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公开(公告)号：CN104851947A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510189107.X
申请日：2015-04-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙化透光结构；所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上，或者在p型半导体结构的钝化层上，或者在p型半导体结构的透明电极上，或者在p型半导体结构的透明有机层上或者在n型半导体结构上，或者在衬底上。本发明可以改善LED器件出光受全反射角的影响，从而提升LED器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN104569064A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510062429.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种石墨烯气体传感器及其制备方法。该方法首先在衬底上依次沉积牺牲层和应变薄膜，接着，直接在应变薄膜上制备石墨烯层或将已制备好的石墨烯层转移至应变薄膜上，通过光刻和腐蚀形成台面，同时将牺牲层暴露出来；然后在石墨烯层上继续沉积金属电极；最后，侧向腐蚀掉牺牲层，使得应变薄膜与衬底脱离自卷曲成管，从而得到附着在管内壁上的卷曲石墨烯气体传感器。该石墨烯气体传感器对多种气体分子都具有较高的灵敏度且为三维结构，器件尺寸小，制备方法简单，适于大批量、低成本制备。此外，直径可调控的管状结构不仅提供了待测气体的天然输运通道，还可与其它片上微纳功能单元集成构筑芯片实验室。
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公开(公告)号：CN103199438B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210000830.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子点层之间设有间隔层，其特征在于，至少有一组相邻两层量子点层之间的间隔层为两层，两层间隔层之间还设有应变补偿层。还公开了一种制备上述GaAs基多层自组织量子点结构的方法。本发明消除了多层量子点之间的应变积累，从而有效地减小了各层量子点间的相互影响，解决了由于应变积累导致的上层量子点变大的问题，改善了多层量子点的均匀性，同时还提高了多层量子点结构的周期数及模式增益。
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公开(公告)号：CN103367370A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210084793.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN103199438A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210000830.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子点层之间设有间隔层，其特征在于，至少有一组相邻两层量子点层之间的间隔层为两层，两层间隔层之间还设有应变补偿层。还公开了一种制备上述GaAs基多层自组织量子点结构的方法。本发明消除了多层量子点之间的应变积累，从而有效地减小了各层量子点间的相互影响，解决了由于应变积累导致的上层量子点变大的问题，改善了多层量子点的均匀性，同时还提高了多层量子点结构的周期数及模式增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102040191B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910209480.1
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。
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公开(公告)号：CN101685774B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810161833.0
申请日：2008-09-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。
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公开(公告)号：CN102040191A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910209480.1
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。
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公开(公告)号：CN101958753A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910160632.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器，包括：至少两个光探测器，所述光探测器信道相邻且具有滤波性能；信号处理单元，所述信号处理单元对探测器的输出信号的直流分量进行比较，以向所述光探测器中指定的光探测器输出的交流信号实现光谱响应。本发明所提供的是可以实现可变带宽的平顶陡边的解复用接收器，同时可以实现可调谐的平顶陡边的解复用接收器。
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公开(公告)号：CN101958362A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910160633.8
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种纳米波导结构半导体光探测器的制备方法，包括以下步骤：在半绝缘衬底上生长光探测器的外延材料，依次生长缓冲层，底部谐振腔反射镜，下隔离层，探测器吸收层，上隔离层，顶部谐振腔反射镜；在光探测器顶部欲作为反射镜的薄膜上实现具有特定几何图样的有限周期数目纳米波导结构；去除没有进行保护的区域，直到露出欧姆接触层表面；在欧姆接触层表面蒸发多层金属合金，同步完成垂直腔型光探测器的欧姆接触层；进行光探测器的隔离和介质钝化以及开孔互连，得到所需光探测器。其可作为光探测器谐振腔的宽带高反射率反射镜、偏振控制器或自聚焦透镜，解决工作在光通信用长波长波段的半导体光探测器中磷化铟基材料的制约。
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