一种溶胶凝胶法制备碳化锆陶瓷粉体用热处理设备

    公开(公告)号:CN218690007U

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202223032812.3

    申请日:2022-11-15

    摘要: 本实用新型涉及陶瓷粉体加工技术领域,且公开了一种溶胶凝胶法制备碳化锆陶瓷粉体用热处理设备,包括热处理装置,所述热处理装置的上端固定安装有进料端,所述热处理装置远离进料端的一端固定连接有电机箱,所述电机箱的输出轴上固定连接有位于热处理装置内部的搅拌装置。本实用新型通过热处理装置、升降装置、延长管和防尘罩之间的配合,利用升降装置的设置,实现了延长管长度的调节作用,有效地解决了陶瓷粉体加料时外溢的问题,采用调节延长管与进料端间距的方式,避免陶瓷粉体在加料时导致粉尘的外溢,减少工作人员对陶瓷粉体的吸入量,同时还避免了粉尘对机械设备造成的损坏,延长了机械设备的使用寿命。

    一种碳化钽粉体的高效制备装置

    公开(公告)号:CN212269897U

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202020782236.6

    申请日:2020-05-12

    发明人: 张彦涛

    摘要: 本实用新型公开了一种碳化钽粉体的高效制备装置,包括搅拌混合装置、加热装置和粉碎装置,搅拌混合装置底部外壁固定连接有第一搅拌电机,第一搅拌电机转轴连接有第一搅拌器,第一搅拌器设置于搅拌混合装置内,搅拌混合装置底部设置有加热装置,加热装置通过连接管道连接搅拌混合装置,在连接管道上设置有阀门,加热装置上部外壁固定连接有第二搅拌电机,第二搅拌电机转轴连接有第二搅拌器,第二搅拌器设置于加热装置内,加热装置内壁上设置有加热件,加热装置下端设置有分流器,分流器包括第一分流口、第二分流口、分流器入口和滤网,加热装置连接分流器入口,在分流器内第二分流口一端设置有滤网。

    一种硬质碳化钨合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN118955142A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411466024.6

    申请日:2024-10-21

    摘要: 本发明公开了一种硬质碳化钨合金及其制备方法,属于硬质合金制备技术领域。硬质碳化钨合金,包括基体,基体内部分布有第一硬质颗粒和第二硬质颗粒,第二硬质颗粒填充在第一硬质颗粒之间,第一硬质颗粒为板状结构,第二硬质颗粒为球状结构,所述基体包括碳化钨、粘结剂和添加剂。本发明还公开了一种硬质碳化钨合金的其制备方法。采用本发明所述的一种硬质碳化钨合金及其制备方法,能够提高碳化钨合金的硬度和韧性。

    一种Cf/(Ti,Zr,Hf)C中熵陶瓷基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116514565B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202310596768.9

    申请日:2023-05-25

    摘要: 本发明公开了一种Cf/(Ti,Zr,Hf)C中熵陶瓷基复合材料及其制备方法,包括以下步骤:步骤1:制备复合材料预制体表面的高织构热解碳界面相;步骤2:对复合材料预制体进行浸渍;步骤3:对浸渍完的复合材料预制体进行交联固化;步骤4:对交联固化后的复合材料预制体进行裂解;步骤5:重复操作步骤2、步骤3和步骤4,直至得到的复合材料预制体的密度达到2.5~3.5g/cm3。本发明采用上述的一种Cf/(Ti,Zr,Hf)C中熵陶瓷基复合材料及其制备方法,有效改善了陶瓷、热解碳和碳纤维之间的界面结合,缓解了前驱体对纤维的侵蚀问题,采用多轮不同粘度,实现了复合材料在较低温度下的高效浸渍裂解,提高了复合材料的成分均匀性和弯曲力学性能。

    一种耐火陶瓷制品及其制备方法

    公开(公告)号:CN118290169B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410441603.9

    申请日:2024-04-12

    发明人: 韩军 朱红芝

    摘要: 本发明提供了一种耐火陶瓷制品及其制备方法,所述陶瓷制品包括:碳化铌:40‑60份;碳化铪:40‑60份;改性高岭土:30‑50份;粘结剂:1‑10份。本发明通过发明一种耐火陶瓷制品,通过改性高岭土,使纳米氧化钽插层到高岭土,在高温环境下保持良好的稳定性和可靠性,改善材料的电导和热导性能;加入偶联剂,可以与高岭土表面的羟基或水分子形成氢键,增加高岭土内部的交联密度,从而提高强度,同时,在高岭土表面形成一层保护膜,阻碍外界物质对高岭土的进一步侵蚀,从而提高耐热性;将碳化铌和碳化铪混合,利用原位分解成孔技术,制备出具有复合功能的陶瓷制品,使其致密度提高,具有更高的强度、硬度、耐高温性和抗氧化性。

    一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法

    公开(公告)号:CN118702492B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202411203939.8

    申请日:2024-08-30

    摘要: 本发明提供了一种超细TaC粉末制备TaC涂层的方法,所述方法包括:采用化学气相沉积工艺形成TaC粉末;以所述TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层。本发明以TaC粉末为原料采用烧结法形成TaC涂层,工艺路径简单,具有可持续生产和生产效率高等优点;并且通过本发明的方法制得的TaC粉末粒径更为均匀细腻,能够使以TaC粉末形成的TaC涂层的纯度更高,可达到半导体设备零部件的纯度要求,且采用化学气相沉积工艺形成的TaC粉末不易发生团聚,从而提升了TaC涂层对碳基材料的性能改善及其功能性。