公开(公告)号：CN101241727B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810005438.3

申请日：2008-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  西蒙·比尔曼 ,  田信爱 ,  左圣薰 ,  张银珠 ,  金容宽

IPC: G11B9/10

CPC classification number: G11B5/7325 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/02 ,  G11B9/08 ,  G11B9/1472

Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。