-
公开(公告)号：CN103280457B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310177386.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法，属于功率半导体器件技术领域。通过光刻和离子注入工艺在第二导电类型半导体漂移区（2）表面形成的第二导电类型半导体重掺杂层（5），开态时为器件提供低阻表面导电通道，与降场层（3）下方的第二导电类型半导体漂移区（2）一起，为器件提供两个导电通道。由于采用离子注入增加了低阻表面导电通道，减小了器件表面的电阻率，极大地降低了器件的导通电阻。与常规具有降场层的高压器件相比，本发明提供的横向高压功率器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。本发明可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
-
公开(公告)号：CN103515443B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310420420.0
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区4的上表面，所述薄栅氧化层13覆盖设置在第一导电类型半导体体区9的上表面，所述栅电极2覆盖设置在厚氧化层12和薄栅氧化层13的上表面。本发明的有益效果为，增大了漂移区4表面的积累层通道面积，可以达到更低的正向导通电阻。本发明尤其适用于超结结构的横向功率器件。
-
公开(公告)号：CN103489907B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310420417.9
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料上表面上形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了第一种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；在体区中还形成了第一种导电类型的半导体区，在体区中形成了第二种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管。
-
公开(公告)号：CN103579323B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310568187.0
申请日：2013-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。本发明的一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括由阳极9与阳极区5组成的阳极结构、位于阳极区5上的N型漂移区4和位于N型漂移区4上的栅极7与阴极8，所述N型漂移区4中设置有P型基区3，所述P型基区3中设置有N型源区1和P型阴极区2，其特征在于，所述N型源区1的宽度为50～200μm，所述P型基区3的掺杂浓度为1×1013～8×1013cm-2。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的WC-IGBT器件，解决了IGBT不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题。本发明尤其适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。
-
公开(公告)号：CN103458517B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310406497.2
申请日：2013-09-09
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供了一种车载自组织网络单接口多信道切换方法，通过节点密度和服务信息流量将节点划分为α、β、γ三种工作模式，根据不同工作模式的特点，采用不同的数据发送模式，在保证安全信息的可靠传输条件下，对服务信道进行动态分配，尽可能减少信道切换次数，提高了服务信道的使用率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578804B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310534682.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01H3/46
Abstract: 本发明的目的是提供一种刚挠结合印制电路板的制备方法，该方法是通过分别独立制作挠性基板和刚性多层板，挠性基板埋入区开设电气连接所需通孔；刚性多层板包括第一刚性多层板、第二刚性多层板，第一刚性多层板上在通孔对应位置制作导电凸块，第二刚性多层板在通孔对应位置上制作与导电凸块对应的焊盘；从下到上按第一刚性多层板、半固化片、挠性基板、半固化片、第二刚性多层板顺序叠板，经一次压合得刚挠结合印制电路板，导电凸块穿插过挠性基板上通孔，与焊盘连接导通，并用导电胶敷形，实现挠性基板与刚性多层板的准确对位埋入以及电气互联导通。
-
公开(公告)号：CN105044433A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510393733.0
申请日：2015-07-03
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明涉及一种抗干扰可调巨磁阻效应电流传感器，包括巨磁阻效应芯片、与巨磁阻效应芯片平行设置的永磁铁、螺旋测微器、绝缘挡板、外壳和信号处理电路，信号处理电路与巨磁阻效应芯片相连；巨磁阻效应芯片和永磁铁竖直固定设置在外壳内，螺旋测微器的测杆前端垂直穿入外壳，所述螺旋测微器的测杆前端垂直固定有绝缘挡板，绝缘挡板与巨磁阻效应芯片平行设置，所述巨磁阻效应芯片置于绝缘挡板与永磁铁之间；待测通电导线的外壁与绝缘挡板压接，压接点为所述螺旋测微器与绝缘挡板的连接点。本发明通过在巨磁阻效应电流传感器上设置螺旋测微器，可灵活调节和测量巨磁阻效应芯片与待测通电导线之间的距离，提高电流传感器测量结果的准确度。
-
公开(公告)号：CN103268888B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310174856.6
申请日：2013-05-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 一种具有发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N+发射区条构成，其电阻值通常呈现负温度系数，即：温度越高，电阻值越小，IGBT的饱和电流增大，器件短路能力在高温环境下将显著减弱。本发明通过在N+发射区条里面引入具有正温度系数的金属层（如镍铁合金），使得金属层与距离发射极接触区较远的条状N+发射区一起形成具有正温度系数的金属-介质复合电阻，实现发射极镇流电阻的正温度系数效应，使得发射极镇流电阻的阻值器件随工作温度的升高而升高，最终达到器件短路能力随温度升高而趋于增强的效果。
-
公开(公告)号：CN104850886A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510216963.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: G06K19/077 , H01Q1/36 , H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及一种低频射频识别标签及信号发送方法，包括开关、电源、信息存储芯片、第一耦合器、红外发射器、光纤、调制器、第二耦合器和天线；所述开关、电源、信息存储芯片、第一耦合器、调制器、第二耦合器、天线依次连接；所述红外发射器与所述电源连接，还通过所述光纤与所述调制器连接。本发明使用红外发射器发射的红外光线作为低频射频识别标签发射信息信号的载波；且射频识别标签内置电源提供工作所需能量，主动感应阅读器；从而实现远距离读取。
-
公开(公告)号：CN102683402B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210123005.4
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395
Abstract: 一种平面栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上，在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层；通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压；同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
248
records
(took 0.053 seconds)
