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公开(公告)号:CN103360050A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310290510.2
申请日:2013-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法。该微波介质陶瓷的表达式为xCaTiO3-(1-x)La(Ga1-yAly)O3,其中,0.62≤x≤0.66,0.1≤y≤0.9。其制备方法包括球磨、干燥、预烧、再球磨、造粒和烧结步骤。本发明提供的中介电常数的微波介质陶瓷性价比高,具有良好的微波介电性能,生产工艺简单,重复性好,原料丰富,应用广泛。
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公开(公告)号:CN102531571A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201210042603.9
申请日:2012-02-23
Applicant: 华中科技大学 , 武汉虹信通信技术有限责任公司
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高Q值中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法,涉及微波介质陶瓷。本发明采用一种新型的材料体系:碳酸钙(CaTiO3)和镓酸镧(LaGaO3)两相复合获得xCaTiO3-(1-x)LaGaO3(x=0.66~0.62)微波介质陶瓷,其组分按质量百分比:CaCO325~35%;TiO2 15~30%;La2O320~35%;Ga2O310~25%;所述CaCO3和TiO2的纯度均大于或等于99.0%,La2O3和Ga2O3的纯度均大于或等于99.9%。本发明具有良好的微波介电性能;生产工艺过程简单,重复性良好;可广泛应用于性能优异的介质谐振器、滤波器及双工器等微波器件的制备,满足通信基站等系统的技术需求。
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公开(公告)号:CN1537825A
公开(公告)日:2004-10-20
申请号:CN200310111269.9
申请日:2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明涉及陶瓷及其制备方法,目的是提供具有较高介电常数、损耗低和良好温度稳定性、而且原料价格便宜、便于实现产品化的微波介质陶瓷,本发明微波介质陶瓷是表达式为mSrTiO3-nSr(Mg1/3Nb2/3)O3-PSrWO4的固溶体介质陶瓷,其中m为0.01~0.08摩尔%、n为0.85~0.97摩尔%、P为0.01~0.09摩尔%;其制备方法顺序包括步骤:(1)按所述摩尔比称量原料(m+n+p)SrCO3、mTiO2、n/3MgO、n/3Nb2O5、PWO3;(2)混合球磨20~24小时,烘干后在1100℃~1250℃预烧2~8小时;(3)再次球磨20~24小时并烘干;(4)添加粘结剂并造粒后,单轴成形在0.5~1×106Pa压力下制备圆柱状陶瓷坯体;(5)所获坯体在1350℃~1550℃烧结4~8小时。本发明提出的微波陶瓷介电常数高、介电损耗小、谐振频率温度系数小,原料来源广泛,价格便宜,适用于通讯系统中的介质谐振器、滤波器等微波元器件。
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公开(公告)号:CN119661234A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411972104.9
申请日:2024-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明公开一种高导热陶瓷材料及其增材制造方法。该方法包括以下步骤:将氮化铝、烧结助剂、第一润湿分散剂和有机溶剂进行球磨混合,随后经烘干、过筛,得到改性氮化铝粉;将光固化预聚物与光固化单体进行真空球磨混合,得到光固化预混液;在避光条件下,将改性氮化铝粉、光固化预混液、第二润湿分散剂、塑性剂和光引发剂进行真空球磨混合,得到光固化陶瓷浆料;采用光固化陶瓷浆料进行逐层打印和固化,得到氮化铝陶瓷坯体;将氮化铝陶瓷坯体依次进行裂解、脱脂、烧结,得到高导热陶瓷材料。本发明制备的氮化铝陶瓷坯体层间结合强、固含量高、坯体精度高,经烧结后热导率高于200W/m·K。本发明的方法工艺步骤简单。
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公开(公告)号:CN119638437A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411972100.0
申请日:2024-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开一种无压烧结氮化铝陶瓷及其制备方法和应用。该制备方法包括:将微米级氮化铝、烧结助剂、纳米级钼粉、分散剂、粘结剂和有机溶剂球磨混合制成料浆;将料浆烘干后经造粒、成型、排胶、烧结得到无压烧结氮化铝陶瓷;其中,烧结助剂为氟化钐和氟化钇的组合。本发明利用纳米级钼粉与氧的亲和力强在低温下除氧,并与烧结助剂在高温下共同起到液相助烧的作用,在较低烧结温度下采用无压烧结实现致密化烧结并抑制晶粒生长,获得兼顾导热与强度的氮化铝陶瓷,同时生成的低阻第二相,在改善氮化铝陶瓷的导热特性的同时调节其电阻率,提高氮化铝材料的导电性能,最终获得高导热和弯曲强度及适中电阻率的氮化铝陶瓷以满足静电卡盘的使用需求。
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公开(公告)号:CN113161726B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202110266726.X
申请日:2021-03-11
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种金属腔体毫米波阵列天线,其包括,8×8天线辐射单元以及金属波导馈电网络,天线阵列由4×4个天线子阵组成。每个子阵包括:金属腔体,开有四个辐射口;金属腔体,用于接收电磁波产生谐振;四个金属块体,与上方四个辐射口共用同一个腔体,形成四个辐射单元。每个金属块上表面都有沿X轴方向的面电流;通过在腔体上方添加金属盖板,每个金属块平行于Y轴的两边与辐射口形成辐射双缝,等效为两个磁流辐射结构。四个辐射单元共用同一个金属腔体和一个馈电耦合缝隙,使天线结构得到简化,天线的厚度小于一个波长,具有低剖面的特性,整个天线为纯金属结构,避免了介质损耗问题,本发明天线具有低剖面、高增益、低损耗和高效率的特性。
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公开(公告)号:CN117855798A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410112828.X
申请日:2024-01-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01Q1/22 , H01Q1/28 , H01Q1/36 , H01Q15/00 , H01Q1/50 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H01Q21/00 , H01Q21/30
Abstract: 本发明公开了一种航天器太阳能帆板集成超表面阵列天线。该阵列天线包括:层叠放置的单元阵列介质基板、工字型馈电网络介质基板、底层馈电网络介质基板和太阳能帆板;单元阵列介质基板包括多个阵列排布的基片集成腔体单元和位于基片集成腔体口径面中心位置的超表面结构,超表面结构包括若干周期性间隔排列的矩形金属贴片;工字型馈电网络介质基板包括多个工字型馈电网络单元,对单元阵列介质基板进行馈电;底层馈电网络介质基板将能量馈入至多个工字型馈电网络单元;太阳能帆板与阵列天线通过金属地板隔离,负责收集阵列天线背面的照射能量。通过将宽带高增益阵列天线与太阳能帆板集成在一起,有效实现了性能提升。
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公开(公告)号:CN117623758A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311614453.9
申请日:2023-11-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡织构化压电陶瓷及其制备方法,属于陶瓷制备技术领域,所述制备方法包括:以(001)晶向的BaTiO3片状微晶为模板,与(1‑x)BiFeO3‑xBaTiO3陶瓷基体粉混合,通过流延工艺使基体粉沿模板晶向生长,期间,通过控制BaTiO3片状微晶的量,使其与陶瓷基体粉的体积比不超过0.06,流延膜厚度为30~50μm,且采用温度高达970℃~1040℃的高温烧结与高温淬火的方式,最终形成织构化的BF‑BT陶瓷,所形成的陶瓷具有较好的压电性能和织构度,且上述方法工艺简单,不需要添加额外的材料。
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公开(公告)号:CN115925401B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202211404668.3
申请日:2022-11-10
Applicant: 华中科技大学 , 广东风华高新科技股份有限公司
IPC: C04B35/16 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63
Abstract: 本发明属于微波介质材料技术领域,公开了一种低介硅酸盐微波介质陶瓷材料,同时包括Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相,且这两相的摩尔比为(1‑y):y,其中,0≤x≤0.16,0<y≤0.70;该微波介质陶瓷材料的性能参数满足如下要求:相对介电常数εr∈[8.45,9.75],品质因数Q×f∈[18900,43500)GHz,谐振频率温度系数τf∈[‑34,1.5]ppm/℃。本发明通过对微波介质陶瓷材料的组分进行改进,将Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相复合得到低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷(1‑y)Ba2‑xSrxMn2Si2O9‑yBa5Si8O21,具有较宽烧成温度范围、性能优良等特点,能够有效扩充低介电常数硅酸盐基微波介质陶瓷的材料种类。
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公开(公告)号:CN113480303B
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202110850519.9
申请日:2021-07-27
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H01B3/12 , C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种铝酸盐基低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,其中微波介质陶瓷的主晶相具有石榴石型晶体结构,具体化学组成为(2+x)CaO‑0.5Ln2O3‑(2‑y)ZrO2‑(x+y)MO2‑1.5Al2O3,Ln为Y、La、Lu、Gd或其它镧系元素,M为Hf、Sn或Ti,0≤x≤0.5,0≤y≤2.0。微波介质陶瓷的介电常数为10.81~13.52,品质因数为72441GHz~121930GHz,谐振频率温度系数为+0.50ppm/℃~‑35.48ppm/℃。在制备过程中陶瓷材料预烧条件为1300℃保温5小时,烧结条件为1500℃~1600℃保温10小时。本发明中制备得到的微波介质陶瓷具有低介电常数、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点,适合用于制备介质基板、介质谐振器、介质天线等微波通讯器件。
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