,进而提高刻蚀小角度SiC平缓台面的制备效率。
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公开(公告)号:CN117951647A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410238609.6
申请日:2024-03-04
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F18/25 , G06F18/22 , G06F18/213
Abstract: 本发明公开了一种基于数据融合的电网信息分析处理方法,属于数据处理领域。本发明通过采集电网实时状态参数和关键拓扑信息,整合生成电网#imgabs0#级实时状态参数不良因子、电网#imgabs1#级实时状态参数良好因子和电网可用#imgabs2#级关键拓扑信息;对电网#imgabs3#级实时状态参数进行运行分析处理,得到电网状态良好系数,并产生安全信号和危险信号,发出对应指令;对电网#imgabs4#级实时状态参数与电网可用#imgabs5#级关键拓扑信息进行关联分析处理,获得电网#imgabs6#级实时状态参数不良因子和#imgabs7#级关键拓扑信息的关联关系,制成电网柱状状态图和#imgabs8#级实时拓扑表,以便进行电网状态分析、故障检测操作,可以帮助我们更好地理解电网的运行情况,并采取相应的措施来保障电网的稳定运行。
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公开(公告)号:CN117938536A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202410195853.9
申请日:2024-02-22
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽明生恒卓科技有限公司
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明涉及数据传输技术领域,具体涉及一种基于端到端传输的多业务数据传输方法。该方法包括:接收端获取待传输数据的日志;根据待传输数据的日志分析得到传输风险指数;判断传输风险指数是否超过预设阈值,若是,则拒绝接收待传输数据,若否,接收待传输数据;接收端基于传输数据生成操作痕迹,并将操作痕迹反馈至发送端;发送端基于操作痕迹判断是否进行数据追溯,若是,则对传输数据进行数据追溯。本发明能够解决现有方案中多业务数据在端到端传输过程中安全性低的技术问题。
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公开(公告)号:CN117393609A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311591602.4
申请日:2023-11-27
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法,涉及半导体器件领域。该器件包括:由底到顶的衬底层、缓冲层和漂移层;漂移层中从一端到另一端嵌有多个p阱区;每两个p阱区之间设置肖特基区;肖特基区与p阱区之间为结型场效应管区;肖特基区中设置两个肖特基接触p+区;p阱区中嵌有两个n+源区和一个位于中间的源极p+区;漂移层中从一端开始每两个p阱区构成一个p阱区组;p阱区组中的源极p+区的宽度相同;漂移层中的p阱区组的源极p+区的宽度从器件的边缘至器件的中央呈递增分布;p阱区的上表面设置栅氧化层和多晶硅层;栅氧化层和多晶硅层的外表面包裹隔离介质层。本发明能提高碳化硅MOSFET器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN117388571A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311333928.7
申请日:2023-10-13
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽省国盛量子科技有限公司
IPC: G01R23/02 , G01R33/032 , G01R15/24
Abstract: 本发明提供一种微波共振频率的获取方法、量子互感器及电流互感器,在微波共振频率的获取方法中,以初步选择的中心频率为界,将调频后的数据分为前后段,在每一段中通过查找最大值以及最小值,来锁定共振频率所在的区间,在此区间中,再查找零值点相邻的正负值,从而根据这两个正负值确定位于两者之间的零值点所对应的频率即为共振频率。简单易行,所需的计算资源以及运行空间相较于现有技术中的曲线拟合较小,能够节省成本,且效率、准确度均较高。基于此微波共振的获取方法所提供的量子传感器以及电流互感器,能够提高精密测量的效率以及准确性。
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公开(公告)号:CN116952920A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202311033320.2
申请日:2023-08-16
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽省国盛量子科技有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提供基于金刚石NV色心的激光调控、荧光探测方法及传感器,通过将金刚石产生的荧光以及混合在荧光中的激光分离开并分别予以收集,将收集的激光与设定值进行比较,获取偏差,采用PID算法根据此偏差对发射的激光功率进行调控,以稳定激光功率,能够对来自激光源以及光路传输中的干扰噪声进行抑制,实现激光的稳定,提高测量精准度。在稳定激光的基础上,将收集的激光进行增益调节,使得激光与荧光的差分为零,获取相对初始增益的增益增量来表征荧光的实时探测值,能够较好的抑制随荧光的变化而变化的共模噪声,进一步提高系统测量的准确度。
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公开(公告)号:CN116796837A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310858886.2
申请日:2023-07-13
Applicant: 国网安徽省电力有限公司 , 合肥工业大学
IPC: G06N5/02 , G06F16/901 , G06Q50/06
Abstract: 本发明公开了一种基于种子‑扩展启发式搜索的电网图谱最大公共子图发现方法,是用于同源物理电力网络而不同应用场景的电网图谱间拓扑结构比对,发现最大公共子图,包括以下步骤:1.根据电网图谱的节点标签和度构建图谱间节点的相似性得分函数,2.基于种子‑扩展启发式搜索的电网图谱全局比对方法,进而发现图谱间的最大公共子图。本发明将两个比对的电网图谱转化为无向图,并建立相应的比对图,进而将两个网络的结构比对问题转化为公共子图的问题,根据定义的节点相似性度量方法以及节点之间的拓扑结构关系,计算所有节点间的相似度,最终借助于基于种子‑扩展的启发式搜索予以求解,得到同源电网图谱间的最大公共子图。
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公开(公告)号:CN115792346A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202310092207.5
申请日:2023-02-10
Applicant: 安徽省国盛量子科技有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及量子传感技术领域,方案为一种基于微波移频法的交流电测算方法及量子电流互感器,其基于ODMR线性区特征以及信号变化输出波形的二倍频量与电流成定比的特点,可以构建反馈信号与电流的校准曲线,并结合不同微波频率下最佳电流检测区间不同的特性,对多个校准曲线进行线性部分截取,将各个校准曲线内检测精度高的线性部分进行整合连接得到最优测量曲线,通过其可以实现更高精度的电流测量,同时该测量方法避免了对交流电测ODMR谱线。
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公开(公告)号:CN115763236A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211350789.4
申请日:2022-10-31
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/04 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/06 , B24B7/22 , B24B27/00
Abstract: 本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构,包括:基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层;对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理;在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层,并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层;对碳化硅晶圆正面进行机械划片,将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理,再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理,可有效降低晶圆翘曲释放应力,从而降低碎片率,为后续采用机械划片提供了可能,避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题,进一步的提高了整个工艺的稳定性和芯片良率。
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