公开(公告)号：CN103280520A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310173937.4

申请日：2013-05-11

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 丁发柱 ,  古宏伟 ,  张腾 ,  王洪艳 ,  屈飞 ,  彭星煜

IPC: H01L39/24

Abstract: 一种YBa2Cu3O7-x超导复合薄膜的制备方法，首先配制前驱液，把乙酸钐Sm(CH3COO)3、乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Sm:Y：Ba：Cu=0.05～0.1:1：2：3的摩尔比混合溶于10-30mol℅三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇和松油醇，制成Sm、Y、Ba和Cu四种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的溶液，制备成前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300℃-500℃的低温热处理过程，分解三氟乙酸盐；最后经历800℃-900℃高温热处理和450℃-550℃的退火过程形成含有纳米氧化钐的YBa2Cu3O7-x（YBCO）超导复合膜。本发明制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达6MA/cm2（77K,0T）。

公开(公告)号：CN103014643A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210534197.8

申请日：2012-12-11

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 屈飞 ,  古宏伟 ,  丁发柱 ,  戴少涛

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池光吸收层的方法。首先在玻璃基片上溅射制备Mo背电极；然后以Ga2Se3、In2Se3和CuSe三种二元陶瓷块交叉拼接靶材为靶材，各拼接陶瓷块角度分别为5°，20°，20°。在400℃～450℃条件下在Mo背电极上用射频磁控溅射沉积铜铟镓硒（CIGS）薄膜，随后将沉积获得的CIGS薄膜移入管式真空炉中，真空炉抽至真空小于8.0×10-3Pa，以20℃/min升温速率将CIGS薄膜加热至500℃～550℃，以5℃/min将硒源加热到230℃～280℃，用氩气（Ar）作为载气将硒输运到真空管式炉中，退火气压1Pa～10Pa，保温时间20min～40min，随后以10℃/min的降温速率降温至350℃，随炉冷却至150℃，得到CIGS薄膜太阳能电池光吸收层。

公开(公告)号：CN102784615A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210296056.7

申请日：2012-08-17

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 张腾 ,  古宏伟 ,  丁发柱 ,  屈飞 ,  戴少涛

IPC: B01J20/10 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  C02F1/28

Abstract: 一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法。首先采用水热法制备Fe3O4纳米粒子，随后通过四乙氧基硅烷（TEOS）的水解反应制备具有致密硅壳层结构的磁性纳米粒子Fe3O4@SiO2，最后以Cu2+离子为模板离子、含氮硅烷化试剂（aapts,H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OMe)3）为功能单体、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为致孔剂、TEOS为交联剂在Fe3O4@SiO2表面沉积多孔Cu2+离子印迹硅胶层，所得的磁性铜离子印迹材料可对Cu2+离子进行快速选择性富集、且具有优异的再生性能和耐酸性能。

公开(公告)号：CN102751381A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210226903.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 屈飞 ,  古宏伟 ,  丁发柱 ,  张腾 ,  邱清泉 ,  戴少涛

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种铜铟硒基薄膜太阳能电池钼电极的制备方法，首先采用离子束清洗玻璃片表面，其工艺参数为：真空度2.0×10-2~5.0×10-2Pa，Ar气氛下，离子源加速电压；250V～350V，离子束流；50mA~60mA，电子束流为离子束流的1.5倍。然后采用直流磁控溅射工艺制备，其工艺参数为：Mo靶靶基距150mm，真空度0.1Pa～3Pa，溅射功率150w～400w。

公开(公告)号：CN102242357A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110171852.3

申请日：2011-06-24

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 丁发柱 ,  古宏伟 ,  张腾 ,  戴少涛

IPC: C23C20/08

Abstract: 一种YBCO涂层导体阻挡层的制备方法。首先配制前驱液，把异丙醇铝和去离子水按照Al∶H2O＝1∶50-1∶100的摩尔比例混合，在80-90℃条件下用磁力搅拌器搅拌溶液，搅拌均匀后往溶液中滴加盐酸，调节PH值至2～4；再把溶液在80-90℃磁力搅拌器搅拌4-8h，得到透明的Al2O3凝胶；然后，将Al2O3凝胶涂覆在基片上；涂覆过薄膜的基片置于高温管式石英炉中，在300℃～500℃温度、惰性气氛下进行5-10h的低温热处理，即可得到非晶氧化铝薄膜。本发明制备的非晶氧化铝薄膜平整、致密。

公开(公告)号：CN101661971B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910092913.X

申请日：2009-09-10

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 古宏伟 ,  丁发柱

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  C23C14/34 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备CuInSe2(CIS)基薄膜太阳能电池光吸收层的方法。首先在钠玻璃基片溅射上制备CIS基薄膜太阳能电池所需的Mo电极；然后以CuIn0.7Ga0.3Se2.2为靶材，在Mo电极上进行溅射得沉积态CuIn0.7Ga0.3Se2.0(CIGS)薄膜，再对沉积态的CIGS薄膜进行热处理：真空腔体充氩气至100Pa，将沉积态CIGS薄膜以20～40℃/min的升温速率升温至450～550℃，保温15min，随后以20～40℃/min的降温速率降温至350℃，随炉冷却至室温，得到CuInSe2基薄膜太阳能电池CIGS光吸收层。

公开(公告)号：CN115188554B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202210844008.0

申请日：2022-07-18

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 董浩 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  黄大兴 ,  王锴

IPC: H01F6/06

Abstract: 本发明公开了一种无电阻高温超导闭合线圈，涉及高温超导线圈绕制技术领域。所述无电阻高温超导闭合线圈包括：第一线圈骨架和第一四饼线圈；第一线圈骨架的侧表面包括从一端到另一端依次分布的第一圆环区域、第二圆环区域、第三圆环区域和第四圆环区域；第一四饼线圈通过第一无电阻绕制方法缠绕而成；第一无电阻绕制方法为：从分离的超导带材的右端部开始缠绕，在第一圆环区域和第四圆环区域形成第一线圈和第四线圈；将超导带材的左端部从第一线圈和第四线圈之间穿过，转动第一线圈骨架，在第二圆环区域和第三圆环区域形成第二线圈和第三线圈；进而构成第一四饼线圈。本发明能够取消线圈接头，避免接头电阻的损耗，进而降低了闭环线圈的电流衰减。

公开(公告)号：CN110166019B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201910211047.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 中国科学院电工研究所 ,  河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司

Inventor： 谢波玮 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  商红静 ,  董泽斌 ,  黄大兴 ,  许文娟 ,  苏广辉

IPC: H03H9/64 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波‑声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。

公开(公告)号：CN116288202B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202310183408.6

申请日：2023-03-01

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 邹琪 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  商红静 ,  黄大兴 ,  谢波玮 ,  张琳 ,  董浩 ,  王锴

IPC: C23C14/35 ,  H10N10/01 ,  H10N10/853 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  B22F9/04 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2热电薄膜的制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明采用直流和射频的共溅射在衬底上实现了高纯Mg3Sb2热电薄膜的制备。本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制备出了性能优异的Mg3Sb2薄膜，制得的薄膜结晶性很高，界面散射效应明显，相比块体Mg3Sb2材料，制备的Mg3Sb2热电薄膜的功率因数大幅提高。

公开(公告)号：CN117769344A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311807296.3

申请日：2023-12-26

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 商红静 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  邹琪 ,  张琳

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/17 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明提供了一种具有纵向成分梯度的N型Mg3Sb2‑xBixTey热电臂及其制备方法、镁基热电器件，属于热电器件技术领域。本发明提供的N型Mg3Sb2‑x‑yBixTey(0＜x≤1.498，0.002≤y≤0.02)热电臂具有纵向成分梯度，不同成分在不同温区具有高性能，且最佳性能对应的温区较窄，通过结构设计，充分利用每种成分的最佳性能，使得热电臂在应用温区对应的宽温度范围内表现出最佳热电性能，从而大幅度提高器件输出性能。