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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105474778B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201218000407.6
申请日：2012-03-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B29C70/40 , B29C70/06 , C04B35/83 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种空间光学系统用低膨胀系数陶瓷基复合材料构件的制备方法，包括如下工艺步骤：(1)将碳纤维增强体组合形成或将连续碳纤维束通过三维五向编织工艺形成陶瓷基复合材料构件的纤维预制体；(2)将步骤(1)制备得到的纤维预制体，以聚碳硅烷作为前驱体采用PIP工艺进行多次浸渍裂解形成陶瓷基复合材料构件，所述PIP工艺循环次数为8-20次；或者，将步骤(1)中的纤维预制体，以任意顺序和次数以聚碳硅烷作为前驱体采用PIP工艺和以三氯甲基硅烷为反应气体采用CVI工艺组合形成陶瓷基复合材料构件，所述PIP工艺循环次数为8-20次。本发明主要应用于空间光学系统反射镜支撑结构。
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公开(公告)号：CN106342033B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201010048494.2
申请日：2010-04-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种碳纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法，属于陶瓷基复合材料领域。本发明通过先向复合材料中浸渍含超高温陶瓷组成元素的可溶性前驱体，再通过各物质之间在高温下发生反应原位合成超高温陶瓷相，从而达到提高复合材料基体中超高温陶瓷相含量以及分布均匀性的目的。通过进一步对复合材料进行致密化处理后获得超高温陶瓷含量高且分布均匀的纤维增强超高温陶瓷基复合材料。该方法具有工艺简单、重复性强、操作简单的优点。
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公开(公告)号：CN102945950A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210489224.4
申请日：2012-11-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01M4/38
Abstract: 本发明公开了一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法，所述方法包括制备具有催化剂层/缓冲层/金属箔三层结构的基底及采用热CVD法在上述基底上原位生长碳纳米管阵列步骤。由本发明方法生长的碳纳米管阵列的高度可达80～300μm，直径达6～20nm，少壁且每根碳纳米管均与集流器直接牢固结合。经实验得知：所制备的碳纳米管阵列负极材料在低速和高速充放电条件下均具有高比容量，循环稳定性好。且本发明方法具有工艺简单、设备要求低等优点，所制备的碳纳米管阵列具有作为支架加载其它活性材料制备高性能复合电极材料的巨大潜力，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100582003C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710041229.X
申请日：2007-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B33/20 , C01F17/00 , C04B35/50 , C04B35/16 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种Yb2SiO5粉体的溶胶凝胶制备方法，其特征在于以正硅酸乙酯、硝酸镱为原料，在水和醇溶液中发生水解和缩合反应，获得Yb2SiO5前驱体凝胶，再通过热处理得到Yb2SiO5制得粉体。热处理温度为1200℃，具有工艺简单、重复性好以及所制得的Yb2SiO5粉体的粒径为亚微米级等特点。可望应用于纤维补强SiC陶瓷基复合材料的抗氧化和退化涂层材料。
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公开(公告)号：CN101066764A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710041229.X
申请日：2007-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B33/20 , C01F17/00 , C04B35/50 , C04B35/16 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种Yb2SiO5粉体的溶胶凝胶制备方法，其特征在于以正硅酸乙酯、硝酸镱为原料，在水和醇溶液中发生水解和缩合反应，获得Yb2SiO5前驱体凝胶，再通过热处理得到Yb2SiO5制得粉体。热处理温度为1200℃，具有工艺简单、重复性好以及所制得的Yb2SiO5粉体的粒径为亚微米级等特点。可望应用于纤维补强SiC陶瓷基复合材料的抗氧化和退化涂层材料。
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