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公开(公告)号：CN102219392A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110115291.5
申请日：2011-05-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C17/30
Abstract: 一种玻璃管在线生产过程中的强化处理方法属于玻璃材料制造领域。本发明在玻璃管温度处于退火温度点以下温度，并且玻璃管表面温度为200℃～600℃时，在玻璃管外侧通过环形超微雾化器，喷涂液体强化介质，强化介质为纯净水、纯净水与乙烯基三乙氧基硅烷的水溶液、二乙基二氯硅烷的水溶液或者异丁基三乙氧基硅烷水溶液，上述水溶液固含量在15wt％～35wt％且溶剂均为纯净水。本发明目的在于提供一种玻璃管在线生产过程中的强化处理方法，改善和提高玻璃管的机械强度，提高其应用的安全性，同时该强化处理工艺属于在线工艺，最大限度地节约能源，减少人力成本、简化生产工艺、减少占地。
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公开(公告)号：CN101264449B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810106142.0
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: TiO2/ZnFe2O4磁性复合光催化剂的制备方法属于纳米光催化剂材料制备技术领域。本发明采用磁性材料ZnFe2O4作载体，不需要添加任何有机物质或中间层，通过溶胶凝胶的方法，组装成复合纳米颗粒的磁性光催化剂，既可以保持较好的悬浮性而且具有较高的光催化活性，又可利用磁分离技术方便迅速的回收磁性光催化剂，达到多次再生利用的目的。
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公开(公告)号：CN101717251A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910242211.5
申请日：2009-12-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种改性钛酸铅压电陶瓷材料，以Pb0.88(La0.6Nd0.4)0.08(Mn1/3Sb2/3)0.02Ti0.98O3体系为基体，Co2O3为掺杂氧化物，Co2O3掺杂量为基体的0.15-0.85％质量比；本发明还公开了一种改性钛酸铅压电陶瓷材料的制备方法，包括按Pb0.88(La0.6Nd0.4)0.08(Mn1/3Sb2/3)0.02Ti0.98O3和Co2O3配料、混料、轧膜、排塑、烧结步骤。利用本发明提供的方法获得的压电陶瓷材料，具有高的居里温度，能满足无铅焊接工艺(如回流焊)的要求，同时，压电系数d33可达到72～78pC/N，机械品质因子Qm可达到2000～2200，厚度模式机电耦合系数kt可达到42～49％，符合高频频率器件，如谐振器、滤波器等引线元件应用要求。
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公开(公告)号：CN101476121A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910077832.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法，可应用于需要防水附着的各种铜表面。属于材料的表面物理化学领域。现有技术主要是利用低表面能的有机化学试剂修饰，达到超疏水的目的。然而，这种用有机化学试剂进行表面处理的方法成本较高，工艺复杂，对环境也有影响。本发明提供了一种简单的低压氧化法，在铜表面生成具有双层微纳结构的氧化铜薄膜，从而达到超疏水状态。这就免去了低表面能有机化学试剂修饰的过程，节省了制作成本，简化了工艺，且减少了有机废物的排放。
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公开(公告)号：CN101285168A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810056012.0
申请日：2008-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功率沉积一层金属铜薄膜，然后采用小功率溅射法对金属铜薄膜表面进行小功率溅射沉积。我们的研究表明，直接先沉积的一层金属铜表面接触角在90度左右，在经过稳定的小功率溅射沉积后，接触角在155℃左右，达到超疏水性，并同时保持良好的导电性能。本发明的纳米多孔薄膜材料不但具有超疏水性，并且比其它超疏水薄膜材料拥有较好的机械性能，优良的热传导性和良好的导电性能。该薄膜材料主要应用于微流器件、生物芯片、半导体芯片表面技术等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101104144A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710118065.6
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/22
Abstract: 纳米BiVO4材料可见光催化剂制备方法属于光催化材料领域。本发明特征在于：将V2O5按Na/V摩尔比1∶1溶入浓度为1－3mol·L－1的NaOH溶液中，制得NaVO3溶液，将Bi(NO3)3·5H2O溶于浓度为4－6mol·L－1的浓硝酸中。分别向上述两种溶液中，添加十六烷基三甲基溴化铵。将上述两种溶液按照V/Bi摩尔比为1∶1混合并搅拌均匀，制成BiVO4的前驱体。将前驱体放入微波炉中，微波功率为119W－280W加热10－40分钟后，冷却后，用去离子水洗涤、干燥。该方法不用较贵的原材料，生产工艺简单，降低了能耗，所得产物具有纯相的单斜相结构，尺度均一的纳米片。
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公开(公告)号：CN100347343C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510114853.9
申请日：2005-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域。现有无机材料疏水性的研究，主要是用非晶碳薄膜，但难实现良好的透明性，且化学稳定性不如氮化硼薄膜。一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄膜，厚度在0.2微米到2.5微米的范围；然后将真空室中充入氩气，并控制工作气压在0.2～4.0Pa，施加射频电磁场，射频功率在50～200W，利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜表面进行刻蚀，刻蚀时间控制在5～30分钟。为了提高刻蚀效果，可充入体积百分比为15%～80%的含氟气体。本发明的氮化硼薄膜表面不仅具有良好的疏水性能，并保持良好的透明性，适用于在需要透明、防雾、防水及易清洁的固体表面处理。
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公开(公告)号：CN1321901C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610057988.0
申请日：2006-03-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G33/00 , C04B35/495
Abstract: 本发明属电介质陶瓷材料领域。现有液相化学法缺点：产物中残留氯化物杂质，产生有毒气体；铌醇盐价格昂贵，易水解。本发明步骤：将摩尔比为1∶8的Nb2O5-KOH混合物经340-380℃煅烧1-2h，溶于去离子水，硝酸滴定pH值至2-3得到沉淀，分离并溶于草酸溶液，搅拌后得到含铌草酸溶液A；氨水滴定溶液A至pH值为10-11，经分离和洗涤获得沉淀物B；将沉淀物B溶于硝酸溶液，并按最终化合物Pb(M，Nb)O3化学计量比，加入Pb(NO3)2及与M的硝酸盐；滴加铌摩尔量1-10倍的双氧水，搅拌10-30min得到前驱体溶液C；用氨水或二乙胺作为沉淀剂，调节溶液CpH值至10-13，得到共沉淀产物D；将产物D离心，洗涤，80-100℃干燥后在800-900℃煅烧1-4h，得到Pb(M，Nb)O3粉末。本发明过程简单无害，产物具纯钙钛矿相和均一粒径，成本降低。
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公开(公告)号：CN1311902C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510123977.3
申请日：2005-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/20 , B01J37/04 , C04B35/495 , C01G33/00 , C01B3/02
Abstract: 本发明属功能陶瓷领域。目前制备铌酸盐薄膜用铌的醇盐作原料，要求控制精确，时间长，成本高。本方法步骤：按Nb2O5∶柠檬酸＝1∶10～20称水合氧化铌和柠檬酸，加入到乙二醇单甲醚中，再加过氧水，70～90℃下回流4～8h形成含铌溶液；醋酸钾溶于乙酸溶液得含钾溶液；将含钾溶液和含铌溶液按K∶Nb＝4.0～4.2∶6混合，浓度0.10～0.15M，70～90℃下混合30～45分钟形成前驱液，陈化24～48h；旋涂成膜，甩胶速度3000～4000转/分，时间为30～45s，干燥，350℃～400℃预处理10～15分钟，经3～4次成膜-干燥-预处理，获得80～100nm的薄膜后，再以10～15℃/分升至600～700℃，退火10～15min。本发明不需用昂贵的铌醇盐，前驱液稳定性好，薄膜具良好(040)择优取向结构、光催化分解水制氢能力。
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公开(公告)号：CN1713327A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510084230.1
申请日：2005-07-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种电子发射阴极结构的制备，适用于平面显示器件或电子源阴极材阴极。本发明步骤：选定金属或n掺杂半导体，作为电子供给层；选择多层膜构成组分，选择原则为：组分材料的电子亲和势应存在差异；设计多层膜，层数至少两层，且相邻膜层为不同组分，除基底外的多层膜总厚度为6～20nm，而每层厚度大于1nm，小于或等于10nm；确定每层膜层厚度：多层膜总厚度不变，每层膜厚度为1～10nm情况下，改变其膜厚度，得到多种不同厚度比例的多层膜结构；计算上述不同的多层膜结构的场发射电流，选取最大的多层膜结构确定每层膜的实际厚度；按确定每层膜实际厚度在基底上沉积一组多层膜结构。本发明无需开发新材料或完善材料本身特性即可提高场发射特性。
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