-
公开(公告)号:CN116120233B
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202310129153.5
申请日:2023-02-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C07D229/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01F1/00 , H01F1/03
Abstract: 本发明公开了一种表面偶联光亲和链的功能化磁珠的制备方法,包括:羧基磁珠活化,活化后的羧基磁珠与光亲和连接链孵育得到光亲和连接链负载的羧基磁珠,将光亲和连接链负载的羧基磁珠表面用封闭液进行封闭得到功能化羧基磁珠;光亲和连接链以三氟甲基苯基双吖丙啶作为光敏基团,具有较好的化学稳定性,光解后产生的卡宾中间体能不可逆地与大部分小分子结合且相对稳定,大量不同种类的小分子无需构效关系(QSAR)研究数据和相应的化学修饰,可以直接共价对接到功能化羧基磁珠表面,可用于固定复杂体系的诸多不同结构的小分子,整个过程只需紫外照射即可实现小分子与功能化磁珠的偶联,快捷高效,操作简单,适用性更广泛。
-
公开(公告)号:CN119361309A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202411584206.3
申请日:2024-11-07
Applicant: 广州奕昕生物科技有限公司
Abstract: 本发明属于磁性纳米材料技术领域,具体涉及一种磁核均匀分散的镍螯合琼脂糖磁珠的制备方法。本发明通过共沉淀法制备Fe3O4磁性纳米粒子,再经柠檬酸钠溶液改性得到超稳态磁流体,然后将其与琼脂糖溶液中混合,再加入油相中乳化得到磁性物质分布均匀的超顺磁性琼脂糖复合微球,然后对其表面接枝IDA间隔臂螯合镍离子,得到磁性物质分布均匀的IDA‑Ni琼脂糖磁珠,所述IDA‑Ni琼脂糖磁珠具有良好的悬浮稳定性,能实现对标签蛋白的分离纯化,且分离纯化的蛋白纯度较高,解决了现有琼脂糖磁珠磁分离不完全、沉淀较快的问题。
-
公开(公告)号:CN119314766A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202411474856.2
申请日:2024-10-22
Applicant: 包头稀土研究院
Abstract: 本发明公开了一种NdFeB磁粉复合改性剂及其制备方法、用途和磁体的制备方法。本发明的NdFeB磁粉复合改性剂包括改性组份A和改性组份B;所述改性组份A包括60~85重量份第一酰胺化合物、15~35重量份第二酰胺化合物和1~10重量份第三酰胺化合物;所述改性组分B包括体积比为1:(0.3~3)的脂肪酸酯和硼酸酯。该NdFeB磁粉复合改性剂能够有效地提高钕铁硼磁体的磁性能。
-
公开(公告)号:CN119212796A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202380033536.0
申请日:2023-04-14
Applicant: 尾煤干燥IP私人有限公司
Inventor: I·库切尔
Abstract: 公开了一种用于在至少部分可磁化的干燥颗粒进料材料的流动流中感应磁性以便实现后续颗粒分类的设备。干燥分离台以具有多个间隔开的磁体16、18的处理室10的形式靠近磁感应设备定位,所述磁体邻近于处理室10的上侧区域和下侧区域两者定位并且能够沿处理室10的上侧区域和下侧区域两者的长度可移动地移位,以产生局部磁感应场区。携带干燥颗粒的传送带22、24移动穿过室10的两侧上的磁体16、18的外表面中的每一个,但是以彼此不同的相对速度移动,在处理室10内产生空气‑颗粒流化和搅动的区域,并且然后可以基于它们对磁感应的敏感性而发生颗粒进料材料的物理分离。
-
公开(公告)号:CN118969431B
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411421378.9
申请日:2024-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开了一种高性能稀土离子掺杂有机磁体及其制备方法,涉及有机磁体领域。制备方法包括以下步骤:(1)向高压釜反应设备中加入Cr金属前驱体和有机配体,同时加入含Eu2+的金属盐,恒温反应;(2)冷却至室温,用溶剂洗涤、干燥,得到Eu3+掺杂有机磁体产品。本申请旨在填补调控有机磁体磁性的空白,在不改变有机磁体主体框架结构、形貌和居里温度的情况下对其磁性进行有效调控,宏观磁性不变,利用Eu3+有效取代有机磁体中的Cr离子,Eu磁化强度显著大于原Cr磁畴,因此可显著增强磁化,实现对有机磁体磁性的有效调控。
-
公开(公告)号:CN119176824A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202311664232.2
申请日:2023-12-06
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于稀土配合物制备技术领域,公开了一种基于席夫碱配体的多核稀土配合物、制备方法及应用。将Eu(CH3CO2)3·4H2O、H2mpcd加入CH3OH和CH3CN的混合溶液,反应得到多核稀土配合物Na2[Eu6(mpcd)6(μ3:η2:η1‑OAc)6(μ3‑O)]。该多核稀土配合物具有优良分子磁性,可应用于分子磁性材料、分子记忆材料的制备。
-
公开(公告)号:CN119095683A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202380036117.2
申请日:2023-04-19
Applicant: 西门子股份公司
IPC: B22F10/10 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y80/00 , H01F1/00 , B22F5/10 , B22F7/06 , B22F10/18 , H01F3/08 , B22F3/10 , B22F10/64 , B22F12/53 , B22F12/55 , H01F3/02 , H01F41/02 , H02K15/02 , H01F3/10
Abstract: 本发明涉及一种用于电机(6)的叠片组(4)的增材制造的磁片(2),所述磁片包括至少三个通过烧结连接的层(8‑1、8‑2、8‑3…8‑n),其中,在每个层(8‑1、8‑2、8‑3…8‑n)中存在至少两种在平面延伸方向上彼此分离的材料组份(10‑1)、(10‑2),其特征在于,‑所述材料组份(10‑1)、(10‑2)在各个层(8‑1、8‑2、8‑3…8‑n)中在平面延伸方向上相对于磁片(2)的中心面对称地布置,‑其中,第一材料组份和第二材料组份的材料份额的比例根据层顺序发生变化,并且‑所述第一材料组份(10‑1)布置在各个层(8‑1、8‑2、8‑3…8‑n)的径向内侧区域(14)中,并且所述第二材料组份(10‑2)布置在各个层(8‑1、8‑2、8‑3…8‑n)径向外侧的区域(16)中,并且‑所述第一材料组份(10‑1)包括铁合金,该铁合金具有至少25%体积百分比的奥氏体结构。
-
公开(公告)号:CN118919270A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202410947641.1
申请日:2024-07-16
Applicant: 惠州市磁技新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种弧面磁环制造工艺,所述工艺包括以下步骤:原料混合步骤;辅料混合步骤:将质量份为20份至30份的聚十二内酰胺、质量份为4份至8份的磷酸钙、质量份为10份至20份的乙基三甲氧基硅烷、质量份为15份至26份的偏硅酸钠、质量份为14份至28份的乙烯基三甲氧基硅烷、质量份为10份至20份的聚乙烯醇、质量份为8份至16份的硬脂酸钙混合搅拌均匀得到混合辅料;烧结原料制备步骤:将质量份为100份的原料粉末中加入质量份为10份至20份的混合辅料混合搅拌均匀得到烧结原料;烧结原料熔炼步骤;磁环铸造步骤;磁环坯料热处理步骤;表面打磨步骤;表面喷涂步骤。上述弧面磁环制造工艺生产效率高、生产成本低。
-
公开(公告)号:CN118571590B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411039100.5
申请日:2024-07-31
Applicant: 深圳市鑫盛智能科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁性微胶囊及其制备方法和磁性膜,涉及微胶囊技术领域。所述磁性微胶囊采用复配的阴阳离子聚合物作为壁材并形成了形状呈梭形的坚韧球体,增强了微胶囊的强度。磁性微胶囊的芯材包括至少两种磁力强度不同的磁性粒子,通过调节各磁性粒子的比例可以调整磁力以方便书写和擦除、以及提高书写黑度和对比度;所述芯材中还包括非磁性粒子、油性溶剂和悬浮稳定剂,通过在油性溶剂中添加悬浮稳定剂可形成稳定的交联网格结构和静电吸附层,防止粒子沉降和聚集,确保书写流畅度和痕迹持久性。使用该磁性微胶囊制备而成的磁性膜具备优秀的涌动性,可以通过控制擦除笔的磁力转换频率及调整磁力强度干净迅速地清除磁性膜的书写内容。
-
公开(公告)号:CN118866861A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410827823.5
申请日:2024-06-25
Applicant: 三星半导体(中国)研究开发有限公司 , 三星电子株式会社
Inventor: 周维忠
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01F1/00
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:基板,包括基板主体、基板扩展部和基板连接端子,基板主体具有第一表面和第二表面,基板扩展部位于基板主体的第一表面上,基板连接端子位于基板主体的第二表面上;半导体芯片,位于基板主体的第一表面上,半导体芯片包括芯片主体和芯片扩展部,芯片扩展部位于芯片主体的侧表面上;以及模塑层,在基板主体的第一表面上包封半导体芯片,其中,基板扩展部和芯片扩展部在第一方向上叠置,并且基板扩展部和芯片扩展部在第一方向上间隔开。
-
-
-
-
-
-
-
-
-